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52.
ABSTRACTThe RF output power dissipated per unit area is calculated using Runge-Kutta method for the high-moderate-moderate-high (n+-n-p-p+) doping profile of double drift region (DDR)-based impact avalanche transit time (IMPATT) diode by taking different substrate at Ka band. Those substrates are silicon, gallium arsenide, germanium, wurtzite gallium nitride, indium phosphide and 4H-silicon carbide. A comparative study regarding power dissipation ability by the IMPATT using different material is being presented thereby modelling the DDR IMPATT diode in a one-dimensional structure. The IMPATT based on 4H-SiC element has highest power density in the order of 1010 Wm?2 and the Si-based counterpart has lowest power density of order 106 Wm?2 throughout the Ka band. So, 4H-SiC-based IMPATT should be preferable over others for the power density preference based application. This result will be helpful to estimate the power density of the IMPATT for any doping profile and to select the proper element for the optimum design of the IMPATT as far as power density is concerned in the Ka band. Also, we have focused on variation of power density with different junction temperatures and modelled the heat sink with analysis of thermal resistances. 相似文献
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利用风电场历史功率数据预测未来一段时间内的风功率,对保障电网安全稳定运行具有重要的意义。本文提出一种基于奇异谱分析SSA(singular spectrum analysis)和长短时记忆LSTM(long-short term memory net⁃work)网络的时序特征预测框架用于短期风功率的预测。首先通过SSA对历史风功率原始数据进行降噪处理,然后经过数据转换之后,以LSTM网络为基础进行预测模型的训练,最后通过某风电场提供的两个风机的历史功率数据进行验证。实验结果表明,奇异谱分析对风电场的历史数据具有良好的降噪性,SSA+LSTM模型在测试数据上取得了较好的预测性能,能够有效进行短期风功率的预测。 相似文献
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1-read/1-write (1R1W) register file (RF) is a popular memory configuration in modern feature rich SoCs requiring significant amount of embedded memory. A memory compiler is constructed using the 8T RF bitcell spanning a range of instances from 32 b to 72 Kb. An 8T low-leakage bitcell of 0.106 μm2 is used in a 14 nm FinFET technology with a 70 nm contacted gate pitch for high-density (HD) two-port (TP) RF memory compiler which achieves 5.66 Mb/mm2 array density for a 72 Kb array which is the highest reported density in 14 nm FinFET technology. The density improvement is achieved by using techniques such as leaf-cell optimization (eliminating transistors), better architectural planning, top level connectivity through leaf-cell abutment and minimizing the number of unique leaf-cells. These techniques are fully compatible with memory compiler usage over the required span. Leakage power is minimized by using power-switches without degrading the density mentioned above. Self-induced supply voltage collapse technique is applied for write and a four stack static keeper is used for read Vmin improvement. Fabricated test chips using 14 nm process have demonstrated 2.33 GHz performance at 1.1 V/25 °C operation. Overall Vmin of 550 mV is achieved with this design at 25 °C. The inbuilt power-switch improves leakage power by 12x in simulation. Approximately 8% die area of a leading 14 nm SoC in commercialization is occupied by these compiled RF instances. 相似文献
55.
针对云南富源县辖区内大量小型煤矿抽采的低浓度瓦斯未开展有效利用的问题,以区内某小型煤矿为背景,采用现场调研、分析归纳、理论计算相结合的方法对其低浓度瓦斯发电项目展开分析研究。研究表明,某小型煤矿低浓度瓦斯发电项目成功的关键是“瓦斯治理先行”理念主导下的气源保障综合技术体系。在气源得以保障的基础上,该小型煤矿低浓度瓦斯发电项目已经持续高效运行4年,每年创造经济收益约403.2万元,减排CO2约4.47万t;同时促进了煤矿瓦斯治理工作有效落实,提高了煤矿安全生产水平,保障了煤矿产量的达标。 相似文献
56.
宁东供水工程供水水泵共有卧式和立式离心泵2种方案可供选择,也是工程论证时争论的焦点,经综合比较及主机设备的国际招标,最终确定了奥地利安德里兹公司的卧式双吸中开式离心泵为宁东供水工程的供水水泵。 相似文献
57.
Dong‐Wook Kim 《ETRI Journal》2006,28(1):84-86
This letter presents a small‐sized, high‐power single‐pole double‐throw (SPDT) switch with defected ground structure (DGS) for wireless broadband Internet application. To reduce the circuit size by using a slow‐wave characteristic, the DGS is used for the quarter‐wave (°/4) transmission line of the switch. To secure a high degree of isolation, the switch with DGS is composed of shunt‐connected PIN diodes. It shows an insertion loss of 0.8 dB, an isolation of 50 dB or more, and power capability of at least 50 W at 2.3 GHz. The switch shows very similar performance to the conventional shunt‐type switch, but the circuit size is reduced by about 50% simply with the use of DGS patterns. 相似文献
58.
多带OFDM-UWB系统峰均功率比降低方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对多带OFDM—UWB信号存在高峰均功率比的问题,提出了利用扩展与交织降低系统信号峰均功率比的方法。该方法通过对传输数据进行正交扩展与交织,使得进入多载波调制的数据趋于高斯分布,减小了传输数据自相关函数的旁瓣峰值,降低了OFDM-UWB信号的峰均功率比。由于采用正交矩阵进行扩展,扩展前后的数据传输速率保持不变。仿真结果表明,扩展与交织可以有效地降低信号峰均功率比2-5dB左右。同时该方法还具有抗窄带干扰的鲁棒性。 相似文献
59.
简述了电动助力转向系统的研究现状及其基本结构、工作原理和主要特点。分析了该系统的主要元件,论述了亥系统的发展趋势。 相似文献
60.