利用静电学和测量数据对碳纳米管膜场致发射规律的定量分析

碳纳米管膜的场致发射电流密度仅由它表面的宏观电场决定，无论其表面形状是平的还是半球状的。对于理想的平行板电极系统，其表面电场强度均匀（UId），发射电流密度、总电流与发射面积成正比：对于半球一平面电极系统半球形的阴极存在一个宏观场增强因子ks，一个与两极距离和球半径之比（d/r）相关的函数，其表面的平均场强为ks U/d。对于d/r=0，ks=1，d≥r的情况，ks接近于常数。对于10〈d／r〈100的情况，存在一个经验的表达式：ks=1＋0．15d/s=0．005（d／r）^2。在引入ks后，不同作者给出的平面电极系统和半球一平面电极系统碳纳米管膜的场致发射电流I与宏观表面电场强度E的关系都可以近似用-经验公式描述：I=a（E-Eo）^b，a，b为常数。该经验公式可为稳定生产的CNT膜片应用产品设计提供方便。     

用AFM导电探针在n-Si(111)表面进行纳米加工的机理研究

本文介绍了在AFM针尖与氢钝化硅表面之间施加电场作用对硅表面进行修饰的纳米加工方法，重点讨论了加工机理。实验考虑了样品的表面状态，周围大气状况，所加电压的极性、大小和加压方式等影响纳米加工的因素。对机理的研究表明，针尖和样品之间发生的是场致电子发射而非热电子发射，电流热效应增强粒子的扩散能力，提高了电化学反应速度。最后给出了电场诱导阳极氧化扩散增强的加工机理。     

碳纳米管的场发射特性

研究了碳纳米管的场致发射特性，实验证明碳纳米管作为场发射阴极材料具有优越性。通过对碳纳米管进行温度处理，得到了与基片附着力强的碳纳米管；测试了场发射特性，发现碳纳米管其开启电压较低(30V)。     

阵列天线的源场测试法

本文论述了基于源场法的阵列天线测试原理，给出了用该方法下的测试结果和远场法的测试结果，并对这两种方法测得的结果进行了简要分析。     

麻柳场嘉二3储层酸化工艺室内实验研究

储层酸化改造是低渗碳酸盐岩油气藏增产的主要措施之一。由于储层性质不同，改造方案的实施效果差异较大。对麻柳场嘉二^3储层酸化工艺室内实验研究和现场实践发现，胶束酸多级注入酸化-闭合酸化工艺对川南麻柳场嘉陵江组的储层改造行之有效。     

多分量波场的矢量法叠前深度偏移技术

本文研究了二维各向同性介质中两分量记录的矢量法叠前深度偏移方法———叠前逆时深度偏移方法。首先从弹性波波动方程出发,在交错网格空间中推导了各向同性介质中弹性波逆时延拓的高阶有限差分格式;然后从程函方程出发,采用逆时差分格式求解地下各点的地震波走时。为确保算法满足地震波传播的因果性条件及其对复杂模型的适应性,用扩展波阵面算法追踪波前并搜索全局极小,以上述方法的计算结果作为弹性波逆时偏移的成像条件,实现二维多分量资料的叠前逆时深度偏移。模型试算和实际单炮记录试验表明,叠前逆时深度偏移方法考虑了地震波的矢量特征,是一种有效的矢量波场处理技术。     

弹性波衍射CT

本文直接从等价于弹性动力学Ｎａｖｉｅｒ方程的耦合齐次与非齐次矢量波动方程组出发，围绕弹性波衍射ＣＴ展开了理论研究，尤其是其非齐次方程含有震源项，同时适合Ｐ波和Ｓ波，考虑爆炸震源，引进塑性半径，运用张量运算，推导了Ｂｏｒｎ近似下散射波谱与目标函关系，得到二种数据采集方式下的层析成像ＦＢＰ公式，可同时适用于Ｐ波和Ｓ波，尽管与以往不涉及震源项的结果相似，但本结果更符合地震勘探情况。     

影响液封直拉法生长GaAs单晶锭长的因素

研究了影响ＬＥＣ生长ＧａＡｓ单晶锭长的因素。发现，ＬＥＣ系统中热场分布，热对流，坩埚直径和坩埚初始位置及装料量的多少等对ＬＥＣ法生长的ＧａＡｓ单晶锭子长度都有影响。     

场顺序彩色显示器

荫罩CRT受自身结构的限制,要进一步改进其分辨率就有很大的困难。近年已研制成一种获得彩色图像的颇有吸引力的替代品,即场顺序彩色显示器。它由单色CRT和液晶电子色闸组成,称之为LC/CRT系统。液晶电子色闸由液晶π盒及其连用的偏振片组成,可看成是老式机械彩色轮那样的一种电控色带带通滤色片。本文描述了液晶电子色闸的功能及其工作优点,讨论了其可能结构与显示特性。