BP神经网络在致密砂岩储层识别中的应用

川西须家河组地层岩性复杂,属于超致密低孔渗储层,所以储层识别是该地层天然气勘探中所面临的关键问题和难点之一。针对常规储层识别准确率不高的状况,提出利用BP神经网络进行储层的气水干层识别,利用模糊聚类和产层测试结果标定建模样本,采取随机抽样形成建模集与测试集,建立BP神经网络模型对23口井的储层进行气水干层预测,正确率达77.9%以上,明显提高了该地区的测井解释精度,并提供了一种准确率较高的储层预测方法。     

钌基厚膜电阻传导模型初探

介绍钌基厚膜电阻的三种传导模型。三种模型都可以得到较满意的R—V曲线，不足处是链模型得出电阻率和导电相粒子形状及尺寸的关系和实验事实不符；有效介质模型不能反映厚膜电阻形成过程中众多因素的影响；渗透模型很多参数的获得有赖经验公式。渗透模型能反映烧结过程中更多因素的影响，并可解释方阻与导电相粒度及峰值温度的变化关系。     

0-3型(Ba1-x-ySrxPby)(Mn,Ti)O3铁电厚膜的制备与表征

铁电纳米超细粉体的合成与分散技术是成功制备0-3型铁电厚膜的关键和难点之一。采用Sol-Gel技术可制备呈球形软团聚、钙钛矿相结构完整的30nm～70nm MPBST超细粉体，以及致密无裂纹、表面光洁和铁电性能优良(Pr=3．8μC／cm^2)的0-3型铁电厚膜。通过TEM、XRD、TGA-DTA、AFM等手段分析了Sol-Gel工艺的化学机制和热演化历程，结果表明：采用以乙二醇乙醚为主要溶剂的Sol-Gel技术可降低MPBST粉体／厚膜的合成温度,提高粉体均匀性和晶相结构单一性。     

厚试样层析图像重构的研究

从激光在厚试样中入射和受激发荧光在试样中出射时光能的吸收与散射损耗的基本原理获得了光学系统接收荧光的归一化光强表达式。给出了迭代法、ＦＦＴ方法的数学模型，进行了计算模拟，并分析比较了ＦＦＴ方法和迭代法的计算量和计算精度。给出了用ＦＦＴ法层析恢复后的图像     

脉冲激光淀积高电流密度的YBCO超导带材

采用脉冲激光加辅助离子源的方法在长为６．０ｃｍ的ＮｉＣｒ合金基带上制备０．１３μｍ厚的Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）隔离层，再用脉冲激光在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ带上制备１．５μｍ厚的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导厚膜形成ＹＢＣＯ／ＹＳＺ／ＮｉＣｒ超导带材。实验测得在７７Ｋ，０Ｔｅｓｌａ下其临界电流密度为８．７５×１０４Ａ／ｃｍ２，超导转变温度为８８．６Ｋ。     

砂岩Holmquist-Johnson-Cook模型参数确定

HJC模型在混凝土动态破坏数值模拟中应用广泛,但由于模型中包含参数较多,确定参数需要大量实验,目前缺乏准确可信的岩石材料HJC模型参数。为合理确定砂岩HJC模型参数,对取自四川威远的粉砂岩进行相关静力学实验,获得岩石的弹性模量、泊松比、单轴抗压强度以及抗拉强度等参数。应用三轴压缩实验和单轴SHPB冲击实验,分别得到了该砂岩极限面参数、率效应参数、压力参数和损伤模型参数的取值。基于上述模型参数利用有限元程序LS-DYNA对粉砂岩SHPB冲击实验进行数值模拟,结果表明,实验和模拟的应力-应变曲线形态吻合较好,模拟得到的动态峰值强度和峰值应变与实验结果的平均误差均未超过10%,验证了该HJC模型参数实验测定方法的合理性和有效性。     

用于多种组装技术的厚膜导体复合结构

厚膜导体Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ、Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｕ／Ａｕ平面复合结构，Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ立体复合结构可使多种组装技术相互兼容。立体复合结构还可有效地降低导体线电阻，减少线损耗。而且，其超声键合性尤佳     

空气中烧成的镍导体及其应用

将空气中烧成的镍导体用于散热制冷片制作工艺中，可降低成本，提高合格率。通过实验得到的最佳值为：镍导体中４号玻璃（ＳｉＯ２＞３０，Ｂ２Ｏ３＞１０，ＰｂＯ＜５５，ＴｉＯ２少许）的含量４．５％，化学镀镍时间５０ｍｉｎ，方阻４７．５ｍΩ／□，附着力８．１Ｎ／ｍｍ２。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的绿色薄膜电致发光器件

首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ∶Ｅｒ作发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ∶Ｅｒ）／透明电极（ＺｎＯ∶Ａｌ）。发光层是用电子束蒸发制备的,透明电极是采用溅射法制备的。器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,研究了器件的亮度－电压和效率－电压等特性。     

Solid Solvation Assisted Electrical Doping Conserves High-Performance in 500 nm Active Layer Organic Solar Cells

Organic solar cells (OSCs) process fascinating solution-printing capability to achieve low-cost and large-scale manufacture. However, the rapid power conversion efficiency (PCE) decay with active layer thickness enlargement inhibits the implement of OSCs’ potential advantages. To overcome the bottlenecks of PCE decay in thick active layer OSCs, the electrical doping with componential selectivity in bulk heterojunction (BHJ) film is achieved by introducing a solid solvation additive. Benefiting from the higher exciton splitting efficiency together with the longer drift (L_dr) and diffusion (L_diff) lengths, an OSC with 100 nm BHJ film demonstrates a PCE increment from 16.44% to 18.24% with prolonged dark and illuminated storage stabilities. Applying the solid solvation assisted (SSA) doping method in the OSCs with 500 nm active layer, the PCE significantly increases by 31.9%, from the original value of 11.79% to 15.55%. It further improves to 15.84% in a ternary blend thick-film device, which is the record value to the best of our knowledge. Besides, the SSA doping narrows the PCE gap between the 0.04 and 1 cm² devices. All improvements demonstrate the great potential of SSA doping for OSC commercial manufacture, since it optimizes the photovoltaic performance under all practical conditions of long-term, thick-film, and large-area.