超高压输电线路分裂导线通道模式理论分析

本对分裂导线传输电磁波的模式理论进行了分析，从所解特征根中选择一组最简单的模分量传递信息，并阐述了传输规律。     

沈阳太平洋广场空调冷热源方案比较

对一幢１１．５万ｍ＾２的四星级综合建筑的空调冷热源不同的蓄冷和取冷比较了四种方案，论证了其中直燃型溴化锂吸收式冷热水机组供冷供暖、小型燃油锅炉供蒸汽的方案最为合理。     

Growth structure investigation of MgF2 and NdF3 films grown by molecular beam deposition on CaF2(111) substrates

The growth structure of MgF₂ and NdF₃ films grown on polished CaF₂(111) substrates deposited by molecular beam deposition has been investigated using transmission electron microscopy (TEM) of microfractographical and surface replications as well as cross-sectional TEM, atomic force microscopy, packing density, and absorption measurements. It has been shown that by taking advantage of ultrahigh vacuum environments and a special stratification property of MgF₂ and NdF₃ films, the preparation of nanocrystalline films of high packing density and low optical absorption is possible at a substrate temperature of 425 K.     

网络分解法的误差分析

网络分解法是求解电大尺寸复杂结构电磁问题的重要方法之一,关于网络分解法误差分析的研究有着重要的理论意义和实用价值.本文给出了网络分解法的误差估计,并对于脉冲基函数转换成三角基函数的情况给出了三角基函数个数的最优公式,数值结果表明了分析的正确性.     

用于X光激光实验的反射式线聚焦光学系统的设计和分析

基于三维光线追迹的象差计算,对卢瑟福实验室用离轴球面反射线聚焦系统作了分析。然后,首次提出了用于X光激光实验的两类新的反射式线聚焦构型,即反射式光楔列阵和光锥列阵系统,并作了计算。最后,对所得结果作了比较和讨论。     

黄土塬区天然气地震技术和综合解释

黄土塬区复杂的地表条件难以获得可供解释的物探资料,本文给出了勘探天然气的地震技术,在野外弯线地震数据采集中,冲沟区运用了弯线高分辨率技术;塬上区采用非纵测线和地震测深观测系统,大药量、深井和强化组合法的接收条件。初步解决了弯线地震资料处理中二维滤波、静校正、速度分析等技术难题。摸索出一套以地震为骨架,构造解释与岩性解释相结合,重力-电法-地震联合解释落实古生界天然气构造圈闭的综合物探解释技术,并以实例展示方法的有效性。     

液压随动系统在线监测与故障诊断系统

介绍了集随动系统在线监测与故障诊断于一体的智能系统。利用基于知识的诊断推理技术与神经网络技术相结合的方法构建了随动系统在线故障诊断专家系统，使得神经网络推理与基于符号的知识诊断控制、解释有机地结合起来，取长补短，大大提高了系统的工作效率和诊断可靠性。     

锥形有源条半导体光放大器增益和饱和特性分析

以行波半导体光放大器速度方程为基础，采用传输矩阵方法，对锥形结构半导体光放大器的增益和饱和特性进行理论研究。讨论了不同锥形长度，不同结构时的增益和饱和特性差异。理论研究表明，锥形结构能改善半导体光放大器的偏振灵敏度。在同一锥度下，长锥形长度能提高饱和增益，降低偏振度。在进行半导体光放大器有源条结构设计时要综合考虑锥度及锥形长度的影响，以实现结构优化 。     

Electrochemical deposition of MoS2 thin films by reduction of tetrathiomolybdate

Molybdenum sulphide was cathodically electrodeposited from aqueous solutions of sodium tetrathiomolybdate. The as-deposited films were X-ray amorphous with a composition, measured by microprobe analysis, close to MoS₂. Annealing these films in Ar resulted in highly-textured films of MoS₂ with the van der Waals planes parallel to the substrate. A small expansion in the c spacing of the annealed films was explained by the presence of oxygen in the crystals. A direct bandgap of 1.78 eV was found for the annealed films.