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11.
从理论和实验两方面对静电感应晶体管(BSIT)的开关时间进行了分析和测量,提出了简单的分析方法,将影响BSIT开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子,从而简化了分析影响BSIT开关时间的因素,对于BSIT的实际工艺,结构设计有指导意义。 相似文献
12.
13.
The anodic oxidation of 3,3′-dimethoxybenzidine and its derivatives were studied by cyclic voltammetry, voltammetry at a rotating platinum electrode, chronopotentiometry and constant potential coulometry. The exhaustive oxidation of 3,3′-dimethoxybenzidine led at the potential of the first oxidation peak and second oxidation peak, respectively, to a stable cation radical salt (characterized by ESR spectroscopy) and to a quinone-diimine. Whereas, 3,3′-dimethoxy-N,N,N′,N′-tetramethylbenzidine afforded directly a dication salt owing to potential inversion 3,3′-dimethoxy-N,N,N′,N′-tetraethylbenzidine gave the corresponding soluble cation radical salt. 相似文献
14.
15.
Poroussilicon(PS)wasfoundtoemitvisibleluminescenceatroomtemperaturebyCanhamin1990[1].Thisphenomenonimpliedapotentialapplicati... 相似文献
16.
吴瑞强 《电脑与微电子技术》2012,(9):55-58,66
概述数据灾备中心的建设规范,从核心基础设施及网络传输架构的设计等方面着手,整合和充分利用灾备中心、生产中心的资源,并以广东惠州社保异地灾备中心的建设为例。阐述构建数据及系统灾备中心需要考量的几个方面。 相似文献
17.
Register allocation for write activity minimization on non-volatile main memory for embedded systems
Yazhi Huang Author VitaeTiantian Liu Author Vitae Chun Jason XueAuthor Vitae 《Journal of Systems Architecture》2012,58(1):13-23
Non-volatile memories are good candidates for DRAM replacement as main memory in embedded systems and they have many desirable characteristics. Nevertheless, the disadvantages of non-volatile memory co-exist with its advantages. First, the lifetime of some of the non-volatile memories is limited by the number of erase operations. Second, read and write operations have asymmetric speed or power consumption in non-volatile memory. This paper focuses on the embedded systems using non-volatile memory as main memory. We propose register allocation technique with re-computation to reduce the number of store instructions. When non-volatile memory is applied as the main memory, reducing store instructions will reduce write activities on non-volatile memory. To re-compute the spills effectively during register allocation, a novel potential spill selection strategy is proposed. During this process, live range splitting is utilized to split certain long live ranges such that they are more likely to be assigned into registers. In addition, techniques for re-computation overhead reduction is proposed on systems with multiple functional units. With the proposed approach, the lifetime of non-volatile memory is extended accordingly. The experimental results demonstrate that the proposed technique can efficiently reduce the number of store instructions on systems with non-volatile memory by 33% on average. 相似文献
18.
This paper is concerned with the neutral‐delay‐dependent and discrete‐delay‐dependent stability for uncertain neutral systems with mixed delays and norm‐bounded uncertainties. Through constructing a new augmented Lyapunov‐Krasovskii functional and proving its positive definiteness, introducing some slack matrices and using integral inequality, the improved delay‐dependent stability criteria are derived in terms of linear matrix inequalities. Numerical examples are given to illustrate the significant improvement on the conservatism of the delay bound over some existing results. Copyright © 2010 John Wiley and Sons Asia Pte Ltd and Chinese Automatic Control Society 相似文献
19.
以银耳为原料, 采用超声波辅助热水浸提法提取银耳多糖, 以多糖提取率为指标, 以超声波功率、提取料液比、提取温度和提取时间为影响因素, 设计单因素试验, 并通过正交试验得到较佳提取工艺。通过用TRPV1(Transient Receptor Potential Vanilloid1)试剂盒检测了小胶质细胞TRPV1的释放水平, 与脂多糖(Lipopolysaccharide, LPS)对照组相比, 不同质量浓度的银耳多糖组(62.5, 250, 1000 μg/mL)均能不同程度地抑制TRPV1的释放量。说明了银耳多糖对于BV2小胶质细胞炎症具有良好的抑制作用。 相似文献
20.
研究了Mg-Sr牺牲阳极的显微组织和电化学性能的特征.结果表明,Mg-Sr牺牲阳极的晶粒尺寸随Sr含量的增加而减小;当Sr质量分数为0.19%时,电流效率达到58.56%,开路电位达到-1.735 VSCE;Sr的质量分数再增加,Mg-Sr阳极的电流效率降低,开路电位正移.研究认为,Sr的质量分数为0.19%时,晶界析出的Mg17Sr2相(弱阴极相)和α-Mg基体(阳极相)组成电偶对,阻碍了阳极晶间腐蚀,减少了晶粒大块脱落, 且Sr能够和Mg、Fe形成弱阴极性化合物降低Fe的危害,电流效率升高,同时晶粒细化,晶界面积变大,杂质相分布更均匀,开路电位负移;Sr含量大于0.19%时,过量的Mg17Sr2相作为阴极相加大了阳极的自腐蚀,电流效率下降,开路电位正移. 相似文献