全文获取类型
收费全文 | 9009篇 |
免费 | 1791篇 |
国内免费 | 511篇 |
专业分类
电工技术 | 283篇 |
综合类 | 1116篇 |
化学工业 | 1701篇 |
金属工艺 | 641篇 |
机械仪表 | 408篇 |
建筑科学 | 471篇 |
矿业工程 | 356篇 |
能源动力 | 441篇 |
轻工业 | 1655篇 |
水利工程 | 286篇 |
石油天然气 | 77篇 |
武器工业 | 20篇 |
无线电 | 972篇 |
一般工业技术 | 921篇 |
冶金工业 | 140篇 |
原子能技术 | 33篇 |
自动化技术 | 1790篇 |
出版年
2024年 | 79篇 |
2023年 | 495篇 |
2022年 | 745篇 |
2021年 | 831篇 |
2020年 | 795篇 |
2019年 | 530篇 |
2018年 | 399篇 |
2017年 | 409篇 |
2016年 | 441篇 |
2015年 | 367篇 |
2014年 | 599篇 |
2013年 | 848篇 |
2012年 | 1264篇 |
2011年 | 1015篇 |
2010年 | 625篇 |
2009年 | 506篇 |
2008年 | 279篇 |
2007年 | 343篇 |
2006年 | 163篇 |
2005年 | 74篇 |
2004年 | 29篇 |
2003年 | 42篇 |
2002年 | 44篇 |
2001年 | 46篇 |
2000年 | 39篇 |
1999年 | 41篇 |
1998年 | 8篇 |
1997年 | 7篇 |
1996年 | 19篇 |
1995年 | 19篇 |
1994年 | 18篇 |
1993年 | 8篇 |
1992年 | 10篇 |
1991年 | 18篇 |
1990年 | 11篇 |
1989年 | 9篇 |
1988年 | 25篇 |
1987年 | 31篇 |
1986年 | 32篇 |
1985年 | 9篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 7篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 5篇 |
1979年 | 6篇 |
1978年 | 3篇 |
1976年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1951年 | 6篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
采用不扣除企口缝部分的近似计算方法和扣除企口缝的精确计算方法对大企口缝单孔空心板截面等效方法进行研究,得出近似等效计算方法的误差远远大于5%,不能满足工程需要,故在等效计算中,企口缝不能忽略,需使用面积等效、惯性矩等效、形心轴位置不变等3个原则方可求得其精确解.研究结论可为工程设计人员处理同类问题提供参考. 相似文献
22.
粮食收发业务管理系统在.NET3.5平台上采用了分层架构、单件、简单工厂、策略等设计模式进行设计,不仅满足了基本的粮食收发业务管理需求,同时大大提高了系统的可扩展性和易维护性,缩短同类软件的开发周期,为提高系统的通用性和可重用性提供了一种思路和方法. 相似文献
23.
丹皮酚结构改造研究进展 总被引:3,自引:0,他引:3
丹皮酚是传统中药牡丹皮的有效成分,具有广泛的生物活性,如抗菌消炎、镇痛、抗肿瘤和预防心血管系统疾病等.近年来,随着对丹皮酚作用及机制研究的不断拓展和深入,对其结构修饰和改造也开展了大量的工作,合成出一系列的丹皮酚衍生物,对丹皮酚结构改造的研究现状进行了系统的综述. 相似文献
24.
以总峰面积和峰数为评价指标,研究了以聚二甲基硅氧烷(DVB/CAR/PDMS)为萃取头的固相微萃取(SPME)对馒头挥发物质萃取效果的影响.结果显示:当样品用量为2 g(15 mL样品瓶),萃取温度为60℃,吸附时间为60 m in,解析温度和时间分别为250℃和4 m in时,提取到的挥发物质数量较多,主要挥发物质的萃取效果较好.馒头的挥发物质主要有醇类64.88%、羰基化合物4.29%、苯类3.81%、酯类2.75%、酰基化合物18.11%、杂环类6.14%. 相似文献
25.
现代固态发酵技术工艺、设备及应用研究进展 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了固态发酵及影响固态发酵过程的主要工艺条件,阐述了固态发酵各种反应器类型,讨论了固态发酵技术在生物转化、生物燃料、生物防治、垃圾处理和生物修复等方面的应用. 相似文献
26.
荧光假单胞菌RB5产嗜铁素的发酵条件 总被引:1,自引:0,他引:1
荧光假单胞菌RB5是从土壤中分离得到的一株对禾谷丝核菌有拮抗作用的细菌.通过CAS法检测分析,发现RB5菌株能产生嗜铁素.为明确荧光假单胞菌RB5产嗜铁素的发酵条件,采用摇瓶培养发酵,利用特异光谱吸收法,研究了不同培养条件对RB5菌株嗜铁素产量的影响.最终得出RB5产嗜铁素的最佳发酵条件:起始pH 7.0,接种量2%,瓶装量90 mL/250 mL,发酵时间48 h,Fe3+质量浓度为0.8 mg/L.抑菌试验表明,优化发酵条件后的RB5发酵液(OD400值2.35)有很显著的抑菌效果,抑制率达65.28%. 相似文献
27.
提出了一种新的LSB隐藏方法,根据待嵌载体图像像素值的奇偶性和嵌入信息的内容,选择像素值加1或加2的嵌入方式,使得SPA(sample pair analysis)攻击的假设条件在嵌入前后保持平衡,致使SPA攻击失效。在使用该方法嵌入率达到100%时,SPA攻击的估计值仍然小于判决门限。实验不仅验证了新方法抵抗SPA攻击的能力,也验证了新方法可以抵抗RS等检测。新方法嵌入方式简单,且无需在嵌入后再做附加处理,便于实现。 相似文献
28.
29.
符号执行技术从理论上可以全面分析程序执行空间,但对安全协议这样的大型程序,路径空间爆炸和约束求解困难的局限性导致其在实践上不可行。结合安全协议程序自身特点,提出用模型学习得到的协议状态机信息指导安全协议代码符号执行思路;同时,通过将协议代码中的密码学逻辑与协议交互逻辑相分离,避免了因密码逻辑的复杂性导致路径约束无法求解的问题。在SSH协议开源项目Dropbear上的成功实践表明了所提方法的可行性;通过与 Dropbear 自带的模糊测试套件对比,验证了所提方法在代码覆盖率与错误点发现上均具有一定优势。 相似文献
30.
WANG Haili JI Huifang SUN Shuxiang DING Peng JIN Zhi WEI Zhichao ZHONG Yinghui LI Yuxiao 《西安电子科技大学学报(自然科学版)》2017,44(4):151
InP-based high electron mobility transistors (HEMT) have shown a great potential for national defense and satellite radar in space radiation environment applications. This paper studies the proton radiation damage mechanism of its critical structure InAlAs/InGaAs/InAlAs quantum well. The proton projection range and vacancy defect information are obtained at different incident proton energies of 50keV, 75keV and 200keV by SRIM software. With the increase of proton energy, the proton injection depth is increasing and eventually protons pass through the material layers. Besides, the proton radiation induced vacancy defects numbers around hetero-junction increase first and decrease subsequently, and As vacancies are the main proton radiation induced defects. In addition, non-ionizing energy loss (NIEL) of In0.52Al0.48As and In0.53Ga0.47As material is computed under different incident proton energies by the analytical model. The change trend of NIEL is identical to the induced vacancy numbers, namely, NIEL first increases and then decreases as the incident proton energy increases. Finally the degrading effect of the radiation-induced As defect is detected in the two-dimensional electron gas in the quantum well, which confirms that the major proton radiation damage mechanism of the quantum well is the induced vacancy defects by NIEL. 相似文献