多孔陶瓷的制备与应用

综述了多孔陶瓷的类型、性能、制备工艺及其在工业中的应用，并对多孔陶瓷的研究与应用做了展望。     

ZrSiO4/Al2O3烧结氧化铝-莫来石复相陶瓷微观结构的研究

将氧化铝和锆英石混合物试样分别在1350℃、1550℃下烧成，结果发现在1350℃烧成、保温3h的样品中有莫来石生成，而在1550℃烧成、保温3h的情况下却未发现莫来石生成，本文对此作了分析和探讨。关键词：氧化铝一莫来石，复相陶瓷，微观结构。     

Ca_(0.6)Mg_(0.4)Zr_4(PO_4)_6低膨胀陶瓷的制备与烧结

采用分步沉淀法合成了Ca_(0.6)Mg_(o.4)Zr_4(PO_4)_6单相粉体。CMZP陶瓷的烧结主要取决于温度和烧结助剂,最大密度达到理论值的98％,借助SEM观察了表面及断口形貌,EDX作元素的半定量分析在1300℃试样表面发生了分解。     

浅析聚乙烯醇缩丁醛的低温流动性

瓷用花纸行业就PUB低温流动性提出更高要求。对此，就影响PUB低温流动性因素进行了分析探讨。     

无铅压电陶瓷的研究进展

在压电陶瓷领域，无铅压电陶瓷从环保的角度考虑越来越引起人们的注意。本文主要综述了以BNT为基的3类无铅压电陶瓷体系。它们都是很好的无铅压电陶瓷的侯选材料，其中BNBT－6，BNTN－3和BNST－2的机电耦合常数K33分别为0．55，0．43，而且具有较高的频率常数和较小的介电系数，适用于众多高频超声换能检测领域以及压电致动装置等方面，所以作为无铅压电陶瓷它们是很有潜力的。     

铜掺杂对(Na0.5K0.5)NbO3无铅压电陶瓷性能的影响

采用传统固相反应法对(Na0.5K0.5)NbO3压电陶瓷进行铜掺杂改性研究。使用SEM、XRD并结合常规压电陶瓷性能测试手段对该体系的显微结构、压电性能等进行表征。研究结果表明:CuO的掺入使材料出现“硬化”现象,即材料的压电系数d33、平面机电耦合系数Kp和介电损耗tanδ下降了,机械品质因子Qm大大提高;CuO掺入量在1%mol时各项性能最佳。另外,从SEM图片中可以看出:(Na0.5K0.5)NbO3压电陶瓷材料的平均晶粒尺寸随着CuO掺入量的增加明显变大。这表明CuO有烧结助熔作用,能降低烧成温度。     

纳米复相陶瓷的制备及性能研究进展综述

本文综述了纳米复相陶瓷的研究进展。介绍了纳米复相陶瓷的分类及制备技术,详细地阐述了纳米复相陶瓷的力学性能和微观结构,分析了提高其断裂强度、断裂韧性及抗蠕变性等性能的机理。     

微波介质陶瓷的界面特性及其对介电性能的影响

详细地总结了界面的偏析、扩散和润湿性对微波介电性能的影响机理。并评述了粉末的初始状态、烧结工艺、添加剂(掺杂)和烧结方法等因素对材料界面特性的影响，进而影响到材料介电性能的研究进展。最后指出了在微波介质陶瓷界面研究领域面临的问题及今后的发展方向。     

微孔陶瓷材料在水处理中的应用

本文从微孔陶瓷的结构特性出发，分析了微孔陶瓷作为过滤介质在水处理除杂净化过程中的过滤机理，论述了微孔陶瓷在饮用水净化处理和某些工业废水、生活污水处理中的应用。     

锰掺杂对PNW-PMS-PZT压电陶瓷结构和性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了Pb(Ni1/2W1/2)O3-Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-Pb(Ti，Zr)O3-xMnO2压电陶瓷，分析了经1150℃烧结2h制备的陶瓷样品的相结构组成。实验结果表明：所有陶瓷样品均为钙钛矿相，未发现其它晶相。随着锰掺杂量的增加，陶瓷晶粒逐渐长大。研究了不同剂量的锰掺杂对压电陶瓷介电和压电性能的影响。结果表明：随着锰掺杂量的增加，材料逐渐变“硬”，当MnO2掺杂量少于0．2％(按质量计，下同)时，相对介电常数εr、压电常数d33和机械品质因数Qm逐渐增加，介电损耗tanδ减小；当MnO2掺杂量多于0．2％时，εr、d33和Qm逐渐降低，tanδ增加。随着锰掺杂量的增加，机电耦合系数kp和Curie温度θc逐渐减小。MnO2掺杂量为0．2％的压电陶瓷适合制作大功率压电陶瓷变压器。其压电性能为：εr=2138，tanδ=0．0058，kp=0．613，Qm=1275，d33=380pC／N和θc=205℃。