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由两道8mm波段,一道4mm和一道2mm波段组成的四道微波干涉仪已经用在HL-1装置的等离子体电子密度测量上。2mm微波干涉仪测到了接近5×10~(13)(cm~(-3))的平均电子密度。在多道微波干涉仪的可测密度范围内,我们测得了HL-1装置等离子体小圆截面上的电子密度分布。利用微机进行数据处理的工作也取得了可喜的进展。 相似文献
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电过应力是造成ＭＯＳ集成电路损伤的主要原因，本文结合静电放电的三种模型，详细分析了ＭＯＳ集成电路电过应力的损伤模式和机理。 相似文献