首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   86篇
  免费   3篇
  国内免费   1篇
电工技术   10篇
综合类   4篇
化学工业   5篇
金属工艺   16篇
机械仪表   14篇
建筑科学   10篇
矿业工程   1篇
能源动力   1篇
轻工业   14篇
水利工程   2篇
无线电   4篇
一般工业技术   1篇
自动化技术   8篇
  2023年   1篇
  2022年   2篇
  2021年   4篇
  2020年   6篇
  2019年   3篇
  2018年   1篇
  2017年   3篇
  2015年   2篇
  2014年   8篇
  2013年   5篇
  2012年   8篇
  2011年   9篇
  2010年   13篇
  2009年   7篇
  2008年   11篇
  2007年   2篇
  2006年   3篇
  2004年   2篇
排序方式: 共有90条查询结果,搜索用时 218 毫秒
1.
针对电梯采用制动电阻消耗回馈能量造成的极大浪费,介绍基于超级电容的电梯能量再生系统及其控制逻辑的设计。  相似文献   
2.
水韭属是濒危的孑遗植物,是研究古生态及其物种演化的活化石。本文用扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察了中华水韭叶片的结构特征,首次报道了:(1)通气道横隔细胞在同一平面以5~7个放射状短臂相互连接,且细胞表面有数百个微纤毛;(2)叶表皮为复表皮;(3)光合细胞以5~7个短臂在3D空间相互连接;(4)叶脉不分支,管胞的环纹与初生壁间另有连接结构,管胞周围有薄壁细胞紧密包围;(5)舌足与叶肉嵌合处各有表皮;(6)自气孔下室观察了气孔器的内侧结构,为气孔研究拓展了视野。认为水韭属叶片的超微3D结构具有稳定的特殊性和复杂性,与近源的石松科及卷柏科相差甚远,证明水韭有孤立的演化路线。  相似文献   
3.
本文对过压欠压及延时保护电路的设计及工作原理给予介绍.该保护电路具有过压、欠压保护,保护范围宽,并具有保护延时时间可调,保护动作灵敏等特点,可广泛使用于过压、欠压场所进行相应的电器保护.  相似文献   
4.
电力电子器件IGBT的应用与保护   总被引:1,自引:0,他引:1  
钱金川  朱守敏 《电焊机》2008,38(3):41-47
介绍了电力电子器件的详细分类和发展.对目前电力电子装置中主流器件,如绝缘栅、双极型晶体管IGBT与其他电力电子器件性能进行比较,并将目前市场常用厂家生产的IGBT也一并进行了介绍.着重阐述了IGBT使用过程中如何选用器件、具体应用中的常用保护方法等.  相似文献   
5.
关于建设上海辰山植物园木犀专类园的思考   总被引:3,自引:0,他引:3  
木犀属(Osmanthus)是木犀科(Oleaceae)中经济价值较大的一个属。该属植物主产我国,是优良的观花小乔木或灌木,尤其桂花,在我国栽培历史悠久,是色、相、形俱佳的园林绿化树种。在对我国桂花专类园及桂花风景区调查分析的基础上,结合专类园现有的条件(如气候、地形、土壤等),提出了关于木犀专类园的定位、植物收集、植物配置和布局的建议,为以后专类园的建设和发展提供参考,并提出了建设木犀专类园的注意事项。  相似文献   
6.
钱金川  朱守敏 《机床电器》2009,36(6):10-11,15
本文介绍一款由通用CMOS集成电路构成的时间继电器。时间设置由数字拨码设定,对其设计要求工作原理图进行了介绍。具体对相应延时时段的实现进行详细的工作分析。  相似文献   
7.
针对纺纱生产中规律性条干不匀问题,从胶辊选择、加工和使用方面寻找解决办法。介绍了一种新型气动式压套机的特点。  相似文献   
8.
微电子设备防雷及电涌保护   总被引:1,自引:0,他引:1  
钱金川 《机床电器》2011,38(1):54-59
雷电以及过电压导致微电子设备的损坏,微电子设备韵防护问题已经得到越来越多的重视和广泛研究.文中详细介绍了防护雷电及过电压的常用方法:分流、均压、屏蔽、接地和保护.对构成浪涌保护器的内部器件:放电管、压敏电阻、TVS瞬态电压抑制器、共模线圈等进行了介绍.根据器件的各自特点设计理想的浪涌保护器.  相似文献   
9.
简要总结目前国外煤矿井下救生舱的应用现状,并介绍了我国研制进程。根据国家安全产品检验要求及现有主要厂家救生舱的技术条件,进行各参数试验的安全评价,提出了主要型式试验的方法。为全面系统的加快我国矿山应急避险安全防护体系建设提供技术支持。  相似文献   
10.
3.2 IGBT栅极与发射极并接电阻R1 当IGBT栅极与发射极呈开路时,而在其集电极与发射极之间加上电压,随着集电极电位的变化,由于器件是一种MOS栅器件有其特征电容CRES(反转电容)存在(CRES=CCG),使得栅极电位升高,引起IGBT的dv/dt开通,则C—E有电流流过。这时若集电极和发射极处于高压状态,可能会使IGBT发热甚至损坏。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号