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CCD应用中的高速图象数据采集技术 总被引:6,自引:1,他引:5
介绍了一种可用于精密光学测量的高速线阵CCD图象数据采集系统,给出了系统组成、各单元设计考虑和主要技术指标。 相似文献
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Phospholipid transfer protein (PLTP) was purified from lipoprotein-free human plasma, obtained upon treatment of plasma with dextran sulfate and Ca2+, by employing a series of column chromatography. Upon sodium dodecyl sulfate-polyacrylamide gel electrophoresis, the purified PLTP showed a single main band, corresponding to the molecular mass of 78 kDa. However, isoelectric focusing of the purified preparation gave multiple bands with pI ranging from 4.3 to 5.1, indicative of microheterogeneity. Purified PLTP was shown to possess not only phospholipid transfer activity, but also high density lipoprotein (HDL) conversion activity (Tu, A.-Y., Nishida, H. I., and Nishida, T. (1990), FASEB J. 4, A2148; Jauhiainen, M., Metso, J., Pahlman, R., Blomqvist, S., van Tol, A., and Ehnholm, C. (1993) J. Biol. Chem. 268, 4032-4036). Isolated HDL3 was enlarged to the size of HDL2b upon incubation with purified PLTP for 6 h at 37 degrees C at the PLTP/HDL3 molar ratio of approximately 1:45. Both the HDL conversion and the phosphatidylcholine transfer activities of purified PLTP were effectively inhibited by rabbit anti-PLTP immunoglobulin G. The primary importance of PLTP in the HDL enlargement that occurs in human plasma upon incubation at 37 degrees C was shown by the strong inhibitory effect of the anti-PLTP immunoglobulin G. The process of PLTP-mediated HDL enlargement was accompanied by the release of apoproteins, primarily apoA-I. HDL3 enlargement mediated by PLTP was effectively inhibited by the addition of free fatty acids. 相似文献
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镍络合物催化酰氯与有机锡试剂交叉偶联合成有机酮的反应,其反应选择性强,反应彻底,转化率高,工艺简单。在有机锡过量的情况下,对不同催化剂的催化活性和包括投料比,反应温度,反应时间,反应溶剂等反应条件进行了考察。 相似文献
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旋波媒质基本参数的一种测试方法 总被引:5,自引:0,他引:5
本文提出了直接利用旋波材料板的S参数获得其基本参数的方法。通过自由空间测量旋波材料板的反射场和透射场,可以反演得到媒质的复介电常数、复磁导率、旋波量以及透射场的轴比和旋转角,测试程序简单,结果精度高。 相似文献
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Chun Hu Ji Zhao Li G.P. Liu P. Worley E. White J. Kjar R. 《Electron Device Letters, IEEE》1995,16(2):61-63
The effects of the plasma etching process induced gate oxide damages on device's low frequency noise behavior are investigated on MOSFET's fabricated with different field plate perimeter to gate area ratio antennas. Abnormal 1/f noise spectrum with a shoulder centered in the frequency range of 100 and to 1 kHz was frequently observed in small geometry devices, and it is attributable to a nonuniform distribution of oxide traps induced by plasma etching process 相似文献
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