单元串联式多电平高压变频器的起源、现状和展望

本文对单元串联式多电平高压变频器的起源和现状进行了总结,同时从无速度传感器矢量控制、大容量化、冗余设计等方面对该技术未来的发展趋势进行了展望。     

高压电机绝缘自动检测装置

介绍一种单片机控制的高压电机绝缘自动检测装置的检测原理、系统组成及软硬件设计。并介绍了该装置在处于“热备用”的设备中的应用。     

井下节流--防止井筒、管汇中形成水合物的新方法

天然气水合物是在石油、天然气开采、加工和运输过程中，在一定温度和压力条件下，天然气中的某些组分与液态水形成的冰雪状复合物。严重时，水合物堵塞井筒、管线、阀门和设备，从而影响天然气的开采、集输和加工的正常运转。在四川气田，水合物是一个多年来困扰生产的问题：由于在高压气井降压生产的过程中伴随温降，井筒及地面管线易形成水合物，给气井的生产带来严重的危害。     

基于高频高压交流母线多组输出直流电源的研制

本电源是基于高频高压交流母线具有多组输出的直流电源，它具有高达200kHz的开关频率，后级的整流电路由于高频交流母线的存在，使得变压器和电感的设计变得简单，滤波电容的选择也更容易。本电源由PFC电路提供400V的高压直流输入，再由MOSFET组成全桥逆变电路，在固定额率的PWM发生电路和IR2110 MOSFET驱动电路作用下，只加—个谐振电感就可实现开关管的零电压开通，可在大大降低开关损耗和噪声的同时实现直流交流的变换。整流部分采用倍流整流电路以提高原边电压的利用率，可输出低压大电流。由于采用肖特基管，—方面可使得二板管的损耗可以接受，另外—方面还避免了采用同步整流电路所面临的电路结构复杂和驱动困难。     

电源技术

优化型DirectFET MOSFET 国际整流器公司(IR)在其DirectFET MOSFET系列中新增三款20V N沟道器件.该器件经过全面优化,适用于VRM10功率系统及新一代Intel和AMD处理器中的高频、大电流直流-直流转换器,应用范围包括高端台式计算机和服务器,及先进的电信和数据系统.     

喷灌结合法在构筑福州解放大桥北端防洪堤防渗体系中的应用

该文介绍将高压旋喷注浆法和静压灌浆法两种施工工艺结合起来，应用于福州市解放大桥北桥头防渗体系加固工程中，总结出在复杂地层中构筑防渗墙的施工经验。通过该工程的应用提高了高压旋喷注浆和静压灌浆的技术水平和应用范围。     

高压对气井套管接头螺纹接触应力的影响研究

高温高压气井对螺纹密封性的要求要比油井更为严格。对于高压气井中的整个管柱,每一段处于不同的力学环境中,发生泄漏的可能性也不同,因此研究压力对气井套管接头螺纹接触应力的影响,对高压气井套管的合理使用尤为重要。利用弹塑性有限元分析方法,建立了API偏梯型螺纹套管接头的有限元模型,分析了气井压力对套管接头接触应力的影响,提供了研究压力对套管接头螺纹接触应力影响的方法。对于井口压力或井底压力超过34MPa的高压气井,应选用气密性良好的特殊螺纹接头,建议采用金属对金属的螺纹接头套管,以加强螺纹部位的连接强度和密封性能。     

高压合成Nb1-xB2（0〈x〈0．7）超导体的结构转变、电子结构和超导电性研究

自从MgB2（Tc=39K）超导体发现以来，AlB2型结构的二元化合物在实验和理论研究中都受到了日益广泛的关注。最近，我们利用高温高压方法合成了一系列具有Nb缺位的Nb1-xB2（0〈x〈0．7）化合物，得到了单相AlB2结构的样品。当0．2≤x〈0．5时，样品在8K附近出现明显的超导转变。结构分析表明，随着Nb含量的减少，晶格参数在x≈0．2处发生突变，在a-b面内收缩，沿c轴方向拉长。为了深入理解Nb1-xB2中超导特性与结构转变和电子结构的关系，我们对一系列Nb1-xB2样品进行了电子能量损失谱的测量；并且利用第一原理计算分析了材料的电子结构随成分变化的关系，得到了与实验一致的理论结果。     

大功率CO2激光器脉冲电源研究

本文论述了直流高压与高频脉冲电源相叠加，构成高频、高压脉冲电源，并使其对CO2激光器进行放电实验，研究了同条件下的放电参数与功率。