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ESD是导致VDMOS器件损坏的一个重要原因,通过分析VDMOS器件ESD损坏的机理,提出在VDMOS器件的内部制造ESD保护单元,为节约芯片面积,提出在VDMOS器件的栅压焊区位置制造连接栅源的齐纳二极管,通过串联齐纳二极管达到ESD保护单元一定的耐压要求。并介绍利用多晶硅来制造栅源之间的ESD保护单元,工艺简单容易实现又节约成本。 相似文献
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屏幕高尔夫系统需要通过高速摄像机获取高尔夫球体的旋转速度和飞行角度,一种简便的做法是在普通的球体上绘制花纹来测量球体的飞行参数,由于高速成像系统曝光时间短,因此采集到的球体图片对比度低且边缘模糊,为了识别高尔夫球体表面的花纹,设计出了一套以 ZYNQ为核心的嵌入式高尔夫球体花纹识别系统,通过最小二乘法对图像拟合出阈 值曲面,同时利用自适应算法来确定阈值曲面的平移量,保证算法对不同的图片具有较好的鲁棒性。实验结果表明,算法可以准确的将球体上的花纹同球体分离开。 相似文献
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文章首先通过试验方法证实了水泵、药水泵电机经过变频调速而达到节能目的的理论正确性,接着介绍了在印制板行业的水平生产线上进行节能改造的实际过程及其体会,有较强的指导意义和可操作性。 相似文献
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碳化硅(SiC)器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)等基础上发展起来的,并一直都在演进,但这些渐进改良尚不足以充分发挥SiC器件的性能,因而封装技术需要革命性的进步。在简述现有封装技术及其演进的基础上,主要从功率模块的角度讨论了封装技术的发展方向。同时讨论了功率模块的新型叠层结构以及封装技术的离散化、高温化趋势,并对SiC器件封装技术的发展方向做出了综合评估。 相似文献
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关于空压机节能方法的探索 总被引:1,自引:0,他引:1
文章从管理和技术方面讲述了空压机的节能方法,并用了主要篇幅阐述了空压机余热回收的节能技术和效果。 相似文献
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文章从设计评价的角度,构建适老家具的评价指标层次体系,并应用于案例评价与设计实践中.首先运用扎根理论,通过半结构式用户访谈、原始资料逐级译码分析,概括出适老家具用户需求的理论范畴,然后运用模糊层次分析法(Fuzzy Analytical Hierarchy Process,简称FAHP),构建评价指标层次体系,计算各评... 相似文献