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91.
陶思维 《电脑自做》2004,(2):107-107
用TMPGEnc将MPEG-2文件重新编码成DivX文件时出现音偏。这是什么原因?有无消除办法?造成音偏的原因是多种多样的,因此消除的方法也不相同。我们只能提供其中有代表性的解决方法。产生音偏的原因大多是因为用了不合适的采样频率去进行编码。大多数电视采集卡假定声音是通过声卡输入的,但目前最常用的是AC'97规格的板载音效芯片。此时采样频率变为48KHz(支持44.1KHz输出的产品往往在内部进行变换),而MPEG-2文件中记录的音频数据是以48KHz频率采样得到。将此MPEG-2文件重新编码成DivX文件时,音频数据要转换成MP3等。如果此时将MP3的采样频率定为44.1KHz或  相似文献   
92.
在造纸过程中,泡沫是制浆、抄造、涂料制备及纸再加工过程中的一个棘手问题,缺乏对泡沫的有效控制,将影响生产的正常进行并造成产品质量的降低。对此,常州市武进运波化工有限公司新推出的CJC2型消泡剂,它能够起到抑制泡沫的产生并能有效地消除生产过程中产生的泡沫,适合于制浆造纸及加工纸生产中作抑泡剂及消泡剂使用。  相似文献   
93.
Al2O3陶瓷激光铣削试验研究   总被引:9,自引:1,他引:8  
袁根福  曾晓雁 《中国激光》2003,30(5):467-470
采用Nd∶YAG脉冲激光器对Al2 O3陶瓷进行铣削加工试验。系统研究了工艺参数对铣削量和铣削面质量的影响规律 ,并利用优化的铣削工艺对Al2 O3陶瓷进行多种形状的铣削加工。  相似文献   
94.
《电脑自做》2004,(2):16-16
Audigy2 NX是创新的第三款外置产品,开山之作Exidigy至今仍是大家讨论的经典之作,而在半年多前推出的产品——Digital Music,预示着创新再度回到外置声卡市场,不过仅仅支持双声道输出让大家多少有些遗憾。而如今的Audigy2 NX是一款完完全全的Audigy2ZX声卡的外置版本,几乎支持所有Audigy2ZX支持的功能(只没有1394接口)。它支持7.1声道输出、24bit/192KHz输入输出,完整的支持EAX Ad-vanced HD以及遥控操作等等。由于要实现高品质的信号输出  相似文献   
95.
威刚A-DATA DDR2 533内存的标准规格为240针脚、1.8V工作电压,且依据JEDEC(美国电子工程设计发展联合协会)的标准规范,采用最先进的0.10微米制程、FBGA封装的DDR2颗粒,成功减少IC颗粒与电路板的球面接触点,并有效降低高频工作温度与资料杂讯。且大幅提高资料传输速率并透过内建的ODT内部中断电阻设计,让主机板不用在内存旁边增加一排电阻,减少PCB的使用空间。OCD讯号校正技术让电压的上升与下降有最小的DQ—DQS SKEW(时钟讯号偏离),提升讯号质量。以及提高汇流排效率的Posted CAS功能,使DDR2 533成功突破DDR的速度限制,缔造出每秒资料访问与输出量比DDR高出一倍的优异效果,真正达到每秒3.2G的极速资料传输带宽。  相似文献   
96.
基于P2P的虚拟VPN网关模型   总被引:1,自引:0,他引:1  
一、虚拟私有网的产生 我们知道,大部分企业或机构都构建有供自己办公使用的局域网,用来沟通部门之间的信息联系和信息共享。对处在地理位置范围相对狭小的机构来说.这很容易做到。但在实际生活中.我们往往会遇到以下几种典型情形:机构的各部门地理位置分散;工作人员异地出差时要访问办公资源;SOHO家庭办公等等。  相似文献   
97.
张跃 《微纳电子技术》2006,43(11):530-534
研究了由J.Bourgoin和M.Lannoo提出的半导体内Jahn-Teller畸变效应的计算理论。应用Bourgoin和Lannoo的方法研究了含中心氮杂质金刚石结构的Jahn-Teller畸变问题,计算了34C+N簇团的T2模耦合沿%111&晶向的Jahn-Teller畸变效应,结果与实验相符。  相似文献   
98.
杜强 《电镀与环保》2003,23(2):40-40
1前言 近年来,随着欧美、日本等发达国家禁止对含镍饰件的进口,光亮黑色锡-钴电镀已经在相关领域内完全取代了黑镍和黑色锡-镍合金电镀,但由于工艺控制困难,生产中往往靠经验,所以次品率很高.本公司在推广该工艺的过程中,总结了一套准确快速的现场化验手段.  相似文献   
99.
多孔陶瓷载体氧化铝涂层的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
分别用纳米γ-Al2O3和SB粉制备了多孔陶瓷载体的Al2O3涂层。BET法测定了多孔陶瓷载体Al2O3涂层改性前后比表面积的变化。由SEM照片观察多孔陶瓷载体涂层改性前后表面和断面的形貌。结果表明,这两种方法对多孔陶瓷载体涂层改性均有效可行。  相似文献   
100.
Ni-Al2O3纳米复合电镀工艺的初步研究   总被引:21,自引:4,他引:17  
初步研究了复合电镀各工艺条件:电流密度、镀液pH值和温度以及搅拌方式对Al2O3纳米微粒在镍基复合镀层中含量的影响。研究表明:电流密度增大不利于提高镀层中纳米微粒的含量;pH值增大也明显使复合量降低;镀液温度升高,镀层中微粒的复合量随之略有改变;电镀时,加强搅拌或适当改变搅拌方式,可以使复合镀居中的纳米微粒含量提高。还利用扫描电镜及能谱对Ni-Al2O3镀层表面进行了观察与分析。  相似文献   
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