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71.
本文研究了Nb2O5和Sb2O3施主掺杂对TiO2瓷的半导化和电客一压敏复合功能特性的影响。施主掺杂的最佳量是0.5mol%。结果表明,Nb2O5掺染能较大的降低TiO2瓷的电阻率和提高其介吃常数。掺杂Nb2O5或Sb2O3的TiO2瓷,均呈现优升的吃工一屯流的非域性失系,具有较低的初始电压,低的泄漏屯流和校大的非线性系数。 相似文献
72.
随着电子设备的小型化和个人化需求,人们正在追求电子部件的表面贴装技术(SMT)和高性能化,同时开发小型化、低功耗、性能改善的产品等。片式钽电容器也在追求:(1)产品小型化、在同一尺寸下扩大所容纳的CV积(容量×电压);(2)进一步改善高频交流特性(E... 相似文献
73.
74.
75.
对投电容器扰动识别和定位的方法进行了改进。针对其他此类方法的不足,比如在电压幅值低时投电容器扰动的识别、定位“可信度不高”等,文中通过提取小波变换的特定层的系数,对需要识别的电容器扰动的分解信号相对增强,而其他扰动的分解信号相对减弱,然后再提取熵特征值,结果表明它可以作为识别低电压时投电容器扰动的依据。在对电容器扰动进行定位时,参考了功率和能量定位法,并对其进行了改进。仿真分析证明,在电压幅值较低时,可以准确和可靠地对电容器扰动进行识别和定位。 相似文献
76.
77.
射频MEMS压控电容器 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1 相似文献
78.
电子镇流器用高压长寿命铝电解电容器 总被引:2,自引:2,他引:0
铝电解电容器是节能灯用电子镇流器的关键元件,由于镇流器的工作环境严酷,其电容器最易失效。改进后的CD11H系列电子镇流器用铝电解电容器标准突出了105℃下满负荷工作3000h的高可靠性要求。设计目标放在延长寿命,提高可靠性,减少失效率方面。选用电容器时要注意工作电压、上限工作温度、耐久性。 相似文献
80.
对电热电容器设计的一些意见西安电力电容器厂徐奇武前一段时间由于钢铁工业的迅速发展,特别是使用1000Hz可控硅变频装置,熔炼废钢铁制造建筑用钢材热乎了一阵子,促成了电热电容器有一个相对快的发展,不少厂家纷纷上马电热电容器,在技术上各厂也大多突破了常规... 相似文献