GaAs／AlAs超晶格Г—X级联隧穿导致的电场畴

我们研究了掺杂耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格的级联隧穿，在这种结构中，ＡｌＡｓ层Ｘ能谷中的基态能级位于ＧａＡｓ层中Г能谷的基态（ＥГ１）和第一激发态（ＥГ２）能级之间，实验结果证明，这种超晶格中的高电场畴是由Г－Ｘ级联共振隧穿所形成的，而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的，在这种高场畴中，电子从ＧａＡｓ量子阱的基态隧穿到邻近的ＡｌＡｓ层的Ｘ能谷的基态，然后通过实空间电子转移从ＡｌＡｓ层的     

舰船极低频电场的产生机理及其防护

舰船极低频电场由于能在海水中传播到很远的距离，而且很容易被探测到，已成为舰船的一个重要目标特性，螺旋桨转动调制舰船腐蚀电流和外加电流阴极保护系统在海水中产生的电流是舰船极低频电场的2个重要来源．质量较差的阴极保护系统(ICCP)中的电源滤波器也会导致极低频电场的产生，电磁场防护结构工艺、被动轴接地系统、主动轴接地系统和电场抵消系统是目前降低舰船极低频电场的主要方法。     

原油电脱水(脱盐)的电场设计及关键技术

在讨论基于静电聚结机理的原油电脱水器、电脱盐器常用的AC电场、DC电场和AC/DC双电场3种主要电场设计及相应聚结机理的基础上,详细阐述了国外Natco集团先进电脱水(脱盐)器上采用的复合板式电极、电载荷响应控制器、淡化水逆流静电混合技术和双频电源控制等关键技术。针对国外原油电脱水领域发展的最新动态,提出国内在该领域发展的建议。     

不同辐射体核素在生殖细胞的滞留诱发放射遗传毒理效应比较研究

研究了机体摄入核裂变产物中的纯β辐射体核素~(147)Pm或β,γ混合辐射体核素~(134)Cs后,在生殖系统睾丸中的滞留诱发生殖细胞染色体畸变和精子畸形效应。实验结果拟合的~(147)Pm在睾丸内滞留方程为:R(t)=0.1872×e~(-0.0066t)其滞留半减期长达105天,可见~(147)Pm在睾丸中呈持续性蓄积,较难转移。至于~(134)Cs在睾丸中拟合的滞留方程为:R(t)=0.0045×e~(-0.133t),其滞留半减期只有5.2天,表明~(134)Cs在睾丸中的转移是较快的。实验发现,受~(147)Pm或~(134)Cs内污染时,均可诱发精原细胞染色体畸变,且以染色单体型畸变为主,而染色体型畸变的断片或易位较少呈现。同时也观察到~(147)Pm对初级精母细胞的遗传损伤效应,可产生染色体断片和易位,出现多价体。~(147)Pm和~(134)Cs所诱发的精子畸形主要都是无钩精子,只是~(147)Pm在诱发精子畸形的程度上要高于~(134)Cs。鉴于~(134)Cs在睾丸中的滞留程度远比~(147)Pm为低,且其滞留半减期亦远低于~(147)Pm,其所致的累积吸收剂量亦就小于~(147)Pm。所以,~(134)Cs摄入机体后所诱发的精原细胞染色体畸变和精子畸形等放射遗传毒理效应,亦较~(147)Pm为低。     

油田放射性作业人员外周血淋巴细胞染色体畸变的观察

本文调查了油田212例受γ射线和中子混合辐射照射的作业人员和30例正常人的外周血淋巴细胞染色体畸变。作业人员受γ射线照射的人均年受照剂量为1.28mGy。调查结果表明,放射性测井人员与正常人相比染色体畸变率有显著差异。     

电报音频接口

简要叙述电报音频接口的优点；它在我国的试用概况，以及这种接口的基本原理，信号频率，阻抗，电平，发报畸变和收报改正力等。     

用于重离子核反应实验测量的纵向电场气体电离室

本文报道了一种新型的大动态范围，多叠层探测器系统组件之一的纵向电场气体电离室的构造，性能和在中能得离子核反应实验中的应用。     

TELSEIS-STAR采集站频谱畸变检测程序

采集站频谱畸变在野外生产中严重影响地震记录质量。文章介绍的TELSEIS-STAR采集站频谱畸变检测程序可方便地对频谱畸变采集站进行性能测试和诊断，判断出其故障部位。通过野外生产及室内检修应用，收到了良好的使用效果。