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51.
陶瓷及陶瓷基复合材料微缺陷的超声检测   总被引:4,自引:0,他引:4  
为研究陶瓷及陶瓷基复合材料微缺陷的超声检测能力,针对一些人工缺陷试样进行了超声检测试验。试验主要采用了纵波垂直入射法和泄漏瑞利波法。通过试验结果,比较了两种方法的检测能力。  相似文献   
52.
硫化氢是造成炼油厂设备腐蚀最活跃的硫化合物。原油开采出来时伴有水分.这些水分含有NaCl、CaCl2、MgCl2等盐类.在炼制过程中,很容易受热水解生成腐蚀性很强的HCI2原油中的硫化物则分解成H2S.就会形成HCl—H2S和H2O的湿硫化氢腐蚀环境。  相似文献   
53.
采用溶剂热法制备了硅基介孔分子筛材料,较系统地考察了晶化温度、晶化时间及焙烧温度等因素对其结构的影响,并利用N2吸附手段进行了表征.结果表明,晶化温度和晶化时间能明显影响硅基介孔材料的结构,而过高的焙烧温度易导致介孔结构的塌陷.  相似文献   
54.
MD膜驱剂的粘土稳定性研究Ⅰ.静态试验   总被引:1,自引:0,他引:1  
粘土的膨胀和分散是引起地层伤害的两个重要因素。通过测定Zeta电位、XRD、悬浮液透光率、FT-IR考察了MD膜驱剂(MDFFA)对粘土稳定性的作用。结果表明,MDFFA的浓度低于0.3 mmol/g(以蒙脱土质量计)时,蒙脱土悬浮液Zeta电位的提高是由于膜驱剂分子的吸附改变了蒙脱土的层电荷;高于此浓度时,Zeta电位进一步提高是由于双电层的压缩。随着MDFFA浓度的增大,蒙脱土的完全膨胀层向部分膨胀层转化,并且经水冲洗、浸泡后,其XRD谱峰位置变化不大。较高浓度的MDFFA,能有效地抑制蒙脱土的分散,且不会形成对地层有害的絮凝体。MDFFA使蒙脱土层间水的含量明显降低。  相似文献   
55.
重整生成油选择性加氢脱烯烃 Pd基催化剂的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
 研究了负载在Al2O3载体上的贵金属钯(Pd)基催化剂在重整生成油选择性加氢脱烯烃反应中的性能。在高压微反装置上,采用环己烯、甲苯和正庚烷的混合物为模拟油来评价筛选催化剂,并对不同工业原料油进行加氢试验。结果表明,在现有工业上常用的工艺条件下,采用Pd/Al2O3催化剂进行重整生成油全馏分的选择性加氢,不能满足产品质量要求。其原因是高沸点馏分强吸附在催化剂表面,从而导致催化剂失活。在适宜的工艺条件下,采用Pd/Al2O3催化剂进行连续重整汽油BTX 馏分选择性加氢脱烯烃,可以使加氢汽油满足芳烃抽提进料的质量要求。添加助剂对Pd/Al2O3催化剂进行改进,可以大大提高催化剂的稳定性。改进后的双金属Pd基催化剂(Pd+M/Al2O3)可用于不同原料的重整生成油(苯(C6)馏分、BTX(C6~C9)馏分、全馏分)的选择性加氢脱烯烃反应。加氢反应产物的溴价小于200mgBr/100g,芳烃损失小于0.5%(质量分数),且在重整生成油全馏分的选择性加氢过程中该催化剂表现出好的稳定性。  相似文献   
56.
为了便于开采和集输环烷基原油,需要在其中混入一定量的石蜡基原油。加工环烷基原油的轻质和中质润滑油产品低温性能对石蜡基原油的混入非常敏感。为了保持产品的低温性能,对按不同比例混入石蜡原油的环烷基原油的影响程度进行了实验,对不同比例的混合油进行实沸点蒸馏得到的轻质和中质馏分的物理性质进行了测试分析,确定了混入量对环烷基原油产品的影响程度。  相似文献   
57.
国内外动态     
天然气合成油发展展望 天然气合成油(GTL)生产的产品可按不同产品模式改变。采用低温和/或无加氢裂化模式,主要生产石蜡、润滑油和柴油产品;而采用较高温度和/或缓和加氢裂化模式,使润滑油和石蜡转化,可增产柴油、直链石蜡基石脑油和LPG。石蜡和润滑油生产范围可从0~30%,柴油可从50%~80%,轻质产品可高达25%。表1列出了现有和近期建设的工业规模GTL装置。  相似文献   
58.
砂基上沉管桥基础的设计和施工   总被引:1,自引:0,他引:1  
对冲积平原区砂基上农桥基础,设计和施工采用混凝土预制管沉管进行了阐述.沉管基础施工简便,节省投资,同时满足季节性冻土区抗冻、稳定等方面要求.  相似文献   
59.
《五金科技》2006,(5):F0002-F0002,I0001
中国日用五金行业专家委员会五届一次会议于2006年9月27-29日在沈阳凤凰饭店隆重召开。来自全国各地包括香港地区的九十余位专家委员出席了会议。  相似文献   
60.
一种基于Normal基椭圆曲线密码芯片的设计   总被引:3,自引:3,他引:0  
文章设计了一款椭圆曲线密码芯片。实现了GF(2^233)域上normal基椭圆曲线数字签名和认证。并支持椭圆曲线参数的用户配置。在VLSI的实现上,提出了一种新的可支持GF(2^233)域和GF(p)域并行运算的normal基椭圆曲线VLSI架构。其架构解决了以往GF(p)CA算迟后于GF(2^233)域运算的问题,从而提高了整个芯片的运算吞吐率。基于SMIC 0.18μm最坏的工艺,综合后关键路径最大时延3.8ns,面积18mm^2;考虑布局布线的影响,芯片的典型的情况下,每秒可实现8000次签名或4500次认证。  相似文献   
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