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1.
2.
水韭属是濒危的孑遗植物,是研究古生态及其物种演化的活化石。本文用扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察了中华水韭叶片的结构特征,首次报道了:(1)通气道横隔细胞在同一平面以5~7个放射状短臂相互连接,且细胞表面有数百个微纤毛;(2)叶表皮为复表皮;(3)光合细胞以5~7个短臂在3D空间相互连接;(4)叶脉不分支,管胞的环纹与初生壁间另有连接结构,管胞周围有薄壁细胞紧密包围;(5)舌足与叶肉嵌合处各有表皮;(6)自气孔下室观察了气孔器的内侧结构,为气孔研究拓展了视野。认为水韭属叶片的超微3D结构具有稳定的特殊性和复杂性,与近源的石松科及卷柏科相差甚远,证明水韭有孤立的演化路线。 相似文献
3.
本文对过压欠压及延时保护电路的设计及工作原理给予介绍.该保护电路具有过压、欠压保护,保护范围宽,并具有保护延时时间可调,保护动作灵敏等特点,可广泛使用于过压、欠压场所进行相应的电器保护. 相似文献
4.
电力电子器件IGBT的应用与保护 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了电力电子器件的详细分类和发展.对目前电力电子装置中主流器件,如绝缘栅、双极型晶体管IGBT与其他电力电子器件性能进行比较,并将目前市场常用厂家生产的IGBT也一并进行了介绍.着重阐述了IGBT使用过程中如何选用器件、具体应用中的常用保护方法等. 相似文献
5.
6.
本文介绍一款由通用CMOS集成电路构成的时间继电器。时间设置由数字拨码设定,对其设计要求工作原理图进行了介绍。具体对相应延时时段的实现进行详细的工作分析。 相似文献
7.
针对纺纱生产中规律性条干不匀问题,从胶辊选择、加工和使用方面寻找解决办法。介绍了一种新型气动式压套机的特点。 相似文献
8.
微电子设备防雷及电涌保护 总被引:1,自引:0,他引:1
雷电以及过电压导致微电子设备的损坏,微电子设备韵防护问题已经得到越来越多的重视和广泛研究.文中详细介绍了防护雷电及过电压的常用方法:分流、均压、屏蔽、接地和保护.对构成浪涌保护器的内部器件:放电管、压敏电阻、TVS瞬态电压抑制器、共模线圈等进行了介绍.根据器件的各自特点设计理想的浪涌保护器. 相似文献
9.
10.
3.2 IGBT栅极与发射极并接电阻R1
当IGBT栅极与发射极呈开路时,而在其集电极与发射极之间加上电压,随着集电极电位的变化,由于器件是一种MOS栅器件有其特征电容CRES(反转电容)存在(CRES=CCG),使得栅极电位升高,引起IGBT的dv/dt开通,则C—E有电流流过。这时若集电极和发射极处于高压状态,可能会使IGBT发热甚至损坏。 相似文献