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91.
高温稀土永磁Sm2(Co,Cu,Fe,Zr)17 的制备和性能   总被引:5,自引:0,他引:5  
制备了高温稀土永磁材料Sm(Coba1Fe0.26Cu0.05Zr0.026)7.0,研究了磁性能与工艺条件的关系.结果表明:提高烧结温度可使材料的Br和(BH)max增大,但是使Hci降低;适当提高真空预烧温度,可使材料在较低烧结温度下致密化,具有较高的Hci和(BH)max和温度稳定性.真空预烧温度过高使性能的急剧降低,其主要原因是Sm的析出.在最佳工艺条件下材料的磁性能参数分别为:Br1.08T3Hci2286kA/m,Hcb932kA/m,(BH)max220.8kJ/m^3;β20-200℃为-0.19%/℃.  相似文献   
92.
外延(Epitaxy,简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料,外延层可以是同质外延层(Si/Si),也可以是异质外延层(SiGe/Si或SiC/Si等);同样实现外延生长也有很多方法,包括分子束外延(MBE),超高真空化学气相沉积(UHV/CVD),常压及减压外延(ATM&RP Epi)等等。  相似文献   
93.
本文研究了A3S2/Fe复合材料的烧结特性、透气性和纤维增强效果,分析了烧结过程中材料宏观结构和微观组织的形成机理.实验结果表明:纤维增强A3S2/Fe复合材料在900~1000℃具有良好的烧结性能,烧成后表层存在一定厚度的硬化层;纤维增强效果显着.材料抗压强度达17~23MPa,相对透气系数为4.30~9.69cm3/(cm2·s·atm).已能满足实际应用的需要.  相似文献   
94.
95.
96.
本给出用等离子化学气相沉积(PCVD)技术制备的SnO2/Fe2O3双层薄膜结构的俄歇谱(AES)剖面分析、透射电镜(TEM)断面形貌和扫描电镜(SEM)表面形貌的实验研究结果。AES剖面分析和TEM断面形貌图显示在SnO2与Fe2O3界面区有一个约35nm厚的过渡层存在,其质地松散。实验还发现这个界面过渡层的存在缓解了层间应力,增强了SnO2薄膜的附着力,对该双层膜的气敏特性有明显的控制作用;但当SnO2层厚大于270nm时,其控制作用几乎完全消失。  相似文献   
97.
“业精于专,方显卓越”微雕大师如是说。当前,许多晶圆代工厂以200mm、0.18μm作为半导体集成电路的主要技术及产品提供给市场,有的晶圆代工厂200mm、0.18μm产品已达到60%。但是为了抢占市场的至高点,目前相当部分的芯片制造商目前正在把0.18μm工艺提升到0.13μm,随着芯片制造工艺技术的提高,对离子注入机的技术要求也越来越高。记:姜总,维利安半导体设备公司作为一家在离子注入机领域享有很高知名度的半导体设备供应商,您能否简单地给我们介绍一下?姜:维利安半导体设备公司(纳斯达克简称:VSEA)是一家全球性的跨国高科技公司,总部位于美…  相似文献   
98.
在2005年,你是否还想着如何为自己的爱机升级?那么,放弃吧,64位处理技术的时代已经到来放弃吧,PCI-E将会取代AGP和PCI总线放弃吧。DDR2才是未来的主流放弃吧,未来或许将是BTX的天下……  相似文献   
99.
Single Crystal Growth of Semiconductors from Metallic Solutions covers the four principal growth techniques currently in use for the growth of semiconductor single crystals from metallic solutions. Providing an in-depth review of the state-of-the-art of each, both experimentally and by numerical simulations. The importance of a close interaction between the numerical and experimental aspects of the processes is also emphasized.  相似文献   
100.
为满足我院重水研究堆等核设施退役源项调查的需求,在原有工作基础上,编制了《不锈钢中^63Ni分析方法》企业标准,经过两次会审,3次改稿,该标准被编入院企业标准名录。该方法主要为将不锈钢样经酸溶解后,通过阴离子交换树脂将镍与^59Fe、^60Co、^65Zn等活化产物分离,在碱性溶液中用丁二酮肟络合镍,用甲苯溶液萃取后,用0.5mol/L HCl溶液反萃取,在沙浴上蒸干后,与闪烁液混合,用液闪计数器测定^63Ni的放射性活度。  相似文献   
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