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41.
测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱,并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异常增强特性。 相似文献
42.
报道了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱pin结构在不同温度下的光荧光谱,观察到宽阱与窄阱重空穴激子峰荧光强度随温度上升而较快下降的不同变化关系,结果表明窄阱电子的热发射是导致窄阱光荧光强度随温度上升而较快下降的主要原因。同时观测到宽阱轻空穴激子峰强度特环的温度依赖关系,并分析了其物理机制。 相似文献
43.
磁场和库仑场对量子点中强耦合束缚极化子性质的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用线性组合算符和幺正变换方法研究了磁场和库仑场对半导体量子点中强耦合极化子性质的影响.导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量与量子点的有效受限长度、库仑束缚势、磁场的回旋共振频率和电子-声子耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的回旋共振频率的增加而增大.基态能量随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而减少. 相似文献
44.
45.
46.
The photonic quantum ring (PQR) laser is a three dimensional whispering gallery (WG) mode laser and has anomalous quantum wire properties, such as microampere to nanoampere range threshold currents and √T‐dependent thermal red shifts. We observed uniform bottom emissions from a 1‐kb smart pixel chip of a 32×32 InGaAs PQR laser array flip‐chip bonded to a 0.35 µm CMOS‐based PQR laser driver. The PQR‐CMOS smart pixel array, now operating at 30 MHz, will be improved to the GHz frequency range through device and circuit optimization. 相似文献
47.
48.
The optical emission characteristics of biaxially compressed InAs
x
P1−
x
/InP strained single quantum well (QW) structures, with nominal compositionx=0.67, have been investigated using photoluminescence (PL) and photoluminescence excitation (PLE) spectroscopies. The highly
strained QWs exhibit intense and narrow PL in the 0.9–1.5 μm wavelength range, similar to the lattice-matched InGaAs(P)/InP
system. The 20 K PLE spectra exhibit well-resolved features attributed ton=1 heavy hole (E1H1) and light hole (E1L1) transitions in the 1.0–1.5 μm wavelength range. In addition, features attributed
to transitions betweenn=2 electrons and heavy holes (E2H2), and betweenn=1 electrons and unconfined holes (E1Hf), were observed. The energy splitting between the heavy-hole and light-hole bands
was found to be a sensitive measure of the band offsets in the system. The best prediction of this splitting was obtained
for a valence band offset of δE
V
∼0.25δE
G
. This value of band offset was in agreement with the energy position of the E1Hf transition. The observed transition energies
were also compared with the results of a finite square well model, taking into account the effects of strain, and the results
offer further support for the band offset assignment. This study indicates that the InAsP system may be advantageous for application
in strained-layer optoelectronic devices operating in the 1.3–1.6 μm wavelength range. 相似文献
49.
50.