复式膨胀节在计及介质压强作用下的横向端力

根据复式膨胀节在实际管线结构中承受内压和吸收横向位移时的工作原理，建立了考虑介质压强作用情况下膨胀节的端力计算模型，并导出了横向端力计算公式。本文导出公式的计算特例，既推证了文献［１］给出的端力计算公式（忽视介质压强的影响），又与复式拉杆膨胀节在不同介质压强作用下的实物实验测试结果￣［２］有着良好的一致性。     

钻具组合通过能力模式及其分析

在大曲率半径井眼内,钻具组合的通过能力是定向钻进的主要限制因素之一。因此,研究通过能力是十分必要的。本文在考虑了钻具组合变形的条件之后,建立起钻具组合通过能力的一般模式。通过对该模式的分析,得出在大曲率半径井眼内必须采用柔性或铰链式钻具组合的结论,并说明了考虑变形时钻具组合的通过能力大于未考虑变形时的通过能力的事实,确定了钻具通过能力与井眼曲率半径间的关系。本文还建立了未考虑变形时的钻具最大通过能力下的弯角模式。通过对弯角模式的分析,提出了铰链式钻具组合的铰链接头之问活动弯角的选择原则。这些结论对钻短曲率半径水平井的工具设计与机理研究有指导意义。     

节理岩体参数对围岩破损区影响的敏感性分析

本文针对黄河拉西瓦地下水电站工程，对节理岩体诸参数对围岩破损区范围的影响进行了敏感性分析。指出了主要敏感参数，对这些参数影响围岩破损区的趋势和可能程度进行了讨论，并对勘察和施工提出了一些意见。     

利用矿场资料确定底水油藏油井临界产量的新方法

本文提出了完全用矿场稳定试井资料和静压梯度测试资料确定开采底水油藏油井Dupuit临界产量的新方法。该方法简便可靠,并且实用,不仅适用于底水油藏油井,也适用于底水气藏气井。     

滑动可缩井壁结构的力学分析和设计方法

本文分析了厚表土层中井壁破裂的机理和防治技术，研究了滑动可缩井壁结构各部分的受力特点和计算模型，提出了新的井壁设计方法，通过模拟试验得到了相应的设计参数，为工程设计和应用提供了可靠的依据。     

考虑初始椭圆度的套管抗载能力分析

针对套管的不同初始椭圆度建立了套管、水泥环、地层平面应变力学模型。分析认为，在非均匀地应力作用下，套管内壁的径向变形较大，抗载能力明显降低，破坏主要是由地下非均匀地应力引起的；随着初始椭圆度的增加，在地应力作用下套管各部位产生的应力分布不均程度增大，使得套管抗外载能力减弱。建议在生产和使用过程中应严格将套管椭圆度控制在规定的范围内，从而提高套管的抗载能力。     

国内外新型炭黑发展近况

国外在对炭黑的生成过程、微观结构、表面性质及其补强和应用机理的研究不断深化的基础上，新开发的产品不断涌现，具体可分为如下几类。     

矿用扁平接链环静态电测实验及有限元分析

对φ30的矿用扁平接链环进行静态拉伸电测实验，分析并得出产生最大强度的位置。同时应用ANSYS有限元分析软件对接链环的力学简化模型进行分析，与实验结果相比较，有助于找出齿部破坏规律，对齿形的改进及今后的疲劳分析具有重要意义。     

2005年度《岩石力学与工程学报》编委扩大会议纪要

2005年11月16日,在美丽的西子湖畔——杭州召开了第六届《岩石力学与工程学报》(以下简称《学报》)编委扩大会议,共有48位编委或其代表参加了本次会议。会议由《学报》主编冯夏庭教授主持,《学报》常务副主编佘诗刚教授汇报了《学报》近年来的工作和发展态势。《学报》挂靠单位中国科学院武汉岩土力学研究所朱耀仲所长发表了热情洋溢的讲话,并表示将一如继往地支持《学报》的工作。中国岩石力学与工程学会副理事长唐春安教授代表学会讲话,充分肯定了《学报》近两年来所取得的进步。会上表彰了2004～2005年度《学报》优秀审稿专家和2000～200…     

Design and Manufacture of GeSi/Si Superlattice Nanocrystalline Photodetector

According to Maxwell＇s theory, the optical transmission characteristics in GeSi/Si superlattice nanocrystalline layer have been analyzed and calculated. The calculated result shows that when the total thickness L is 340 nm, the single mode lightwave can be transmitted only at periodic number M≥15.5. In addition, at the direction of transmission, when the transmission distance is larger than 500 μm, the lightwave intensity is decreased greatly. Based on the above parameters, the design and manufacture of GeSi/Si superlattice nanocrystalline photodetector are carried out.