Stress-strain relations in elastoplastic solids with Dugdale-type cracks

Mechanical behavior of a two-dimensional elastoplastic solid with rectilinear cracks is investigated. Plastic strip model is used to reduce plasticity problem to the equivalent linear elasticity formulation. Two realizations of the mixed mode plastic strip model are considered: in-line plastic strips as proposed by Becker and Gross [Int. J. Fract. 37 (1988) 163], and inclined plastic strips of Panasyuk and Savruk [Appl. Mech. Rev. 47 (1994) 151]. The effective mechanical response predictions are based on the procedure presented in Kachanov et al., [Appl. Mech. Rev. 47 (1994) 151]. Stress-strain relations are obtained for parallel and randomly oriented non-interacting cracks. Results are compared with known elastic solutions.     

固体铝电解电容器用导电高分子制备工艺进展

依据近年的相关专利,综述了用于固体铝电解电容器的导电高分子的最新制备工艺,介绍了导电高分子固体铝电解电容器的结构,详细描述了制备导电高分子的两种主要方法——化学聚合和电化学聚合——及其进展历程。介绍了新颖掺杂剂的发现与使用,对各种工艺的特点进行了评述。     

固体酒精的制备工艺与性能研究

以硬脂酸与氢氧化钠反应生成的硬脂酸钠用作制备固体酒精的固化剂，研究了固体酒精的制备工艺与性能的关系，通过正交试验对工艺条件进行了优化。用40mL酒精溶解2．0g硬酯酸，50mL酒精溶解0．4g氢氧化钠，在70℃下反应30min，制备的固体酒精综合性能最好。     

磺基琥珀酸双2-丁基辛酯钠盐的合成及表面活性测定

以马来酸酐和2-丁基辛醇为原料,经酯化得到相应的双酯,以乙醇作混相促进剂,使双酯与亚硫酸氢钠进行磺化反应,合成了磺基琥珀酸双2-丁基辛酯钠盐。采用正交试验对酯化反应条件进行了优化。合成产物的临界胶束浓度(cmc)值为3.58×10-6mol/L,表面张力(γcmc)为27.568mN/m。     

硅胶固载光敏剂的合成及其在反式维生素D3光敏异构化为顺式维生素D3中的应用

采用丙二酸作为连接,针9－蒽甲醇连接到硅胶上生成硅胶固载的光敏剂。利用此因相光敏剂分别在乙醇和甲苯溶液中敏化反式维生素D3。实验结果表明，此固相光敏剂能够有效地敏化反式维生素D3为顺式维生素D3的反应，并且非常容易从反应体系中分离出来。     

Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.     

低密度强抑制钻井液室内研究

针对普光气田千佛崖组以上陆相地层特点，探索室内低密度低固相条件下影响钻井液流变性能的因素，优选适用于低密度强抑制钻井液的提粘切处理剂、降滤失剂。初步确定室内低密度强抑制钻井液体系配方，同时对钻井液体系进行综合性能评价，结果表明该体系具有良好的抑制防塌及悬浮携砂性。     

复合材料空心飞轮多环套装整体变形及应力简化精细分析

采用多环过盈装配是解决复合材料飞轮径向强度过低的有效途径之一。本文作者采用平面应力简化模型,提出了计及过盈配合后变形导致实际过盈量增大计算飞轮套装后的初终应力分布的方法;提出了基于叠加原理计算多环过盈装配旋转飞轮应力的方法;提出了保证飞轮旋转时配合界面不脱离的相关临界转速的概念和计算方法。算例分析表明:过盈配合后的变形对初终应力的影响不能忽略;过盈量和套装环数与飞轮的初终应力和相关临界转速有密切的关系。     

基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。