深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

模拟信号的恢复及其误差研究

数模混合仿真中模拟信号的恢复及其误差对整个仿真过程具有重要影响。本文探讨了用零阶保持和一阶保持进行信号恢复的方法，比较了它们的误差及工作特点。特别指出了一阶保持中，由于存在积分器复原时间及数字机操作时间的影响而会带来附加的误差，因此一阶保持方法较难达到其理论的精度。     

动力载波控制接收机限幅干扰分析

通过对载波接收机限幅干扰分析 ,提出电路改进的办法。     

有机极化聚合物材料及电光调制器件

有机极化聚合物材料是一类新型的功能高分子材料，在光电子及集成光学方面具有诱人的应用前景，其电光调制器件已接近实用化，本文综述了有机极化聚合物材料，极化聚合物体系及电光调制器件的研究进展，并指出它们存在的问题和发展方向。     

多进制数字调相系统分析与设计方法的探讨

对数字通信中MPSK系统的调制与解调问题进行了较为的分析，并以8PSK和循环码16PSK系统为例，阐述其调制器电路的逻辑设计方法。在此基础上给出了8PSK系统调制与解调的一种方案，讨论了循环码和自然二进制码16PSK系统的调制器的具体设计过程，该设计方法可应用于一般MPSK系统的逻辑设计。     

CMS/TiO2杂化材料电流变液的制备及其性能

利用特殊的溶胶凝胶方法原位制备了改性淀粉与无机钛氧化物杂化型电流变材料。实验表明,在强电场下其电流变效应比相同组份的淀粉、二氧化钛混合型电流变液有显著提高,直流电场4 kV/mm,剪切速率5 s-1时,静态剪切屈服强度可达4000 Pa以上。同时,抗沉降性明显改善,静置100 h几乎不沉淀。此外,温度效应也获得一定的优化,在10 ℃~90 ℃的工作温度范围内力学性能保持良好,70 ℃时剪切强度达到最大值。     

一种语音混沌保密通信方案的研究与硬件实现

在硬件实验研究的基础上，建立一种环形蔡氏电路，提出用环蔡氏电路实现语音混沌保密通信的一种闭环逆系统方案，其特点是利用环形蔡氏电路的单向耦合原理，通过反馈的方法形成一个包括有用信号在内的极联闭合环路，从而实现改善端与接收端之间混沌系统的严格同步而不受有用信息调制的影响。理论分析与硬件实验结果证明，该方案同现有的其它混沌通信方案相比较，具有非线性失真小、保真度高的优点，完全能够满足传送语音信号的要求。     

CCD相机调制传递函数的测试原理分析

对于CCD相机的空间分辨率特性,通常用调制传递函数来表征.基于调制传递函数理论分析值与具体的实验测试值存在差别,分别对分辨率板在焦平面所成的像与CCD像元之间的偏移量和积分时间内被摄物体与相机的相对运动产生的像移对相机调制传递函数的影响进行了分析.讨论了调制传递函数与对比调制传递函数之间的联系和区别.     

宽带线性调频信号产主技术研究

本文介绍了采用数字基带产生结合倍频链扩展带宽的方法设计与实现了大带宽线性调频信号产生系统。详细分析研究了实现系统的三项关键技术，给出并分析了相应环节的输出信号。对系统进行了预失真补偿处理，成功实现了ＶＨＦ／ＵＨＦ波段、带宽达３００ＭＨｚ线性调频信号的产生。经脉冲压缩处理，主瓣旁瓣比（ＰＳ１Ｒ）在－３７ｄＢ以下。     

A novel compact circuit for 4-PAM energy-efficient high speed interconnect data transmission and reception

Transmission of signals, whether on-chip or off-chip, places severe constraints on timing and extracts a large price in energy. New silicon device technologies, such as back-plane CMOS, provide a programmable and adaptable threshold voltage as an additional tool that can be used for low power design. We show that one particularly desirable use of this freedom is energy-efficient high-speed transmission across long interconnects using multi-valued encoding. Our multi-valued CMOS circuits take advantage of the threshold voltage control of the transistors, by using the signal-voltage-to-threshold-voltage span, in order to make area-efficient implementations of 4-PAM (pulse amplitude modulation) transceivers operating at high speed. In a comparison of a variety of published technologies, for signal transmission with interconnects of 10-15 mm length, we show up to 50% improvement in energy for on-chip signal transmission over binary encoding together with higher limits for operating speeds without a penalty in circuit noise margin.