深井固井的若干问题

讨论了深井固井的几个问题，包括长封固段顶部水泥抗压强度的最新ISO标准方法、注水泥温度、窄环空固井带来的问题、深井钻井液、固井液的流变性及流变性试验方法、水泥环的收缩及工程设计问题、深井钻井液与完井液对水泥环及套管的腐蚀研究、深井堵漏问题、特高温固井的低密度水泥浆体系。     

地下连续墙在太钢老厂改造工程中的应用

结合某深基坑支护施工实例 ,介绍了采用多头潜水钻成槽机进行地下连续墙施工的基本原理、工艺流程及注意事项。指出该方案对于在老厂区改造工程狭窄场地条件下 ,解决深基坑施工保护附近建 (构 )筑物安全具有独特的优势     

时空效应规律在软土深基坑工程中的运用

阐述了时空效应规律在软土深基坑工程中的运用情况，实践证明，运用时空效应规律，能可靠而合理地利用土体自身在基坑开挖过程中控制土体位移的潜力而达到保护环境的目的。     

岩石圈深部探测与青藏高原研究

论述了岩石圈深部探测的作用和重大意义，它是一项国土基础地质情况的调查，可以为找矿预测、地震预报、能源开发及大陆动力学研究等多目标服务,是21世纪中国区域地质调查的重要内容，是一项伟大的科学工程；美国、前苏联和中国此前均已作了大量工作，但是有待深化和进一步开展调查；简要介绍了青藏高原近些年来开展深部调查的情况和取得的主要最新成果。     

软启动器在深井泵电动机上的应用

论述了几种三相交流异步电动机的起动方式及其优缺点 ,介绍了新型的电子软启动方式在我厂深井泵电动机上的应用及取得的运行效果 ,为电动机软启动方式在工矿企业中的应用提供了应用经验。     

某地下室深井渗漏的治理

分析了上海兰心影剧院地下室深井修建后出现渗漏的原因，介绍了堵漏工程采用的防水材料和施工方法。     

关于深冲薄钢板中的夹杂和成形性的商榷

对深冲薄钢板大生产的全工艺过程进行了跟踪，研究了ＷＹ０８ＡｌＡ薄钢板中Ａｌ＿２Ｏ＿３的形成，形态以及它们对冷轧成品的深冲性能和冲压小件的冲压成形废品率的影响。     

高强IF钢析出物的析出特征

高强ＩＦ钢是汽车用深冲钢板中深冲性能最好的高强度钢板。目前，国际上对该钢种的研究十分活跃。本文在实验条件下，通过对高强ＩＦ钢析出物的观察研究了高强ＩＦ钢析出物的析出特征，发现了新的析出相ＴｉＦｅＰ，并对磷对深冲性能影响的作用机制，进行了探讨。     

Synthesis and characterization of novel copolymers with the trimethylsilyl group for deep‐UV photoresists

N‐(4‐Acetoxyphenyl) maleimide (APMI) and three kinds of comonomers bearing a trimethylsilyl group were copolymerized at 60°C in the presence of azobisisobutyronitrile (AIBN) as an initiator in 1,4‐dioxane to obtain the three IP, IIP, and IIIP copolymers. These copolymers were removed from the acetoxy group in a transesterification process into new IVP, VP, and VIP copolymers with a pendant hydroxyl group. Two modified processes were adopted to prepare photoresists using these copolymers. The first process involved mixing the dissolution inhibitor, o‐nitrobenzyl cholate, with the new copolymers. Second, o‐nitrobenzyl cholate was introduced into the copolymers using 1,8‐diazabicyclo[5.4.0]undec‐7‐ene (DBU) in dimethylformamide (DMF). The cyclic maleimide structure is responsible for the high thermal stability of these copolymers. After irradiation using deep–UV light and development with aqueous Na₂CO₃ (0.01 wt %), the developed patterns showed positive images and exhibited good adhesion to the silicon wafer without using any adhesion promoter. The resolution of these resists was at least 0.8 μm and an oxygen‐plasma etching rate was 1/5.3 to that of hard‐baked HPR‐204. © 2002 Wiley Periodicals, Inc. J Appl Polym Sci 83: 2791–2798, 2002; DOI 10.1002/app.10255