碲镉汞薄膜少子寿命测试研究

碲镉汞(HgCdTe)材料的少子寿命是影响碲镉汞红外探测器性能的重要参数。分别采用微波光电导衰减(Microwave Photoconductivity Decay, μ-PCD)法和微波探测光电导(Microwave Detected Photoconductivity, MDP)法对HgCdTe薄膜的少子寿命进行了研究。结果表明,随着激光功率的增强,样品的少子寿命降低;由于载流子复合机制的变化,HgCdTe薄膜的少子寿命随温度的增加有先增后减的趋势。通过HgCdTe薄膜少子寿命面分布可以得出样品不同区域的载流子浓度分布与均匀性。对于HgCdTe薄膜材料来说,以上两种测试结果的面分布状况相近。     

汞的危害及利用冷原子吸收法测定粮食中汞的残留量应注意的几个问题

汞是一种对人体有害的物质。汞和大多数汞化合物极易挥发,并且易被容器内壁吸附。因此,在测定中要特别小心谨慎,注意避免各种因素的影响,保证测定结果的准确性。     

垃圾渗滤液中As和Hg的非色散原子荧光光谱法测定

建立了垃圾渗滤液中As和Hg的流动注射蒸气体发生-非色散原子荧光光谱法的测定方法。采用硝酸-过氧化氢体系、在低温下消化处理样品;硫脲-抗坏血酸将As(V）还原后测定样品中的总As;Hg的测定用Hg蒸气发生原子荧光光谱法。在优化实验条件下测得As和Hg的检出限分别为0.08和0.07ngml^-1,十次测定的差异系数分别为0.48%和0.85%（相对于8.0ngml^-2As和1.0ngml^-1Hg标准溶液）。蒸气发生的最佳条件为：KBH40.5%(KOH0.5%）,流速10.0mlmin^-1;测定As和Hg的样品酸度为10%HC1,流速4.2mlmin^-1。对基体NaC1,MgC12,Cac12,Na2SO4,NaF以及微量共存金属离子（Cd,Se,Zn,Pb,Cu,Fe,Mn,A1）的干扰实现结果表明,共存基体和微量共存金属离子对As和Hg的测定没有干扰。用标准校正曲线和标准加入法对样品测定结果进行了比较,结果吻合较好。该方法已应用于城市垃圾渗滤液As和Hg的测定以及城市污水处理工艺过程中As和Hg的监控。     

无汞锌锰糊式电池的研发及产业化

以硼化合物与季胺盐形成复合型缓蚀剂,取代传统的有毒、有害缓蚀剂———HgCl2。以MgCl2和NH4Cl为主,辅以少量ZnCl2,组成新的三组分电解液体系,取代传统的ZnCl2和NH4Cl两组分电解液体系。电池内含汞量低于无汞电池1×10-4%的要求,达到国家有关部门的要求。复合型缓蚀剂的缓蚀效果和电池的性能均达到GB8897.2-2005标准要求。电池厂采用该技术已生产上亿只R20和R14型糊式电池;该技术在行业内具推广前景、良好的环保和社会效益。     

国内碱锰电池用无汞锌粉的发展动态

从有害杂质、合金成分等化学组份,形貌、粒度分布、松装密度等物理性能方面,阐述了国产碱性锌锰电池用无汞锌粉近几年的技术进步;分析了国内无汞锌粉的市场现状和发展趋势;探讨了我国无汞锌粉工业存在的主要问题,我国无汞锌粉工业的崛起推动了碱锰电池产业的发展,同时,一定程度的盲目发展也面临着新的市场挑战;今后低铟锌粉将在市场中占主导地位。     

无汞金卤灯

介绍了一种无汞金属卤化物灯,该金卤灯中的常用缓冲气体———汞蒸汽为另一种中性气体硒蒸汽取代,讨论了灯的结构及放电光谱。     

燃煤电站汞排放分布及控制研究的进展

综述了燃煤电站汞排放分布及其控制领域的研究现状。燃煤过程汞各种形态的分布规律可通过多种测量方法获得,理论上可应用平衡热力学以及化学反应动力学来估算烟气、灰渣中汞的分布。平衡热力学的计算结果揭示了各种形态汞形成的基本反应途径,能粗略估计系统在某一平衡态的主要产物分布;而反应动力学应用一系列均相氧化反应和多相反应原理,可描述系统内化合物的生成与反应速度,因而更加接近实际。目前有多种在研的汞控制技术,煤的清洁技术,常规污染物控制技术,如湿法洗涤和烟气中喷入活性炭吸附剂方式等较有发展潜力,但现在还没有一种适用性强的技术可广泛推广,最终汞脱除技术的发展须依赖于理论上的突破。     

碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究

大面积、高质量碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,而腐蚀法是常用的揭示碲锌镉晶体缺陷和评价晶体质量的方法之一。对碲锌镉晶体常用的Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种腐蚀剂在碲锌镉材料（111）晶面上的腐蚀坑坑形进行了研究,结果发现,EAg2腐蚀剂在（111）B面上的腐蚀坑为平底坑,Everson腐蚀剂在 (111)B面上产生的腐蚀坑包括平底坑和带有不同倾斜方向坑底的三角锥形坑,进一步的研究还表明,三角锥形坑并未沿着坑底的倾斜方向向下延伸。实验中也首次观察到了EAg腐蚀剂的黑白平底坑。对常用腐蚀剂的坑形特性研究,将有助于更好地利用腐蚀剂开展碲锌镉材料缺陷研究和晶体质量评价工作。     

银基汞膜微电极测定痕量亚硝酸根的研究

基于甲基橙亚硝化产物在银基汞膜电极上的吸附行为,提出了一种测定痕量亚硝酸根的新方法。该法在0.5 mol/L H2SO4介质中,甲基橙与NO2-的亚硝化反应产物在银基汞膜电极上于-0.262 V(vs.SCE)处可获得灵敏的吸附波。其二阶导数峰值与亚硝酸根浓度在1.4×10-9~8.6×10-7mol/L范围内成正比,检出限为8.0×10-10mol/L。利用该法测定了水样中的亚硝酸根,结果令人满意。并研究了吸附溶出波行为及反应机理。