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81.
采用半导体氧化物S_nO_2材料,烧结工艺所生产的气敏元件,对被测气体有较高的灵敏度,在被检测气体含量只有十几到几百PPm时,气敏元件的阻值就可以产生很大的变化,这种阻值变化只要接上简单的电路就可以变换为电压的变化而测量出来。采用SnO_2气敏元件制成的检测仪器有较高的灵敏度、电路简单、造价低廉、使用方便等优点。因此一直处于半导体氧化物电阻式气敏传感器的主流。 SnO_2气敏元件在稳定性、互换性、定量检测以及对不同气体有较理想的选择性等方面,问题还尚未很好解决。其主要原因是导电机理表面效应牵涉的因素复杂所致。有待进一步研究。  相似文献   
82.
叶一东  隋展 《激光技术》1996,20(6):324-328
本文使用琼斯矩阵方法对双折射透镜组空间整形系统的光强透射率分布和工作特性进行了分析,并讨论了工程设计中参数的选择以及加工误差带来的影响等有关问题.  相似文献   
83.
片式阻容元件的现状和发展方向   总被引:1,自引:1,他引:0  
在国外的片式元器件(SMD)中,片式阻容元件发展最快,主要表现为片式化率迅速上升,尺寸越来越小,性能越来越好,包装形式多样化和生产管理不断改进。本文综述了国外阻容元件在这些方面的进展,指出了我国的差距,提出了我国如何发展的措施。  相似文献   
84.
安康电厂机组自从投产以来,机组自动化元件日益暴露出许多问题,直接影响机组安全运行。因此,我们必须了解安康电厂自动化元件存在的问题,以便进行改造,提高整个电站的自动化水平。  相似文献   
85.
硅化钼发热元件机械强度与微观结构关系的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
高强度硅化钼发热元件是由四方晶系结构的MoSi2相及含碳的六方晶系结构的Mo5Si3相组成,合适的加人物和工艺可改善元件的均质性,抑制晶粒长大,改善粒子间的接触,提高晶界的接触力,从而提高元件的机械强度。  相似文献   
86.
87.
SnO2光敏,气敏元件的性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了用常压蒸发法制备的SnO2薄膜的光敏性能和用烧结法制备的圆珠状气敏元件的气敏性能。初步探讨了其结构与机理。指出进行集光敏、气敏全一体的传感器的研究。  相似文献   
88.
89.
90.
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