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91.
天然气汽车用FRP容器的开发 总被引:1,自引:0,他引:1
温淑荣 《玻璃钢/复合材料》1998,(1):48-51
本文评述了用于天然汽车(NGV)的轻型高压FRP气体容器的发展近况,讨论了有关设计和安全评价方面的一些技术课题,并特别关注了热塑性树脂作衬里、安全缠绕的全复合容器最近的发展状况。 相似文献
92.
93.
在简要回顾了我国的渠道防渗技术后 ,介绍了用于渠道防渗的两种新型复合土工合成材料 ,并用工程实例说明它们用于渠道防渗的特殊优势 相似文献
94.
提高塔北地区深井固井质量对策与建议 总被引:4,自引:3,他引:1
综合分析了近几年地矿部石油海洋地质系统在塔北地区固井作业中存在的主要问题,并从井身结构设计、新型低密度水泥和防气窜水泥体系的研究、水泥浆试验方法的改善、固井工具质量的保证及固井工程的组织管理等方面提出了对策与建议。 相似文献
95.
组合抽油泵缸套的激光淬火 总被引:2,自引:0,他引:2
论述了对内径44~83mm、长度300mm组合抽油泵缸套进行激光淬火的情况。检测结果表明,经激光淬火处理后,缸套内表面硬度达到60~66HRC,硬化层深度达到0.4~0.6mm,缸套直径上变形仅为0.03mm左右,远远小于常规热处理的变形量。实践证明,对组合抽油泵缸套采用激光淬火处理能大幅度提高生产效率,降低生产成本。 相似文献
96.
龙16井是四川盆地川北低平褶皱带九龙山构造上的一口重点预探井,原设计四开四完井身结构,213mm井眼钻至下二叠系志留系完钻。钻井过程中由于地质条件复杂,认识程度有限,纵向上分布多套产层并具有超高压特点,地层裂缝发育,多次出现涌漏同存复杂情况,被迫提前在飞仙关地层下入177.8mm套管固井以封隔上部复杂井段。为科学评价九龙山构造二叠系深部主要目的层和为油气开发创造条件,采用149.2mm钻头钻至5988.00m茅口组地层完钻并进行了尾管固井作业。固井作业前井下条件十分复杂,钻井液密度高达2.34g/cm3仍有强烈的油气显示,井温达139.6℃,该井固井集中体现了典型高温高压深井小井眼尾管固井的重大技术难点,该井的施工成功和各项配套工程技术措施的综合应用,为高温高压深井固井作业积累了可贵的经验。 相似文献
97.
98.
99.
广蓄二期工程抽水蓄能机组推力轴承事故分析 总被引:1,自引:0,他引:1
广蓄电站二期工程6号机组在起动调试过程中,先后发生两次推力轴瓦烧损事故,其原因主要是推力轴瓦瓦面的粗糙度、波浪度、中心油池形状、瓦的宽厚比等不能满足运行的要求。在事故处理时采取了以下措施:对瓦面进行现场研刮,使每1cm^2有4-5个接触点;在瓦面两边侧刮出导油角;梯形油池改成直径为55mm的圆形油池;减薄钢瓦坯支承处的厚度,使宽厚比由0.38降到0.28;扩大弹性圆盘下支承块的支撑面;减少冷却油喷油孔数量等。事故处理后,机组已在各种工况下安全运行近18个月,推力轴承运行情况良好。 相似文献
100.
One of the primary candidates for the liner/etch stop layer in damascene process is silicon nitride (Si3N4). However, silicon nitride has a high dielectric constant of 7.0. To reduce the effective dielectric constant in Copper (Cu) damascene structure, dielectric SiC:H (prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using trimethylsilane source) as the Cu diffusion barrier was studied. The dielectric constant of SiC:H used is 4.2. A systematic study was made on the properties of liner material and electro-chemically plated (ECP) Cu to enhance the adhesion strength in Cu/low-dielectric constant (k) multilevel interconnects. Though the effects of as Si3N4 the liner have been much studied in the past, less is known about the relation between adhesion strength of ECP Cu layer and physical vapor deposited (PVD) Cu seeds, with seed thickness below 1000 Å. The annealing of Cu seed layer was carried out at 200 °C in N2 ambient for 30 min was carried out to study the impact on adhesion strength and the microstructure evolution on the adhesion between ECP Cu and its barrier layer. In the study, our claim that SiC:H barrier/etch stop layer is essential for replacing conventional Si3N4 layer in enhancing adhesion strength and interfacial bonding between Cu/dielectric interconnects. 相似文献