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1.
中红外宽调谐激光器在激光光谱、拉曼光谱和大气污染探测、环保检测等领域有很多应用。目前主要采用光参量振荡 (OPO)输出中红外激光。本实验采用主动调Q的全固态Nd∶YVO4 激光器 ,输出波长为 1 0 6 4nm的准连续激光抽运周期性极化铌酸锂 (PPLN)晶体 ,实现OPO中红外激光输出。激光波长调谐范围为 2 90~ 4 0 5 μm ,最高输出功率为 2 76mW ,实验中同时输出波长范围为 1 4 4~1 6 6 μm的近红外激光。实验装置采用外腔OPO(见图 1 ) ,其抽运光源为LD抽运的Nd∶YVO4 激光器 ,输出重复频率为1 6 2kHz ,脉宽为 2 0 5ns ,平均功…  相似文献   
2.
RADON-W!NGER变换是将信号的WINGER分布函数在相空间按各个角度投影.它和时间一频率或空间一频率联合表象有着密切的关系,并广泛地应用在线性频率调制信号(FM)的分析和综合,分形信号的研究,信号在渐变折射率介质(GRIN)中的传播等信息处理领域.RANDON-WIGNER展示是将一个一维信号所有角度的RANDON-WIGNER变换在二维平面连续地体现,它是RADON-WINGER变换的具体表现,同样有着重要的应用.分数傅里叶变换是近年来光学领域一个新的研究方向.它的数学定义是Namias为了求解量子力学中的薛定愕方程而引入…  相似文献   
3.
本文通过Mondelbrot数集映象变换式,讨论了Riccati常微分方程的数值解是如何与其变换式相对应,并由此与非线性常微分方程相联系的,提出M-Euler数学模型和算法。非线性过程常见于机械、电气和力学中。研究表明,这类非线性常微分方程的数值解的复变換式与M-数集有密切关系,它们具有分数维性质。本文研究了此类问题的理论、算法,并在计算机上输出可视性图象。  相似文献   
4.
鲍明 《声学技术》2003,22(Z2):371-373
1前言 数字信号处理器是专为高速实时运算而设计的专用微处理器,它与CPU和其他的微处理器功能上的区别在于:CPU等处理器具有较强的事务管理功能,而数字信号处理器主要是针对信号的实时处理而设计的,在数值运算速度上较传统的CPU具有较大优势.考虑到数字信号处理器的应用特点,它在体系结构设计上也有别于其他的通用处理器.这种区别主要体现在以下两个方面:首先多数数字信号处理器内部采用哈佛型总线结构.这种总线结构的特点在于它的数据总线,程序总线与输入输出总线是各自独立的.  相似文献   
5.
最近我们合成了ZnO-AOT反向胶束体系。(AO,sulfQberasteinsaeur。his-(2-ethrlhexrllesterNatrlum·sak)。在低温热处理下卜SD℃),其光谱特征表现为:与**T修饰前的zno纳米微粒相比,带边激子发射明显增强,且表面缺陷态发光带蓝移。用锌盐与氢氧化物在醇中进行反应,生成Zno醉溶液。高分辨透射电镜成像表明,Zno纳米微粒径约6urn结晶性较好,可见晶格条纹。电子衍射表明ZuO为问锌矿结构且呈多晶态。用反相胶束法把Zno填充到xor反向胶束笼中,在~sooC回流4小时,制成zno-xowi甲苯反向胶束体系。在Uvikon吸收光谱仪和F…  相似文献   
6.
流动化学激光器在光腔区内的湍流混合,激光介质折射率有序和无规则涨落引起输出光束品质的退化。有序扰动的贡献使远场峰值强度降低和发散角变大,而无规则的随机扰动还使光束抖动和焦点前后移动。用平均Strehl比来评价这种介质的光学品质,它定义为平均远场分布的极大值与相同孔径均匀平面波的远场峰值之比。用足够短的脉冲曝光干涉仪测出光通过介质引起的瞬时近场相位分布  相似文献   
7.
不完全信息下的推理——一篇重要的研究报告   总被引:1,自引:0,他引:1  
一、引言1990年9月美国《国际智能系统杂志(In-ternational Journal of Intelligent Syste-ms)》第五卷第四期专辑发表了由九位著名法国学者组成的研究小组关于“人工智能中不完全信息下推理”专题研究的书面报告英译本。这篇报告具有重要的参考价值,不仅给出了一些重要的研究结果,而且分析了现有理论与方法中存在  相似文献   
8.
本文讨论了智能CAD中图形数据库管理系统DBMS与知识库管理系统KBMS的组织与实现,同时结合火炮设计专家系统GMCADES讨论了DBMS与KBMS的接口问题。  相似文献   
9.
陈宇 《声学技术》2004,23(Z1):253-255
1引言 高分辨率谱分析结果可能出现谱分裂现象,同时由于背景噪声的存在,这些因素在时间上的累积造成时间演化图中信号方位信息的模糊和不确定. 本文提供了一种简便易行的方法,通过小运算量的计算,即可准实时地对运动目标的方向进行准确有效的分析和预测.  相似文献   
10.
由于MOCVD、MBE等半导体材料生长技术飞跃发展,半导体多量子阱和超晶格的制备、研究和应用越来越引起广泛重视。GaAs多量子阱超晶格是较为成熟的一种结构。本文初次报道GaAs多量子阱超晶格表面激光辐照感生的光伏效应研究结果。实验样品是在〈001〉晶向半绝缘GaAs衬底上,MBE生长1.5μm n~+-GaAs缓冲层后,交替地周期生长两种阱宽和垒宽,不同周期数的掺硅GaAs层,构成GaAs多量子阱超晶格结构。激  相似文献   
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