生长在GexSi1—x（001）衬底上应变GaAs层的光学性质

采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）衬底上的应变ＧａＡｓ层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率，讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬底合金组分Ｘ的变化关系，计算结果表明，对所有Ｘ值，ｆｈｃ＝０，ｆＨＣ，ｆＬＣ及ｆＳＣ随Ｘ的变小而变小，ｆＬｃ及ｆＳｃ随Ｘ的变小而变大。对ｎ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１），应变使Ｘｘｘｘｘ变小，对ｐ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）应     

经济高效多功能饲料添加剂——洛克沙生

经济高效多功能饲料添加剂──洛克沙生浙江省仙居县农业局（３１７３００）徐三元浙江黄岩荣耀化工厂（３１７４００）徐仁达，陈仁尔，陈卫星洛克沙生（Ｒｏｘａｒｓｏｎ）作为饲料添加剂具有促进畜禽生长，提高饲料利用率，防止球虫病和提高色素沉积等多种功效，作为有...     

Cu—Zn—Al合金贝氏体的三个生长阶段及其精细结构研究

利用透射镜研究了Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金贝氏体α１相在相变过程中的精细结构变化，发现贝氏体的生长经历三个阶段：初生态、中间态和退化态。初生贝氏体内不含层错亚结构，α１依台阶机制长大到一定程度后，内部出现层错；随转变进一步进行，α１内的层错结构逐渐消失，发生“过退火”，最终向平衡相转变。     

分子束外延低温生长GaAs缓冲层

<正>在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。然     

植物生长调节剂1—萘乙酸甲酯的合成与应用

1-萘乙酸甲酯是一种植物生长调节剂。它对马铃薯的萌芽有抑制作用;它能提高辣薄荷中薄荷油的含量及薄荷油中薄荷醇的含量,因而具有较高的经济价值和社会效益, 本文简要介绍了1-萘乙酸甲酯的性质,合成方法及反应条件。并对发展1-萘乙酸甲酯的生产提出看法。     

腐植酸植物生长刺激素中羧基和酚羟基的测定

本文提出了腐植酸植物生长刺激素中羧基和酚羟基的测试方法。该方法重复性好,其总酸性基测定的最大标准偏差为0.04mmol/g,变动系数为0.8％;羧基测定的最大标准偏差为0.04mmol/g;变动系数为2.1％。     

用MOCVD方法生长二氧化钛膜的研究

二氧化钛用MOCVD方法生长于硅衬底上，膜厚在0．1～1μm之间．本文考察了温度对生长速率的影响，其中生长速率与衬底温度和有机源的温度都成指数关系，并通过作图求出钛源的活化能Ea＝1．05eV．TEM测试结果表明，生成的二氧化钛是多晶膜，为锐钛矿结构．将样品作XPS分析，测试出Ti3+随氧气流量的增加而减少，进一步研究表明，二氧化钛是n型半导体，它的电阻率随钛三价离子的减少而增大．