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991.
马岩 《中国陶瓷》1993,(6):24-25
在改革开放的大好形势下,电器上所需要的陶瓷灭弧罩,出现了供不应求。为了扩大陶瓷灭弧罩的生产,我厂新投产了一条电隧道窑炉,经过3个多月的调试,现已正式投入生产使用,效果喜人,由过去用倒焰窑生产,月产值10万元左右,现猛增加到40万元以上,而且产品合格率也由原来的70%,提高到90%以上,增加了经济效益。下面是该窑的简介: 一、电隧道窑炉的结构额定功率1.20KW;烧成温度1300℃; 工作室尺寸24000×340×400(毫米)。该窑由三部分组成。第一部分包括窑体、窑车和回车线。第二部分是硅碳棒发热体和可控硅温度控制系统;第三部分是窑车无级  相似文献   
992.
对引进西德碳化硅棚板的消化吸收   总被引:1,自引:0,他引:1  
光明瓷厂从西德累德哈姆公司引进了一条隧道窑,包括全部窑具,为了使窑具实现国产化,进行了研制.经过近二年来的工作,达到了预期的目的,现在的窑具已经全部实现国产化.本文简要介绍了工艺生产流程,并从实际使用效果、经济成本分析及显微结构机理方面,比较了西德产品及国产产品的异同,尤其是通过显徽结构的分析,从理论上探讨了SiC质窑具的损坏机理,并提出了相应的解决措施.  相似文献   
993.
本文通过对工程陶瓷的断续与普通磨削试验,讨论了两种磨削方式的表面质量及影响因素,并对断续磨削的适用范围进行了分析。  相似文献   
994.
《中国陶瓷》2005,41(6):I0004-I0004
徐会全,字甘泉,号艺人云仙。61年7月出生,江西部昌徐家埠人。江西省骨干高级教师.具备国家一级美术师、陶艺家,江西省工艺美术学会会员,高岭国际陶艺学会会员。景德镇美术家协会会员。昌南书画院特聘高级画师。作品入编国家邮政发行的“21世纪中国著名书画家精品选”邮票,  相似文献   
995.
《景德镇陶瓷》2004,14(4):i012-i012
  相似文献   
996.
碳化硅陶瓷的性能与应用   总被引:2,自引:2,他引:2  
李缨  黄凤萍  梁振海 《陶瓷》2007,(5):36-41
详细的介绍了碳化硅原料的生产,碳化硅陶瓷的抗氧化、耐酸碱等化学性能,微观结构、色泽、热膨胀和导热系数、硬度、韧性等物理性能。并阐述了3种常用碳化硅陶瓷的致密化技术以及碳化硅在耐火材料、军事、航空航天、钢铁、电气和电工等工业部门的应用以及优越的性能和未来的应用前景。  相似文献   
997.
复合蓄热材料的研制与应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
以KAl(SO4)2·12H2O为相变材料,以多孔陶瓷为基体,采用熔融浸渍法制备了复合相变蓄热材料。此复合相变材料结合了潜热蓄热材料与显热蓄热材料的优点,并克服了无机盐相变材料相变过程无定型的缺点及陶瓷蓄热显热小的缺点。将自制的复合蓄热材料实际应用于咖啡壶加热设备中,实验结果表明加入复合蓄热材料后的咖啡壶每小时节能率达38.8%。  相似文献   
998.
涂翼报     
《景德镇陶瓷》2007,17(2):I0008-I0009
涂翼报 1957年8月出生,江西修水人。现为江西省工艺美术大师.享受省政府特殊津贴专家。景德镇陶瓷学院美术系毕业,就职于景德镇市陶瓷研究所.任副所长,高级工艺美术师。系中国工艺美术学会高级会员、中国工艺美术协会会员、中国陶瓷协会会员,江西省美术家协会会员、江西省工艺美术协会会员、江西省工艺美术系列高级职称评委、全国工艺美术优秀创作奖获得者、景德镇市专业技术拔尖人才、新世纪“百千万人才工程”人选、景德镇市陶艺委员会委员。  相似文献   
999.
澳洲锂辉石在陶瓷釉料中的应用   总被引:2,自引:2,他引:2  
王平 《中国陶瓷》2003,39(4):43-45
本文介绍了澳洲锂辉石的特性及其在陶瓷釉料中的作用、机理及使用方法,并对使用澳洲锂辉石所产生的经济效益进行了分析。  相似文献   
1000.
掺锰BaTiO3 PTCR陶瓷的电子顺磁共振研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
利用电子顺磁共振(EPR)方法对Mn掺杂的BaTiO3 PTCR陶瓷在120-450K的温度范围内进行了研究,研究结果表明:高自旋Mn^2 离子的6重谱线非常明显,表征谱线位置的g因子为2.009 9,Mn^2 离子信号弱弱与BaTiO3晶体结构密切相关,Mn^2 离子信号的温度分布呈U型,即在三方相和立方相时,信号强度较强,而在四方相和斜方相时信号很弱,这是因为在四方相和斜方相中,由于BaTiO3晶体结构的扭曲和畸变,导致Mn^2 和Vo空位缔合生成Mn^2 -Vo复合缺陷,未成对电子的消失以及复合缺陷n^2 -Vo的生成最Mn^2 在四方相和斜方相(200-380K)消失的主因,实验中没有发现Mn^3 和Mn^4 的信号,而与实验的环境条件一致,掺Mn后样品Curie点的漂移可能是Mn进入晶格的一个判据,此外,由于试样的n(Ba)/n(Ti)=1,因而没有发现钡空位VBa及其它的复合缺陷(如:VBa-Mn^2 ,Mn^3 -Vo,La^3 -Mn^3 等),Mn^2 离子等电子陷阱的生长是Curie温度处电阻骤然增加的主要原因。  相似文献   
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