4H-SiC TPJBS二极管器件结构和器件仿真

4H-SiC JBS器件具有通态电压较高、泄漏电流较大、静态功耗较高等缺点.为探索改善这些缺点的理论方法和技术途径,提出一种沟槽P型PN结肖特基势垒复合4H-SiC二极管.采用Silvaco TCAD对该器件的正向导通特性和反向阻断特性进行仿真,仿真结果表明,与具有类似参数的传统4H-SiC JBS相比,该器件具有更低...     

一种脉冲噪声下的鲁棒性自适应回波抵消方法

实际通信线路中脉冲性噪声常使得基于高斯噪声模型的经典自适应回波抵消方法的效果变差。针对该问题,提出了一种基于α稳定分布模型的鲁棒性自适应回波抵消方法（RAEC）。该方法采用p稳定分布建模脉冲噪声,在最小平均p范数准则下,利用自适应时间延迟估计器来抵消回波,不仅可以有效地抵消通信线路中含有高斯噪声的回波,而且对含有脉冲噪声的回波也有良好的抵消效果。理论分析和计算机仿真实验表明,RAEC是一种对脉冲噪声具有鲁棒性的自适应回波抵消方法。     

基于小波神经网络自适应反推的永磁同步电机位置伺服控制

提出一种基于小波神经网络(WNN)的自适应反推控制策略,该策略通过对系统中的非线性不确定性进行估计和补偿,可以自适应调节反推控制器的输出,以获得良好的位置跟踪效果和对各类不确定性的鲁棒作用。设计中通过李雅普诺夫稳定性原理保证了整个系统的稳定性并给出了证明。经理论分析和通过与PI控制器及传统反推法的对比仿真的结果证明了该方法的有效性。     

光电对抗效果评估方法研究

光电对抗效果评估是当前光电对抗领域的研究热点。系统梳理了光电对抗效果评估的相关概念,概括总结了光电对抗效果试验方法,着重阐述了光电对抗效果评估准则,并具体介绍了针对不同光电对抗系统的效果评估准则。研究成果对完善光电对抗效果评估的理论和规范及其应用具有一定的参考价值。     

监控组态软件特点分析

综合自动化变电站采用不同型号监控组态软件,实现站内数据采集与监控,针对各系统组态软件的实际应用情况,对其主要特点进行了分析。     

基于比较学习的情感分析方法研究

情感分析是指通过提取文本特征对基于文本的情感倾向进行分类，是自然语言处理领域中的一项重要任务。为了提高文本情感分析的性能，该文将分类任务定义为一个比较问题，并提出了基于比较学习(Comparing to Learn, C2L)的分类模型。C2L的目标是通过与已标注的样本进行比较来对句子进行评分，实际上，通过比较方法进行分类比训练一个过于复杂的模型更加有效。在两个常用数据集上的实验结果表明，C2L的性能优于现有的许多模型；通过调整C2L的内部结构，可以在不同的任务和数据集上取得好的表现。     

栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响

阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题，而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量，总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律，分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响，同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明，栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同，常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关，而高温下，则主要与界面陷阱电荷有关。     

SiC掺氯热氧化技术与SiC MOS电容偏压温度不稳定性

偏压温度不稳定性(BTI)是影响SiC MOS器件性能的关键因素。提出了一种制备SiC MOS电容的新工艺，即在SiC干氧氧化气氛中掺入氯化氢(HCl),并对比了不同HCl与O₂体积流量比对SiC MOS电容电学性能的影响。结果表明，该工艺有效地改善了SiC MOS电容的栅氧击穿特性，降低了界面态密度，提升了平带电压稳定性。二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子能谱(XPS)测试分析表明，掺氯热氧化技术能够有效消除界面缺陷。进一步分析表明，SiC掺氯热氧化技术能够降低可动离子面密度和氧化层陷阱电荷密度，能够有效改善器件的BTI特性。     

可穿戴式筒壳型压电能量收集器的研究与设计

针对可穿戴设备电源的供电及续航问题,采用了筒壳结构的压电能量收集器.探究了可穿戴筒壳结构压电能量收集器俘能的本质,并提出结构优化设计方案.首先指出筒壳结构的承载能力和初始能量与厚度成正比,且随着跨度的增大而减小;其次通过有限元仿真研究了基底和聚偏二氟乙烯(PVDF)压电薄膜尺寸与应力、应变的关系,指出PVDF的尺寸应尽...