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991.
章昊  陈秀珍 《供用电》2002,19(4):32-33
本文主要介绍 Auto CAD在继电保护专业图纸绘制中的应用 ,包括二次元件库的建立、工具条的建立 ,对 Auto CAD软件的二次开发  相似文献   
992.
993.
《中国建材》2003,(12):8-11
张人为会长,雷前治、邹传胜、孙向远、徐永模、宋志平、谭仲明、张毅、郭文叁、王惠文、刘志江、姚燕、周祖德副会长,叶向阳副书记,陈国庆秘书长出席会议,宋志平主持会议。  相似文献   
994.
995.
夏长久 《中国塑料》1994,8(4):71-72
本文系统介绍了采用德国巴登菲尔德·菲歇尔公司许可证技术转让方式生产的SCJ系列大型吹塑机的最新技术特点。  相似文献   
996.
曹春生  梁青等 《微电机》2002,35(3):46-47
MOTOROLA公司生产的SAA1042芯片用来控制并驱动二相步进电机,文中对其主要特点,引脚功能,技术指标,典型应用等作了介绍。  相似文献   
997.
炼铁厂中和场工段二次料场共有3个堆场,分别叫A、B、C堆场,其中A堆场长450米、B堆场长400米,C堆场长320米,共有4台取料机,其中C堆场2台,一起供应二烧工段280m^2烧结机、三烧工段130m^2、180m^2。  相似文献   
998.
999.
1000.
CdTe/GaAs是HgCdTe分子束外延的重要替代衬底材料。用X双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的CdTe(211)B/GaAs(211)B的晶体结构质量,表明外延膜晶体结构完整,具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性,观察到CdTe(211)B相对于GaAs(211)B向着[111]方向倾斜一个小角度(约3°),界面的四面体键网发生扭曲,由于晶格失配,在界面存在很高的失配位错密度。用二次离子质谱分析仪分析了GaAs衬底中的Ga和As向CdTe外扩散的情况。结果表明:如果要在GaAs衬底上生长HgCdTe外延膜,必须先生长一层具有一定厚度的CdTe来阻止Ga和As向HgCdTe的外扩散和失配位错的延伸。  相似文献   
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