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41.
混合动力车制动工况分析与储能装置参数匹配 总被引:1,自引:0,他引:1
为提高混合动力系统整体性能,实现高效能量回收,分析某重型越野车辆驾驶循环工况中制动过程的功率与能量分布,从制动能量回收率与电机参数出发讨论对储能装置的性能要求. 提出电池组-超级电容复合储能装置的参数匹配方法,针对21 t级试验样车混合动力系统进行实例计算,论证锂离子电池组与超级电容组成的复合储能装置的性能. 实例计算与道路试验结果表明:匹配的复合储能装置符合车辆整体性能与制动能量回收的要求,体积、重量满足总体设计约束;匹配超级电容后,储能装置的瞬时功率能力大幅提升,可显著提高车辆的制动能力和制动能量回收率. 相似文献
42.
为了确保抑制高速电路中同步开关噪声(SSN)的微波光子晶体(EBG)结构在兼顾带隙特性的同时,还具有良好的信号完整性,采用枝条绕转单元贴片的方法设计出一种新型EBG结构。利用HFSS软件对新型EBG结构抑制SSN的特性进行建模仿真,并制备刻蚀有新型EBG结构的4层印制电路板,用安捷伦矢量网络分析仪对其禁带特性进行测试,实验结果与仿真结果吻合良好。通过眼图对新型EBG结构进行的仿真分析显示,新结构的信号完整性良好。 相似文献
43.
44.
45.
在交流条件硅酸钠溶液中利用微等离子体氧化技术合成了陶瓷涂层。通过XRD,EPMA分析了所得陶瓷涂层在不同层面上的相组成、微观结构及元素分布。由陶瓷涂层截面的背散射图看出陶瓷涂层较致密、与基体结合强度高。XRD分析结果显示,陶瓷涂层的最外层由莫来石及γ-Al2O3相组成,随着向陶瓷涂层内部的移动,莫来石的含量逐渐减少,α-Al2O3,γ-A12O3相的含量逐渐提高,而且陶瓷涂层的颜色由白色逐渐变为黑色。硅元素在陶瓷涂层的外侧及陶瓷涂层与基体的交界处陶瓷涂层一侧含量较多,在陶瓷涂层中间含量少。而陶瓷涂层的硬度变化也出现了中间高,两侧低的分布情况。 相似文献
46.
研究了形变对Ni-Mn-Ga合金马氏体相变及其组织形态的影响,并应用马氏体相变热力学和动力学探讨了适当塑性变形后马氏体相变滞后得以大幅度提高的微观本质。结果表明,随着应变量的增加,马氏体相变温度几乎保持不变,而其逆相变温度则迅速升高,塑性应变导致储存在界面处的弹性应变能的释放是塑性变形提高合金相变滞后的主导因素。 相似文献
47.
挤压后硼酸铝晶须增强铝复合材料表面的腐蚀特征 总被引:1,自引:0,他引:1
利用原于力显微镜观察了挤压态Al18B4O33 w/pure Al复合材料早期腐蚀过程中表面形貌的变化特征.研究了沿与挤压方向成不同角度截取的Al18B4O33 w/pure Al复合材料在3.5%NaCl溶液中的腐蚀规律.结果表明:晶须与基体的界面是腐蚀易于发生的地方.点蚀首先在晶须的端部产生,随后沿着晶须与基体的界面扩展.挤压后沿与挤压方向成不同角度截取的Al18B4O33 w/pure Al复合材料表面腐蚀坑的深度存在差别. 相似文献
48.
通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的AlGaN/GaN超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性.X射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向.透射电镜观察表明,超晶格试样的周期结构分布均匀,实际周期为13.3nm,且观察到高密度的位错存在于外延膜中。通过光学试验数据,确定了试样的光学吸收边都是在370nm附近,理论计算显示试样为直接跃迁型半导体,禁带宽度约为3.4eV。试样的折射率随光子能量的增加而增加、随波长的增加而减小,计算表明消光系数的极小值位于370nm处。光致发光测试分析表明,超晶格有很好的发光性能,并发现存在黄带发光。 相似文献
49.
Effect of growth-interrupted method on quality of AlGaAs/GaAs multiple quantum wells prepared by MBE
AlGaAs/GaAs multi-quantum well (MQW) was prepared by molecular beam epitaxy(MBE) with growth-interrupted heterointerface (GIH) method and continuous growth (CG) method, respectively. The microstructures Of the MQWs were characterized by double-crystal X-ray rocking curve (DCRC) and atomic force microscopy (AFM), and the photoluminescence (PL) properties of the MQWs were also studied. The MQWs grown with GIH method show that higher order satellite peaks of Pendelloesung fiinges are observed in DCRC, the roughness of surface is much reduced in AFM, and the full width at half maximum (FWHM) of exciton line is much narrower in PL. The results indicate that the GIH method reduces the monolayer growth step density at the heterointerface due to the migration of surface atomsfor a few minutes grower interruption, and substantially improves the quality of AlGaAs/GaAs MQWs. 相似文献
50.