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用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型严重展宽;退火后峰型明显锐化,出现(200)等晶体取向;对应TiN,TaN;ZrN三种扩散阻挡层,膜的电阻率在沉积态时分别达108,327和478μΩ·cm,退火后降至正常的数个μΩ·cm;扩散阻挡层亦可明显降低膜的残余应力,无扩散阻挡层时膜的退火应力达475MPa,有ZrN扩散阻挡层后退火应力降至149MPa. 相似文献
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目的研究等离子喷涂Al_2O_3-3%TiO_2涂层的抗低温冲击性能和外部载荷下的绝缘性能等综合性能,探讨大气等离子喷涂技术作为核聚变反应堆磁体支撑结构绝缘涂层制备方法的可行性。方法采用大气等离子喷涂技术在喷砂处理的A286基体上制备Al_2O_3-3%TiO_2涂层并进行封孔处理,利用XRD、SEM等手段对涂层的微观结构和常规性能进行表征,重点关注了涂层的低温热冲击性能和加载绝缘性能。结果喷涂粉末充分熔融及铺展而沉积为典型的层叠状结构,涂层的结合强度达30 MPa,孔隙率可控制在5%以内。均匀涂刷在涂层表面的硅树脂封孔剂有利于填充涂层孔隙和微裂纹,封孔剂在涂层内部的渗透深度可达到大约100μm。从室温水浴到液氮进行10个循环的热冲击试验后,涂层未发现裂纹和剥落,且热冲击对绝缘性能没有显著影响。250 MPa压缩载荷下,涂层的表面电阻率明显降低,但仍高于30 MΩ/sqr。结论 Al_2O_3-3%TiO_2涂层可作为高载荷和低温环境下使用的潜在绝缘材料,而大气等离子喷涂将成为制备核聚变反应堆磁体支撑结构关键部件绝缘涂层的重要选择。 相似文献
993.
994.
995.
996.
276Q铸态球铁曲轴的牌号为QT700-2,要求珠光体不低于90%,硬度240-300HB;采用工频炉熔化,气冲造型,稀土镁球化剂,冲入法球化处理和随流孕育处理。对化学成分的选择和炉料配比进行了介绍。试制结果,性能达到要求。 相似文献
997.
998.
用电化学方法对20~#锅炉钢在碳酸内烯酯的稀液中的腐蚀行为进行了研究结果表明20~#锅炉钢在该稀液中的腐蚀反应受阴极过程控制:静态时由溶解氧的扩散、氢离子及三价铁离子的活化极化共同控制;而动态时则主要由溶解氧的扩散所控制. 相似文献
999.
基于USB总线的数控机床联网 总被引:5,自引:0,他引:5
USB作为一种新的PC机互连协议,因其诸多优点,有逐渐取代RS232串口,成为计算机和外设标准接口之趋势。本文详细介绍了利用USB总线与RS232串行线建立计算机与数控机床通信联网方案,同时给出USB/RS-232接口转换卡设计及串行通信软件设计的方法。该联网系统工作可靠、效率高,在数控实习中心的联网使用中取得了较好的效果。 相似文献
1000.