氧化锆相变稳定机制的研究进展及应用

综述了氧化锆相变的机理及相变稳定的影响因素,认为空位是影响氧化锆相稳定性最重要因素;对ZrO2相变增韧增强陶瓷材料的作用及作为固体电解材料、催化剂及催化剂载体方面的应用也作了简单阐述;并对今后的研究工作做了展望.     

氧化物纳米管的水热法制备及其形成机理

结合国内外研究现状论述了氧化物纳米管的用途,介绍了制备氧化物纳米管的方法,详细讨论了水热法制备纳米管的影响因素以及氧化物纳米管的形成机理.     

Predictions for proton and heavy ions induced SEUs in 65 nm SRAMs

We report on irradiation induced single event upset (SEU) by high-energy protons and heavy ions. The experiments were performed at the Paul Scherer Institute, and heavy ions at the SEE irradiating Facility on the HI-13 Tandem Accelerator in China's Institute of Atomic Energy, Beijing and the Heavy Ion Research Facility in Lanzhou in the Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences. The results of proton and heavy ions induced (SEU) in 65 nm bulk silicon CMOS SRAMS are discussed and the prediction on several typical orbits are presented.     

碳钢表面水性硅烷膜和铈盐改性水性硅烷杂化膜的制备及性能研究

利用浸泡法在Q235碳钢表面制备了乙烯基三甲氧基硅烷（VTOS）膜和VTOS/Ce（NO3）3杂化膜。通过电脑型金相显微镜（GSM）和扫描电子显微镜能谱仪（EDS）对膜的形貌以及构成进行了表征。结果显示,杂化膜比VTOS膜更完整和致密,杂化膜主要由Si、C、O、Ce元素构成。Tafel极化曲线和交流阻抗（EIS）电化学测试结果均表明,与VTOS膜相比,杂化膜对Q235碳钢有更好的保护作用。     

铂团簇负载锐钛矿二氧化钛纳米管电子结构及光学性质

基于密度泛函理论的广义梯度近似对Ptn（n=l～3）N簇负载锐钛矿二氧化钛纳米管的电子结构、吸附能及光学性质进行第一性原理计算。将锐钛矿TiO2垂直于[1O1]向剪切得到（101）面,经卷曲而成Ti02纳米管理论模型。在最优化结构的基础上负载Pt团簇,分别考察Ptl、Pt2、Pt3的可能稳定构型,通过比较吸附能,得出各...     

六极铯束频标束光学系统研究

为能够准确地了解六极艳束频标束光学系统中铯原子的运动规律和原子与微波相互作用情况，采用高阶Ｅｖｅｒｈａｒｔ算法求解六极磁铁中铯原子二阶非线性轨迹方程，给出了各束光学参量对束管特性的影响规律、同时给出了以提高束效率和短稳为目的的六极束光学系统参量的整体优化算法和一实例．     

纳米氧化锆的液相制备方法及其应用

综述了纳米氧化锆晶粒的液相制备方法，讨论了各种方法的优缺点：同时，基于氧化锆特殊的性质，较为全面地介绍了目前氧化锆的应用领域。     

用微波炉测定土含水量的比较试验

对某土石坝心墙填筑土料分别用微波炉与烘干法测定其含水量 ,进行了 46 5组比较试验 ,得出了微波法含水量和烘干法含水量的关系 ,则可用微波法快速测定土的含水量 ,利用这一关系进行修正 ,然后即可把修正的结果应用于实际 ,这对加快工程进度又确保质量是有裨益的。     

利用氮气替代高炉煤气与焦炉煤气合成转炉煤气的可行性研究

对不同比例下氮气和焦炉煤气混合后的燃烧特性进行分析,根据燃气互换性的判定方法,当焦炉煤气在焦氮混合气的含量在37％～38％时,其混合气能够替代人工合成转炉煤气稳定燃烧。在实际生产过程中,通过现有的转炉煤气柜及混合站等设施,能够实现焦炉煤气和氮气的均匀、稳定的混合,说明利用氮气替代高炉煤气进行人工合成转炉煤气是可行的,从而达到增加人工合成转炉煤气气源种类的目的。     

SiO2掺杂稳定ZrO2界面Si-O-Zr键形成的量子化学研究

依据SiO2掺杂稳定ZrO2溶液中可能存在的各种生长基元及界面反应产物的团簇模型,利用密度泛函理论计算获得了各团簇的结构参数、原子的Mulliken电荷分布、红外活性振动光谱和反应的Gibbs自由能。理论红外光谱分析证实了SiO2／ZrO2界面Si-O-Zr键的形成,同时发现460cm^-1左右的特征峰不应归为链状Si-O-Si键的振动．而应是环状Si—O—Si键的振动光谱。此外,Mulliken电荷分布和热力学研究表明：SiO2掺杂稳定的ZrO2四方到单斜相变温度和相变临界尺寸的增加是由于界面Si—O—Zr键的形成降低了与邻近锆配位羟基氧的电荷所致。