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GaAs亚微米自对准工艺技术研究 总被引:2,自引:2,他引:0
总结了在50mmGaAs圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究,着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好,在50mmGaAs圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的GaAsIC和GaAs功率MESFET,证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国GaAsIC确实具有重大意义。 相似文献
997.
本文讨论了M序列的自相关性,并证明了:当0<|t-2^n-1|≤[n-1/2]时,|CM(t)|≤2^n-1。 相似文献
998.
本文介绍了短波跳频通信的特点和对短波跳频信号侦收的基本要求。进而分析了步进扫描外差式接收机对短波跳频信号侦收的适应能力。提出了短波跳频信号侦收的信道化接收机和压缩式接收机的方案设想。 相似文献
999.
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