MEMS系统级设计与基于多端口组件网络的建模方法

MEMS的系统级设计对保证其整体综合性能和合理开发MEMS产品至关重要。针对MEMS的多能量域耦合、多信号混合的特点以及能量非保守等特殊要求 ,提出了基于多端口组件网络的MEMS系统级建模方法———采用多端口组件表示MEMS的功能结构部件 ,组件与组件通过端口联成网络表示整个系统 ;用统一规范化的微分代数方程表征并用硬件描述语言表述多端口组件。针对梁等具体的MEMS功能结构部件 ,采用宏建模方法确定其行为方程 ,从而得到有特定物理意义的、可供重用的组件模型。最后 ,给出了微加速度计的基于多端口组件网络方法的系统级设计示例     

Fe/Mo多层膜的微观结构与应力研究

本文采用电子束蒸镀技术制备了Fe/Mo金属多层膜,利用TEM等手段研究了Fe与Mo层厚度对薄膜微结构应力的影响.Fe与Mo层厚度相差较大而Fe单层膜厚薄到1.2 nm时,较薄的Fe在较厚的Mo层上外延生长.随着Mo厚度的变薄,Mo/Fe厚度比减少,Mo层没有足够的自由能约束Fe原子,Fe层形成稳定的bcc结构.当Fe外延生长在Mo层上时,晶格畸变导致铁钼层间产生很大的应力,使得薄膜出现均匀的细微裂纹.用胡克定律估算了其应力范围,约104MPa数量级.     

MCI在上海F1国际赛车场中的应用

介绍了上海F1国际赛车场移动通信室内覆盖的业务种类、话务量及系统设计方案,重点分析了通过采用优质的合路平台MCI和收发分缆传输对解决互调干扰的意义.     

MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究

通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基板,其热导率为190 W/(m·K),线膨胀系数为4.6106℃1(RT~400℃),布线层数9层,W导体方阻为9.8 m,翘曲度为0.01 mm/50 mm,完全满足高功率MCM的使用要求。     

一种改进的多约束条件的路由算法

基于多约束条件的满足服务质量(QoS)路由选择问题是当前通信网络中的一个重要问题,满足一个或多个约束条件的路由问题都是非确定多项式的完全问题(NPC),因此解决此类问题通常是很困难的。文中针对此类问题提出一种改进的启发式算法,快速、准确地解决多约束条件的路由选择问题。     

一种降低OFDM信号PAPR的新方法

正交频分复用(OFDM)技术的一个缺点是信号的高峰值平均功率比(PAPR)大大降低了系统中线性功放的效率。本文提出一种新的基于Nyquist脉冲成形的PAPR抑制方法。这种方法基于选择适当的Nyquist脉冲波形集合对OFDM的各个子载波进行脉冲成形。分析论证了该方法的PAPR上限值和所用的脉冲成形波形集合。仿真结果表明该方法能有效降低任意子载波数目的OFDM信号的PAPR值,而且与已有方法相比应用更为简单。因此脉冲成形技术不仅能对传输信号进行频谱成形来提高系统的频带利用率,而且还可以减小信号的PAPR值。     

直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征

采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上生长了GaN薄膜.XRD、AFM、PL和Hall测量的结果表明在2～20Pa沉积气压范围内,提高沉积气压有利提高GaN薄膜的结晶质量;在150～220mJ/Pluse入射激光脉冲强度范围内,随着入射激光脉冲强度的提高,GaN薄膜表面结构得到改善.研究发现,在700℃衬底温度、20Pa的沉积气压和220mJ/Pluse的入射激光脉冲强度的优化工艺条件下,所沉积生长的GaN薄膜具有良好的结构质量和光电性能.     

单自触发脉冲激光测距技术

基于自触发脉冲飞行时间激光测距方法,本文提出并系统性的研究了单自触发脉冲激 光测距技术(SSTPLR) 。根据不同的单自触发方式,提出了反向单自触发和同向单自触发脉冲激光测距技术。设计了各自的实验测距系统,在3m 距离范围内,实现了误差分别为0.96mm 和0. 62mm 的激光测距。     

气体超声流量的测量技术

本文通过对Instromet超声5声道及Q Sonic贸易输送用流量计的技术特点、标定测试结果及其实际应用来说明关于气体超声流量的测量技术。