一混沌系统的追踪控制

讨论了一混沌系统的追踪控制问题.基于Lyapunov理论,结合多变量追踪控制的方法,设计一控制器使系统可以控制到任意所给的目标.MATLAB的数值仿真表明该方法的有效性.     

一种混合局部搜索算法的遗传算法求解旅行商问题

针对遗传算法容易产生早熟现象以及局部寻优能力较差的缺点,提出一种求解旅行商问题的高效混合遗传算法。该算法首先用加权最近邻法产生初始种群,对种群中相同的个体,用K-近邻法产生新的个体代替相同的个体,然后淘汰适应性较差的个体,用交叉操作产生新的个体,最后,对部分个体进行3-opt优化变异,对种群中优秀个体用改进的Lin-Kernighan算法进行优化。对TSPLIB中部分实例的仿真结果表明,所提出的混合局部搜索算法的改进遗传算法在求解TSP问题时可以高效地获得高质量的解。     

SmAl1-xZnxO3-δ的合成、结构和离子导电性

采用固相反应法合成了具有四方钙钛矿结构的混合氧离子导体SmAl1-xZnxO3-δ(x=0,0.03,0.05,0.1).通过直流四引线法对样品的电导率与温度和氧分压的关系进行了测量.结果表明,Zn2 掺杂显著提高了样品的电导率,与未掺杂的SmAlO3相比,其电导率提高了3～4个数量级.在所有样品中,SmAl0.95Zn0.05O3-δ的电导率最高,800℃时为3.5×10-1S/m,活化能为0.43eV.在973～1273K范围内,SmAl0.95Zn0 05O3-δ是一个氧离子和电子空穴的混合导体,但氧离子迁移数(ti)大于0.8,以离子导电为主.随着温度的下降,样品的氧离子迁移数逐渐增加.     

菲佐干涉仪可变波长标准球面镜头设计

菲佐激光干涉仪使用的标准球面镜头通常只能在特定波长下使用.提出了一种通过调整镜头内部透镜间隔来改变其工作波长的方法,利用该方法设计了两款可变波长标准球面镜头,口径为19.05 mm,镜头光圈系数分别为5.6和8.镜头在各目标波长下的参考波前质量均满足设计要求,并分析了公差容限以确保镜头具有可实际加工性.根据可变波长标准...     

分形插值函数的级数表示及误差估计

把分形插值函数表示成小波类型级数的形式,其"母函数"是由迭代函数系的位移函数决定,并估计了它的余项和误差。这种表示方法不仅提供了一种生成分形插值函数的有效方法,而且是研究分形插值函数的性质及所描述物理对象的特性的有力工具。最后讨论了二维分形插值函数小波类型级数及其余项,证明了它是趋于零的。     

旅行商问题中巡回路径的数据结构

旅行商问题中巡回路径的数据结构对局部启发式算法的效率起着非常关键的作用。巡回路径的数据结构必须能够查询一条回路中每个城市的相对顺序,并且能够将一条回路中的部分城市逆序。分析了数组表示法、伸展树表示法和两级树表示法表示巡回路径时各种基本操作的实现过程及时间复杂度。数组表示法能够在常数时间内确定一条回路中每个城市的相对顺序,但是最坏情况下完成逆序操作需要Ω（n）时间,不适用于大规模的旅行商问题。伸展树表示法执行查询和更新操作的平摊时间复杂度是O（logn）,适用于极大规模的旅行商问题。而两级树表示法在最坏情况下每一个更新操作的时间复杂度是O（n^0.5）,适用于大规模的旅行商问题。     

微程序控制器扩展指令研究

在控制器中设计新指令是控制器教学中比较难的内容。为解决TEC-XP16教学机缺少乘法指令和除法指令的问题,基于TEC-XP16教学机,介绍微程序控制器的基本组成与工作原理,分析在微程序控制器中扩展指令的主要过程,提出一种微程序控制器中MUL乘法指令与DIV除法指令的设计方案;以扩展MUL乘法指令为例,详细介绍在TEC-XP16教学机微程序控制器中设计实现扩展指令的完整过程;以实验方式验证了所设计和实现的乘法指令与除法指令的功能。所提出的设计方法对微程序控制器部件的教学与实验有一定的指导作用。     

可变粒度粗糙集

分析乐观多粒度粗糙集和悲观多粒度粗糙集的不足之后,提出一种可变粒度粗糙集模型,定义了可变粒度粗 糙集的下、上近似集,研究了可变粒度粗糙集与这两种多粒度粗糙集的性质,证明了可变粒度粗糙集是多粒度粗糙集 的泛化,最后给出几种可变粒度粗糙集的度量因子,研究了变粒度粗糙集与多粒度粗糙集度量之间的关系。     

阻尼矩阵与刚度矩阵的一种直接修正方法

提出了一种利用复模态测量数据同时修正有限元阻尼与刚度矩阵的有效方法。借助于矩阵的奇异值分解得到了满足动力方程的最小修正矩阵。该方法有一个简洁的表达式,修正过程简单而且容易实现,数值试验表明修改后的结构参数能准确地同试验值吻合。     

钴基自修复聚酰胺导电高分子材料的制备与性能

以二聚脂肪酸、二乙烯三胺、尿素等为原料制备室温自修复型聚酰胺。通过溶液水热法制备导电单质钴颗粒,并采用纳米复合工艺将导电单质钴颗粒掺杂入自修复聚酰胺体系中,经高温模压制得一种新型钴基自修复聚酰胺导电高分子材料。采用傅里叶变换红外光谱仪、X射线衍射仪、扫描电子显微镜等仪器对单质钴和自修复聚酰胺进行结构表征。系统研究了自修复聚酰胺的自修复能力及抗溶胀性能,以及自修复导电高分子材料的导电和自修复性能。结果表明,所制备的单质钴平均粒径为3.43μm,且表面粗糙易于与聚酰胺基体复合;自修复聚酰胺基体在室温下的自修复次数可达20余次;当交联剂尿素用量为6.6 g/20 g二聚脂肪酸或交联温度为145℃时,自修复聚酰胺对水、碱溶液和油具有较好的综合抗溶胀性能。当单质钴质量分数达到50%后,自修复导电高分子材料的导电率发生突变,导电能力大幅提升;单质钴的加入降低了材料的自修复能力,但单质钴质量分数为50%的材料在室温下的自修复次数仍可达10余次。由于这种材料同时具有较好的导电性能和自修复性能,有望应用于可穿戴装备、电子器件等领域。