全文获取类型
收费全文 | 3247篇 |
免费 | 123篇 |
国内免费 | 147篇 |
专业分类
电工技术 | 28篇 |
综合类 | 175篇 |
化学工业 | 457篇 |
金属工艺 | 639篇 |
机械仪表 | 869篇 |
建筑科学 | 126篇 |
矿业工程 | 43篇 |
能源动力 | 19篇 |
轻工业 | 299篇 |
水利工程 | 3篇 |
石油天然气 | 24篇 |
武器工业 | 23篇 |
无线电 | 355篇 |
一般工业技术 | 250篇 |
冶金工业 | 123篇 |
原子能技术 | 12篇 |
自动化技术 | 72篇 |
出版年
2024年 | 26篇 |
2023年 | 73篇 |
2022年 | 83篇 |
2021年 | 97篇 |
2020年 | 85篇 |
2019年 | 87篇 |
2018年 | 52篇 |
2017年 | 70篇 |
2016年 | 69篇 |
2015年 | 80篇 |
2014年 | 165篇 |
2013年 | 149篇 |
2012年 | 151篇 |
2011年 | 152篇 |
2010年 | 152篇 |
2009年 | 184篇 |
2008年 | 197篇 |
2007年 | 192篇 |
2006年 | 176篇 |
2005年 | 172篇 |
2004年 | 143篇 |
2003年 | 118篇 |
2002年 | 111篇 |
2001年 | 99篇 |
2000年 | 70篇 |
1999年 | 66篇 |
1998年 | 67篇 |
1997年 | 63篇 |
1996年 | 56篇 |
1995年 | 56篇 |
1994年 | 37篇 |
1993年 | 45篇 |
1992年 | 45篇 |
1991年 | 40篇 |
1990年 | 41篇 |
1989年 | 44篇 |
1988年 | 3篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有3517条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
蓝宝石晶片纳米级超光滑表面加工技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文提出以蓝宝石塑性磨削和化学机械抛光为主要手段,以原子力显微镜为主要检测工具,来制备满足光电子领域要求的纳米级超光滑蓝宝石晶片的新方法。在高刚性磨床上,用W7的金刚石砂轮以f=1μm/r进给量,实现了蓝宝石晶片的浅损伤塑性域磨削。配制了以SiO2溶胶为抛光料的监宝石晶片专用抛光液,稳定地获得了无损伤层的RMS小于0.2nm的超光滑蓝宝石晶片表面。GaN外延生长所需蓝宝石晶片的合理抛光参数是:SiO2的粒子直径为7nm、浓度为3%、pH=11、压力P=200Pa。 相似文献
72.
本文利用扫描电镜发现大理石抛光表面存在有微米级的不同于大理石母材的变质层。进而利用透射电镜证明:该变质层是由非晶和微晶组成的。它的产生有助于提高大理石抛光表面的光泽度。 相似文献
73.
74.
75.
76.
对高抛光透射面的缺陷进行分类,构建基于图像识别技术的高抛光透射面缺陷检测系统模型,探讨高抛光透射面缺陷图谱分析的技术要点。针对在实际检测过程中出现的图像过曝光和低曝光问题,提出高抛光投射面图像获取时的图像过曝光或低曝光问题的解决办法。在matlba环境下进行图像数字化处理及特征提取,实现高抛光透射面缺陷图谱的计算机自动分析。大量的模拟和真实图像实验结果表明,所给出的方法具有求解精度高、鲁棒性强的优点,表明这些方法是可行的,具有一定的实用价值。 相似文献
77.
凸光学元件在磁流变抛光区域的几何特性对制造高精度、高表面完整性光学元件有重要影响,凸光学元件曲率、嵌入深度与角度的变化将引起磁流变抛光区域压力场的变化。为了研究凸光学元件不同的曲率、嵌入深度与嵌入角度下抛光区域的压力场,首先通过建立磁流变抛光过程中压力模型,对抛光区域的压力进行分析;其次基于Kahan数值方法建立了多场耦合积分的快速计算方法。最后,计算凸光学元件在不同曲率、嵌入深度及角度下得到磁流变抛光区域压力场分布,研究凸元件在磁流变抛光区域受几何特性影响的工艺规律;得出结论:在磁流变抛光过程中通过改变凸光学元件曲率、相同曲率下的嵌入深度以及角度的情况下,当加工凸元件曲率增大时,磁流变抛光区域压力场会随之增大;当凸元件曲率一定、嵌入深度逐渐变深时,磁流变抛光区域压力场会增大;当凸元件曲率一定、嵌入角度增加时,磁流变抛光区域压力场会随角度先增大再减小。 相似文献
78.
锑化铟是中波红外探测应用较广的材料。抛光片的表面粗糙度是影响器件性能的关键指标。研究了锑化铟化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)液的pH值、氧化剂比例以及抛光液流速对锑化铟抛光片表面粗糙度的影响,并结合原子力显微镜(Atomic Force Microscope, AFM)和表面轮廓仪测试对抛光片的表面粗糙度进行了表征和优化。结果表明,当pH值为8、氧化剂比例为0.75%、抛光液流速为200 L/min时,InSb晶片的表面粗糙度为1.05 nm (AFM),同时晶片的抛光宏观质量较好。 相似文献
79.
设计了一种适用于大长径比异形截面直通道孔腔抛光的振动抛光装置,分析了振动系统的幅频特性,了解了影响抛光装置振幅的主要参数。 相似文献
80.
PowerMILL是英国Delcam公司开发的面向通用加工的一款3~5轴高端CAM软件,目前在中国地区有超过2000家的用户在使用,全球有近40000家用户。它功能强大,易学易用,可快速、准确地产生能最大限度发挥CNC数控机床生产 相似文献