硅基HgCdTe光伏器件的暗电流特性分析

对硅基HgCdTe中波器件进行了变温电流电压特性的测试和分析.测量温度从30K到240K,得到R0对数与温度的1000/T的实验曲线及拟合结果.同时选取60K、80K及110K下动态阻抗R与电压V的曲线进行拟合分析.研究表明在我们器件工作的温度点80K,零偏压附近主要的电流机制是产生复合电流和陷阱辅助隧穿电流.要提高器件的水平,必须降低陷阱辅助隧穿电流和产生复合电流对暗电流的贡献.     

读出电路数字模块设计

文章介绍了一个读出电路的数字控制模块.该模块集成了众多的控制功能,包括积分时间的调控,对面阵中指定窗口的读出,并能够支持快照读出模式和滚动读出模式之间的选择.文章中详细介绍了实现窗口功能和滚动功能的算法;电路的整体结构及端口时序,并给出了整个系统的仿真结果;最后采用上海集成电路设计中心提供的0.6μm双硅双铝标准单元库对本设计进行了电路综合,并对本设计的版图规划和实现进行了简略的说明,验证了将该设计向大规模读出电路上集成的可行性.     

多端口散射参数测量的一种新方法

本文对利用双端口矢量网络分析仪（VNA）进行多端口网络散射参数测试的问题进行了研究。通过网络参数矩阵的归一化、反归一化变换以及基于不同接入阻抗下网络散射参数矩阵之间的关系,对测试参数进行校正,解决了接入阻抗反射系数的精度带来的测试误差问题,提高了这类测试方法的测试精度。     

一种STN-LCD驱动电路的可靠性分析与设计

文章主要对一种常规的小规模STN-LCD驱动电路在使用过程中出现的可靠性失效问题进行分析和讨论,对在干扰环境中工作的集成电路的芯片级的抗干扰和可靠性设计提出了一些建议及总结。在实际分析过程中,采用模拟再现实际使用环境进行实验等方式,对电路出现的失效现象进行再现和定位。通过对失效结构的设计线路和失效机理的分析,对具体引起失效的上电复位结构和通信端口结构进行了设计改进。目前,经过实际流片和测试,改进方案通过了验证。     

450A接触电流测试仪测试网络和数据采集的设计

本文介绍了450A接触电流测试仪关键技术内容。     

NAT网络地址转换技术分析

介绍了NAT网络地址转换技术的基本原理和分类,分析了内网到公网主机通信、不同NAT后方主机相互通信的解决方案和实现过程.NAT技术有效地缓解了公有IP地址的不足,解决了路由表规模扩大的问题.     

微带滤波器级间耦合系数的计算方法

通过在耦合微带谐振器对称面加电壁和磁壁法、用网络的转移矩阵计算插入损耗L(ω)法、以及滤波器谐振时回路的阻抗虚部为零的方法,推导了滤波器级间耦合系数的计算公式。用微波全波仿真软件建立了发卡耦合微带滤波器模型,用上述三种方法分别计算了滤波器在不同间距下的级间耦合系数,给出了计算结果曲线,从计算公式和曲线图分析比较了以上三种方法的关系以及适用情况。结果表明:加电壁磁壁法适用于计算机软件仿真计算,插入损耗法适用于窄带滤波器,阻抗虚部为零法则适用于工程应用。     

多相补偿阻抗元件的研究与仿真分析

对输电线路距离保护多相补偿阻抗元件的工作原理和工作特点进行详细分析,提出2种多相补偿阻抗元件的判据确定方法.仿真分析结果表明,多相补偿阻抗元件可正确区分保护正向区内、正向区外及反方向故障情况,而且受过渡电阻的影响较小.     

一种提高110kV线路距离保护性能的改进方案研究

当前尚没有完全可靠的故障选相算法,误选相会导致阻抗测量模块不能得到与故障相对应的电流电压,从而产生很大的阻抗测量误差导致保护发生误动或拒动。基于110kV系统和以正序电压为极化量阻抗元件本身具有选相功能的特点,本文改变传统保护中先进行故障选相,后阻抗测量的思路,提出先阻抗测量,接着跳闸逻辑处理,最后再进行故障选相以形成故障报告的新方案。同时进行了最优化阻抗元件测量数量种类论证,给出了故障类型搜索算法流程和新方案的实现流程。试验结果表明该方案较好的解决了由于故障选相错误所导致的保护误动或拒动问题。     

基于双口SRAM的双系统微机信息共享的实现

阐述了一种双系统微机通信的接口设计方案，介绍采用双端口SRAM为主存储体的系统信息共享的线路设计方法，该方法使得多系统微机内外通信的接口线路简捷高效、功能强大。