模拟与数字集成电路

在六十年代至八十年代的各种电子设备及音响都是用半导体器件和电阻、电容、电感等元件，利用导线或印刷线路焊接组装而成的。随着生产和科学技术的不断发展，尤其是电子计算机的发展，对电子电路微型化和高可靠性能提出了更高的要求。现在我们来设想一下，如果我们把这些元器件的体积缩得很小．排列得很紧凑，然后全部封装在塑料之中，只剩下连接线露在外面，那么会形成一个什么样的东西呢?很容易理解，我们所做的这一切．实际上就是把一个电路集成的过程，也就是把完成某一个功能所需要的全部二极管、三极管和其它元件都集成在一块芯片上。第一块集成电路就是按这样的方式做出来的。     

二极管的计算机辅助设计

本文以P-I-N二极管为例,采用一维模型,用数值分析方法计算了二极管的正、反向J-V特性.并与用解析表达式的计算结果进行比较,揭示了以往器件没计中的局限性.同时还提出了这种方法在器件制造中的应用前景.     

针尖轮廓飞象扫描检测方法研究

分析了目前我国几种针尖轮廓检测方法、特点和存在问题。提出了一种针尖飞象自动检验方法，其原理是：被检测的针尖和探测器不动，利用转镜系统扫描针尖，产生针尖各部的时序象（飞象），这些依次出现的象受到探测器检测，即可获得反映针尖轮廓的一串直径信息。文中还对飞象扫描法的误差进行了分析和讨论。     

In0.53Ga0.47As／InP异质结光电二极管的深能级

采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测定了Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／ＩｎＰ异质结光电二极管的ＤＬＴＳ谱。发现存在一电子陷阱，该陷阱能级位于导带底以下０．４４ｅＶ处，能级密度为３．１０×１０１３ｃｍ－３，电子俘获截面为１．７２×１０－１２ｃｍ－２。由于深能级的存在，导致了该器件存在一种新的“暗电流”──“深能级协助隧穿电流”。     

微弱光探测器件的设计考虑

制作了具有分离外保护环结构的硅光电二极管，这种结构的中心区域为光敏感区，与中心区周边相距５０μｍ处制作了宽度为３０μｍ的外保护环区。当器件应用时，可将外保护环二极管短路，中心区作光探测。这样，在光敏区表面周边约一个少于扩散长度范围内的反向漏电流被外保护环短路，对光敏区的暗电流无贡献，从而有效地减少了光探测器件的暗电流，降低了器件可测光的功率值。     

半导体激光泵浦掺钕铍酸镧固体激光器

报道了用国产二极管激光端面泵浦自行研制的掺铵铍酸镧（Ｎｄ：ＢＥＬ）晶体得到１．０７μｍ线偏振激光输出的研究结果。分别用非球面透镜成像、加棱镜对扩束、加光纤传输三种方式将泵浦光耦合到增益介质中，由此得到不同的斜效率，并对此作了分析。     

集成气体传感器的进展

本文综述了集成气体传感器的发展过程的工作机理，讨论了Ｓｃｈｏｔｔｋｙ气敏二极管、ＭＯＳ气敏二极管、ＭＯＳ气敏场效应厚膜集成气体传感器和集成气体传感器阵列。     

彩电FBT中高压二极管失效分析

以作者的实际工作经验为基础，阐述了彩电ＦＢＴ中高压二级管的几种失效模式及失效机理。