基于结构继承的贝叶斯网结构学习优化设计

采用遗传算法建立贝叶斯网络的优化学习结构,一直是贝叶斯网络研究倍受关注的课题.传统遗传算法的个体设计存在需要反复进行无环性检验的问题,降低了进化效率.针对这个问题,提出一种新的个体编码方式.考虑到进化过程中家族得分的可继承性,提出基于家族继承的结构评分改进算法,进而设计相应的改进遗传算法.实验结果表明,改进算法在BN建网精度与效率上都得到明显提升.     

具有多种特性的门限多代理多签名方案

为了提高多代理多签名的灵活性和实用性,在Schnorr签名的基础上,提出2个具有消息恢复特性的门限多代理多签名新方案,其中的不同类成员具有不等权限,只有指定验证者才能恢复消息并验证签名。分析结果表明,在离散对数假设和随机预言机模型下,该方案是安全的。     

用于音频过采样D/A转换器的∑-△调制器设计研究

文章针对采样频率为44.1kHz的16位数字音频信号，采用CookBook方法，研究设计了用于过采样率为64倍的音频数模转换器的五阶3比特输出sigma-deha（∑-△）调制器。该调制器通带内信噪比（SNR）的matlab仿真实验结果达到了120dB以上，能够很好的抑制通带内噪声。该调制器设计结构采用前反馈和负反馈分支的∑△型．大大降低了电路的复杂性，使硬件实现十分方便，具有重要的应用价值。     

断接下移动终端的简单查询算法研究

提出了断接下移动终端简单查询算法SQPID,该算法通过合并与裁剪操作构建综合相关语义缓存项,且合并过程不涉及间接相关性判断,从而简化了以往算法的处理过程,提高了近似查询结果的导出速度。实验表明,SQPID算法在查询响应时间和精确度方面都更好地满足了用户的需求。     

面向视频流的畸变矫正算法的FPGA实现

本设计用一款中低端的FPGA——Altera公司的EP3C40来实现一种通用的畸变矫正算法,主要用于对成本要求低、实时性要求高的视频流图像处理系统中的前端处理部分。FPGA具有强大的并行处理性能,因此相比PC处理平台或者DSP处理平台,FPGA更能保证视频流的实时性。经实际验证,该方法能达到畸变矫正的实时性要求。     

基于斜率密度聚类的相似文本标定

相似文本标定是抄袭检测的一个重要环节,现有标定方法大多采用直接对文本或指纹进行合并的方式,标定精度受干扰信息影响较大。针对这种局限性,分析了匹配指纹对的语义特征,提出基于斜率密度的相似文本聚类方法,将文本匹配合并问题转化成稠密样本点聚类问题,并在PAN公用语料库上对该方法进行了测试,得到的主要指标优于PAN10前3名。目前已将该方法用于华南理工大学特色专业教学平台的作业查抄,取得了较好的效果。     

管腐蚀法制作纳米光纤探针

根据优质探针的理论模型,利用管腐蚀法制作了可用于光纤生物传感器的纳米光纤探针,该制作方法操作方便,成本低廉,易于批量生产,且受环境的影响较小,制作的光纤探针具有较高的重复率。所获探针锥径小于50nm,锥角为45°。最后讨论了在管腐蚀实验中不良因素对光纤探针形貌的影响。     

一种新的公平有效的可分电子货币系统

基于schnorr盲签名和非交互的零知识证明构造了一种新的公平有效的可分电子货币系统.该系统中可分电子货币的计算利用了一重离散对数和抗强碰撞的Hash函数.系统中使用了C值以界定其安全性.C值可以是C1,也可以由C1,C2级联得到,其中C1可在发生多重消费时揭示用户身份,而C1和C2结合则使得B(银行)和T(可信方)进行货币追踪和用户追踪简便易行.此外,该方案还能够实现多重花费和多重存款的追踪,并通过限制T的权限,有效防止B和T联合作弊.     

用于光强检测的前置放大及量程自动转换电路

设计出了一种用于光强检测的前置放大及量程自动转换电路。许多光强信号放大电路仅追求高增益,忽略了对测量范围的考虑。本文采用同轴尾纤型光电探测器把光强信号转换成光电流信号,精密截波稳定型运算放大器ICL7652把光电流信号转化为电压信号,量程转换电路74HC4052受单片机控制可在4个量程之间自动转换,通过调节暗电流补偿电路减小光电二极管暗电流所产生的影响。仿真测试结果表明,电路参数选择合理、电路模块性能稳定,并且很好地降低了噪声的影响,设计的电路具有低噪声、高增益、高共模抑制比、失调小等优点,探测光强动态范围可达76 d B。     

具有侧面柱状结构的高压LED芯片制备

设计制作了一种具有侧面柱状结构的高压发光二极 管(HV-LED)芯片,与未作侧面柱状结构的HV-LED芯片相比, 在正向电流20mA下,其光功率提高了7.6%,而正向电压和波长基 本维持不变。对这两种HV-LED 芯片的电流和电压以及电流和光功率的关系进行研究。封装白光后的测试结果表明,在色温 4500K、 驱动 电流20mA下, 具有侧面柱状结构的HV-LED芯片光效达 125. 6lm/W。在标准测试温度为20℃、正向电流为20mA驱动下,具有侧面柱状结构的HV-LED芯片封装老化测试1000h后,光衰仅为2%。