晶格形变能对GaAS—InAs固溶体溶解度的影响

由Ｇａ－Ｉｎ－Ａｓ三元系的热力学分析结果，计算了ＧａＡｓ－ＩｎＡｓ赝二元系相图，讨论了由外延法生成这类化合物时，外延产物发生的晶格弹性形变对ＧａＡｓ和ＩｎＡｓ互溶度的影响。计算结果表明，晶格弹性形变有使溶解度间隙区缩小，甚至消失的效应。     

新型后坐加速度开关阵列传感器

分析了国外后坐加速度传感器发展动向。介绍了新型后坐加速度开关阵列传感器的结构、原理、参数选择和性能设计。给出了原理性静态、动态试验结果，以证明新方案的可行性。最后指出了这种新型结构的传感器所具有的特点。     

薄膜单晶硅有源矩阵液晶显示器

从分析有源矩阵液晶显示器的发展形势出发，着重介绍了薄膜单晶硅有源矩阵液晶显示器的优势和和制作过程，指出这种显示器目前有投影显示和小尺寸显示方面有较好的市场前景。     

采用石英和多晶ZnSe电子束控制的晶体开关

本文介绍了利用石英晶体和多晶体ＺｎＳｅ硒化锌作开关试样的电子束控制开关的实验结果，上述两种材料的开关阻抗会因电子束激励急剧下降，石英晶体在电流控制下具有很快的瞬变响应和潜在的适应性；而ＺｎＳｅ则在电子束激励后，开关阻抗随着时间呈指数增长，相应的电流变化过程约１０ｎｓ数量级。     

电晕放电注入双向拉伸聚丙烯薄膜驻极性能的探讨

以一种双向拉伸聚丙烯（ＢＯＰＰ）薄膜在不同温度下进行恒温处理，然后进行负电晕驻极。结果表明，ＢＯＰＰ薄膜随恒温处理的温度升高，热刺激电流（ＴＳＣ）峰值愈低。利用经验方法，估算了它们的活化能，并探讨了导致ＴＳＣ峰温变化的原因。     

ITO薄膜产业化进程概述

１ＩＴＯ薄膜发展概况氧化铟锡（Ｉｎｄｉｕｍ－Ｔｉｎ－Ｑｘｉｄｅ）或掺锡氧化铟（Ｔｉｎ－ｄｏｐｅｄＩｎｄｉｕｍＯｘｉｄｅ）薄膜是一种重掺杂、高简并ｎ型半导体，简称ＩＴＯ薄膜。目前，ＩＴＯ薄膜的电子密度ｎｅ可高达１０２１／ｃｍ３，电子迁移率μｅ在１５～４...     

新的液体纸容器—普罗比特

普罗比特是一种简单地将纸弯曲,然后将液体注入其中的小型容器。牛奶容器的代表性大型纸容器是角形容器。普罗比特在外形上和它完全不同。在图案方面当然考虑多样化,但一般主要还是瓶状。 瑞士考虑的出发点是以处理废弃物引起的公害为目标。原料中纸张占了90％以上,因为是铝箔、聚乙烯的分层品,废弃物可作为垃圾燃烧处理。聚乙烯也因只有70μ,燃烧后温度不升高。不产生有害气体,最适于废弃物处理。