2-巯基苯并噻唑的合成与固体吸附剂对合成反应的影响

采用改进的苯胺-硝基苯混合法代替传统的苯胺法合成2-巯基苯并噻唑（促进剂M）,确定了最佳的合成条件：反应温度为240～260℃,反应时间为4h,产品收率大于80％．以活性氧化铝、二氧化硅和活性炭3种常见的固体吸附剂为催化剂,考察了固体吸附剂对合成反应的影响,催化效果明显：2-巯基苯并噻唑的收率由原来的80．6％提高到了85％以上,最高达到86．7％;反应时间由原来4h缩短为3h．     

一种高性能FPGA辐射发射抑制方法研究

随着半导体技术的不断发展,集成电路的电路速度、集成密度和I/O端口数量已大大增加,FPGA的小型化、高密度集成会引发电磁兼容性的问题,电磁屏蔽是抑制电磁辐射最有效的方法,选择高效的电磁屏蔽材料可以取得良好的屏蔽效果。而目前电磁屏蔽材料在FPGA上的应用较少,因此选取了一款具有代表性的高性能FPGA作为研究对象,通过近场扫描测试来研究不同状态下FPGA的电磁辐射发射问题;针对芯片的特点,选取了复合金属屏蔽罩和吸波导电海绵作为电磁屏蔽材料,对FPGA的辐射发射进行抑制。进一步的实验结果表明,由金属材料复合而成的屏蔽罩具有更好的屏蔽效能,达到了10 dBm,相比之下,吸波导电海绵的压缩性和结构稳定性更有助于FPGA在多场景下应用。     

SiC MOSFET短路失效与退化机理研究综述及展望

SiC MOSFET可以大幅提升变流器的效率和功率密度,在高频、高温、高压等领域有较好的应用前景。但是,由于其短路耐受时间短、特性退化现象严重以及失效机理模糊等因素,致使SiC MOSFET的普及应用受到了限制。因此,探究SiC MOSFET短路失效与特性退化的机理,可以为SiC MOSFET器件的应用及其保护电路的设计提供指导,具有重要的研究价值。该文首先归纳SiC MOSFET的短路故障类型,并针对其中一种典型的短路故障进行详细的特性分析。在此基础上,论述SiC MOSFET单次短路故障后存在的两种典型失效模式,综述其在两种失效模式下的失效机理以及影响因素。其次,对SiC MOSFET经历重复短路应力后器件特性退化机理的研究现状进行系统的总结。最后指出当前SiC MOSFET短路失效与特性退化的研究难点,展望SiC MOSFET短路特性研究的发展趋势。     

纳秒脉冲激光清洗石化设备对清洗表面的影响

采用纳秒脉冲激光对石化设备普遍使用的20钢表面锈蚀层以及油污进行了激光清洗试验,通过正交实验法得到优化后的激光清洗工艺参数,在激光功率18 W,激光脉冲重复频率75kHz,扫描速度3 000mm/s的清洗工艺参数下可有效去除20钢表面的锈蚀层;在激光功率20 W,激光脉冲重复频率75 kHz,扫描速度2 250 mm/s的清洗工艺参数下可有效去除20钢表面附着的油污。分析了激光清洗前后材料表面形貌的变化,研究了激光清洗前后表面的显微硬度以及耐腐蚀性,结果表明：激光清洗可以在不改变材料的耐腐蚀性能的同时提升材料表面的显微硬度,从而达到理想的激光清洗效果。     

P^1＋3中球形非线性脉冲的全局存在性

讨论非线性波动方程{((Э)2t-Δx)uε+F(εα|(Э)tuε|p-1(Э)tuε)=0,(t,x)∈[0,∞[×R3,uε|t=0=εU0(r,r-r0/ε),(Э)tuε|t=0=U1(r,r-r0/ε).解的全局存在性.在建立一些必要的估计的情况下,给出小初值和能量耗散条件下脉冲波的全局存在性,为讨论散射问题作了必要准备.     

HDDR处理的Sm2Fe16Ti1Nx化合物高能球磨的研究

在用HDDR法制备Sm2Fe16Ti1Nx氮化物过程中,研究了高能球磨对氮化物粉末的形貌、物相结构及磁性能的影响.发现高能球磨Sm2Fe16Ti1Nx氮化物使粉末颗粒细化的过程可描述为大粉末颗粒→压延成层片状→断裂成短棒状及球形颗粒→压延成层片状→断裂成球形小颗粒,并在球磨一定时间后使粉末中的Sm2(FeTi)17Nx主相完全非晶化,α-Fe含量增高且没有非晶化.球磨后粉末的矫顽力随着球磨时间的延长而降低,而剩磁在球磨短时间时降低,再延长球磨时间又增高,在球磨较长时间到Sm2(FeTi)17Nx主相完全非晶化后又使剩磁降低,最高磁场下的磁化强度值则随着球磨时间的延长而增加.手研磨后粉末的矫顽力随研磨时间的延长而逐渐升高而剩磁及最高场下磁化强度值变化不大.     

Pr0.15Tb0.30Dy0.55Fe1.85-xNix合金的磁性和磁致伸缩研究

用电弧炉熔炼得到Pr0.15Tb0.30 Dy0.55Fe1.85-xNix系列合金.通过X射线对合金进行结构分析,并拟合衍射峰得到晶格常数;样品的居里温度采用交流磁化率测量系统得到;磁化强度、磁致伸缩分别由振动样品磁强计和标准应变测试系统在室温下测量得到.实验表明所有的样品均呈现MgCu2型Laves相结构;随着Ni替代量的增加,样品晶格常数、居里温度和磁化强度呈现下降趋势;磁致伸缩系数亦表现为下降趋势,但在x=0.2、0.3处有所反弹,且x=0.3时样品在低场下的磁致伸缩值略高于无Ni替代的样品.     

不同陶瓷颗粒增强Cu基复合材料的制备及导电性能

以纯铜为基体,以WC、AlN、TiN、MgB2等具有不同导电性能与密度的陶瓷颗粒为增强相,采用球磨-冷压-烧结工艺制备了WCp/Cu、AlNp/Cu、TiNp/Cu和MgB2p/Cu系列复合材料.研究了制备工艺的不同环节对铜基复合材料导电性能的影响,讨论了不同陶瓷颗粒增强铜基复合材料的导电性能.结果表明相同制备工艺及体积分数条件下,以具有不同导电性能与密度的陶瓷颗粒作为增强相的铜基复合材料的导电性能相近,球磨、冷压、烧结、复压及复烧等工艺环节对铜基复合材料导电性能有不同程度的影响,提高铜基复合材料的致密度为提高其导电性能的关键.     

聚吡咯及其复合材料的合成与导电性能研究

以水为反应介质,用硅烷偶联剂(MPS)对纳米级粒子二氧化硅(SiO2)进行预处理,用化学氧化聚合方法合成了聚吡咯/二氧化硅(PPy/MPS-SiO2)复合材料.对影响聚合反应的诸因素(温度、时间、搅拌速度等)进行了探讨,利用红外光谱、元素分析、电镜、四探针技术表征了这些材料的组成、结构和性能.     

硅对蠕墨铸铁热分析特征值及蠕化率的影响

试验设计了 5种不同硅含量的蠕墨铸铁铁液,分析了硅含量对蠕墨铸铁凝固的热分析曲线特征值TEU、TER、△Tr和蠕墨铸铁蠕化率的影响.试验结果表明:(1)在本次试验的硅含量范围内,蠕墨铸铁热分析曲线的特征值TEU和TER先是随着硅的增加而上升,然后,变化不明显;(2)蠕墨铸铁共晶温度回升特征值△Tr随着硅含量的增加呈下降...