一种改进的变步长LMS自适应算法及分析

现有的变步长LMS算法中,大都采用建立步长因子与误差信号的函数关系的方法,以提高算法的收敛速度和跟踪性能,但由于未考虑输入信号对算法性能的影响,使得当输入信号发生变化后,稳态误差明显增大。为此,在现有算法的基础上,引入了输入信号因子,提出了一种改进算法。该算法可根据瞬时误差和输入信号来调整步长因子,使算法不仅能保持较高的收敛速度和跟踪性能,还可在输入信号变化的情况下,保证较小的稳态误差。理论分析及仿真实验表明新算法的性能优于现有算法。     

基于labVIEW实现数字电路的仿真

在熟练掌握LabVIEW的诸多功能的基础上,利用虚拟仪器软件开发平台,在计算机屏幕上通过对前面板和程序框图的编写来完成实验室及电子课程辅助教学中所涉及的数字电路及其芯片的制作,实现数字电路的逻辑功能的模拟仿真。     

新型网络化智能数据采集系统的实现

本文首先对IEEE1451协议作了简要介绍,随后基于网络化,智能化的思想设计了符合IEEE1451协议的传感器网络化智能数据采集系统,并对其结构和功能做了具体阐述。     

基于高速安全芯片的安全策略设计

本文首先分析高速安全芯片“超驰16安全芯片”的硬件模块,基于RSA算法安全产品的安全需求,提出在芯片内部设计一套内置的安全管理策略,参考美国国家技术标准制订了基于该安全芯片的安全策略。文中结合该芯片的硬件特点,重点介绍了安全策略的设计原则和目标。     

基于MINIGUI的楼宇安全系统的控制界面开发

Linux操作系统以其实时、可裁剪、稳定、源代码公开等特性在基于嵌入式微机系统的控制领域里得到了广泛的应用。本文介绍了如何使用MiniGUI建立楼宇安全系统多层菜单图形控制界面的方法,不但能为控制提供友好的图形界面,而且以MiniGUI轻量级的特点使Linux的实时性得到充分的发挥。     

基于红外技术的光电报警系统的研究

介绍了一种采用红外二极管做发射光源,由光敏二极管接收光的简单的光电报警系统,详细论述了系统的组成原理系统由发射、接收、放大和报警四部分组成,当发射和接收之间的光线被阻断时,系统发出报警信号。     

电-气位置伺服控制系统的研究进展

由于气压驱动系统本身具有强非线性、固有频率低、刚度低和阻尼小等特点，实现高精度的位置伺服控制比较困难．针对我国在这方面所做工作相对较少的现状，从电-气位置伺服系统的控制方式和控制策略两方面综述了近年来的发展状况．并对各种方法的优缺点进行分析和比较，同时探讨了这一研究领域的发展方向和需要解决的问题．     

微波解吸柠檬酸盐溶液中SO2的研究

结合微波的热效应、非热效应特性，利用经改装的微波反应装置，对微波解吸柠檬酸盐溶液中SO2的过程进行了研究。通过有无微波作用的对比实验，证明了在该解吸过程中存在微波的非热效应。     

Influence of Holding Time After Deformation on Bainite Transformation in Niobium Microalloyed Steel

  Using Gleeble 1500 system, the influence of holding time on bainite transformation in deformed niobium microalloyed steel during continuous cooling was analyzed, and the carbides in upper bainite were also systematically researched. The results show that the occurrence of the static recrystallization decreases the amount of bainite with an increase in the holding time and the emergence of retained austenite (RA) with the longer holding time. Two types of carbides were observed in upper bainite with regard to their precipitation sites. They either existed between the bainite ferrite laths or co existed with RA. The formation mechanism of two kinds of carbides was analyzed by combining TEM micrographs with the model.     

掺氮对300 mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响

采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷（voids）和氧化诱生层错（OSFs）的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的voids相关的流动图形缺陷（FPDs）的密度变小,氧化诱生层错环（OSF-ring）向样片中心处移动,同时宽度变大。这说明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸voids的产生,同时可以缩小空位型缺陷区的范围,而且V/I过渡区（OSF-ring）的范围变大。