基于FPGA&ASIC的专用USB接口设计与实现

无驱型USB KEY专用接口的设计和实现是基于FPGA&ASIC的. 该设计主要使用Verilog语言在FPGA上实现USB协议,并提供针对USB收发器和微控制器的接口. 通过该接口USB KEY在接入系统后不需要驱动程序即可正常使用. 该设计通过了软件的仿真并在FPGA上进行了硬件验证.     

基于IGBT选型的整流器、逆变器损耗计算新方法研究

随着“双碳”概念深入人心,为满足企业对于节能减排、绿色发展的要求,以1 140 V/75 kW变频调速系统为研究对象,提出一种新颖的整流器和逆变器IGBT计算损耗方法,用于IGBT的选择和电力电子散热装置的设计。在实现过程中,考虑栅极驱动电阻和直流母线电压对损耗的影响,给出IGBT的导通损耗、总开关损耗、效率和结温的分析方法。基于IGBT损耗与结温的相互作用,得出IGBT结温曲线。并对IGBT进行了选择校核,仿真及实验验证了所提方案的正确性。     

中红外4 μm波长下MgF2晶体脊形光波导的制备及特性研究（特邀）

为了研究离子与中红外晶体相互作用的机理,探索中红外晶体光波导的制备和性能,采用离子辐照技术结合精密金刚石刀切割,在MgF₂晶体材料中制备了深度17.5 μm、宽度14 μm的脊形光波导。采用SRIM软件模拟了C5+离子辐照MgF₂晶体的电子能量损伤和核能量损伤的过程,分析了波导的形成机理;模拟了波导的折射率变化,并对波导的近场模式进行了实验测量和理论模拟;采用热退火处理来降低波导的传输损耗,将传输损耗降低为0.4 dB/cm;微拉曼光谱证明离子辐照过程并未对MgF₂晶体波导区造成较大的晶格损伤。该工作表明,离子辐照技术结合划片机精密切割是一种十分成熟的脊形波导制备手段,制备的MgF₂晶体脊形光波导在中红外集成光学和光通讯领域具有广泛的应用前景。     

粉体及其改性颗粒微观结构的透射电镜表征

介绍了一种适用性很广的材料微观结构表征法.应用该技术可以从粉体及其改性颗粒试样中切取可供透射电镜研究的薄膜,对微观结构进行表征.制样的效率高,薄膜的薄区大,完整性好.对材料微观结构的透射电镜和高分辨电镜表征具有重要意义.     

高速公路监控系统的研制

建立了高速公路监控系统,该系统由视频监控子系统和车辆检测子系统构成;视频监控系统将收费亭、收费车道、收费广场、财务室和反监控的图像送到监控分中心或绕城中心;车辆检测系统在分中心显示车辆的速度、车流量和道路占有率;同时可将上述参数传送到绕城中心.     

钙钛矿结构的有机-无机杂化功能材料:(p-CphAH)2PbCl4

利用溶液降温的方法从盐酸溶液中生长出一种新的有机-无机层状钙钛矿结构的单晶(p-CphAH)2PbC14(p-CphAH为对氯苯铵离子).借助于元素分析值、核磁谱、X射线衍射方法、紫外及荧光光谱,系统研究化合物的结构和光学性能.标题化合物晶体为浅黄色长棱柱体,单斜晶系,C2/m空间群;a=2.2149(5)nm,b=0.7737(3)nm,c=1.7083(5)nm,β=104.784(5)°,V=2.8310(2)nm3.     

光学显微术研究激光晶体Nd:GdVO4

报道用光学显微技术观察Czochralski方发生长的新型激光材料NdGdVO4晶体中的生长缺陷的种类、形态和分布.这些缺陷包括包裹物,色心,开裂,台阶面,位错,小角晶界和位错塞积群.讨论了这些缺陷的形成原因,提出了减少生长缺陷的措施.     

一种含偶氮苯类星型光致变色液晶材料的研究

利用紫外-可见吸收光谱,研究了一种含4个己氧基偶氮苯液晶基元的星型液晶化合物SiC6在氯仿和四氢呋喃溶液中的摩尔吸光系数、量子产率和反-顺光异构光反应,实验结果表明样品在各溶液的光致变色反应均为一级动力学反应,并求算了光致变色反应的反-顺光异构反应速率常数均为10-1数量级,远远大于偶氮类侧链液晶高分子在相同溶液中的光致变色速率常数.     

KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展的研究

目前在KDP/KD*P晶体的实际生长过程中,仍以传统降温法为主.在传统降温速度的基础上适当提高降温速度,可以加快KDP/KD*P晶体的生长速度,但与此同时有可能产生柱面扩展.为此,我们对不同生长环境下的KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展进行了一系列研究.实验中所用KDP原料和去离子水均与生长大口径KDP晶体相同,其它各项条件也尽量模拟大口径KDP晶体生长过程中的实际情况.在晶体生长实验过程中通过研究不同条件下KDP/KD*P晶体的柱面扩展情况来研究柱面扩展对KDP/KD*P晶体光学质量影响的共同特点.通过分析和研究实验数据及晶体生长过程,我们认为在正常生长条件下引起柱面扩展的主要因素有两个溶液的过饱和度和籽晶柱面存在的缺陷.扩展部分的晶体的光学质量与本体部分差别较大,扩展部分对光的透过率在紫外部分下降很快,明显低于本体部分在这一波段的透过率.本体部分和扩展部分对光的透过率在其它波段差别不十分突出.     

GaP/GaN核壳型纳米复合材料的制备

核壳型纳米复合材料由于具有优异的性质,近年来是纳米复合材料重要研究内容之一,本文采用了两步溶剂热的方法合成了具有核壳结构的GaP/GaN纳米复合材料.