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21.
利用SIMS和变温霍尔测量手段对P型Hg0.77Gd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究。结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的,掺杂后,P型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小,从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定。 相似文献
22.
氢化物发生进样方法,是利用某些能产生初生态的还原剂或者化学反应,将样品溶液中的分析元素还原为挥发性共价氢化物,然后借助载气流将其导入原子光谱分析系统进行测量的方式。将氢化物发生和原子荧光联用,已成为上世纪80年代以来在我国发展较快的一种新的痕量分析技术,该文建立以硼氢化钾作为还原剂气动进样原子荧光法测定环境地表水中的砷和汞,灵敏度和准确度高,误差小,操作简单,可以满足水文系统水质监测的需要。 相似文献
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26.
介绍了一种非接触式用于测量少子寿命的微波反射法,并与通常的光电导衰退法进行了比较。 相似文献
27.
布里兹曼法碲镉汞(Hg1—xCdxTe)晶体生长过程热场的数值分析 总被引:3,自引:3,他引:0
用控制容积法对布里兹曼碲镉汞(Hg1-xCdxTe)晶体生长过程热场分布进行了计算。介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理,并对所得结果进行了分析。虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情况错综复杂,但从本文的研究结果中仍可看出一些明显的规律,可供从事该方面研究工作时参考。 相似文献
28.
29.
随着碲镉汞红外器件的小型化、高品质化和性能的提高,对原材料的纯度、器件工艺质量控制方法提出了更高的要求。就分析方法而言,不仅要求有高的定量分析精度,同时要求分析方法对杂质元素的分析范围广(多元素分析)、元素的探测灵敏度高。对器件工艺控制分析来说,除了基体元素成分、杂质元素的定量分析外,还要求分析方法能在横向和纵向分析,并有相当的空间分辨率。就上述要求给出了碲镉汞材料提纯、CMT(碲镉汞,Cd(?)Hg(?)Te)晶体生长及器件工艺控制分析的主要分析技术方法、特点及其进展。讨论了基体元素定量分析的精度,痕量元素定量分析的能力、灵敏度及其进行深度剖面分析的深度分辨率。 相似文献
30.
本研究的目的在于实现8~12μmHgCdTe晶体的商品化。文中介绍了其生长工艺和性能检测,用付里叶红外光谱仪测得标准组分偏差△=0.004,测得原生晶体的空穴浓度可低达7.03×1016/cm3热处理后,晶体的Nn和μn分别为3.4~5.7×1014/cm3和(2.06~2.29)×105cm2/v.s用以上材料制成24元至160元光导红外探测器阵列及32元至64元光伏红外探测器阵列,其实验数据表明所研制的晶体均能满足不同应用之需要。 相似文献