压敏电阻代替硒堆作为可控硅过压保护元件

我矿副斜井长度454m、坡度22°,采用1.6m单滚筒绞车提升人员及物料,绞车下放采用动力制动方式,电机功率155kW,动力制动柜采用KZD-500/24型。主回路380V交流电经整流变压器降压为36V,进入单相半控整流电路,就直流输出端而言,两只可控硅和两只整流二极管分别是串联的。原采用硒堆保护,但其硒堆体积大,伏安特性不陡,长期不用后性能减弱,正向电阻增大而反向电阻减小,因而失去效用,影响行人安全及物料提升。现尝试采用压敏电阻取代硒堆作过压保护元件。金属氧化物压敏电阻是由氧化锌、氧化铋等烧结制成的非线性电阻材料,是一种新型过电压保护…     

添加尖晶石对氧化锌压敏电阻性能的影响

通过添加尖晶石（Ｚｎ７Ｓｂ２Ｏ（１２））改性研制出电位梯度为１００Ｖ／ｍｍ左右，压敏电压在８２～１５０Ｖ，通流容量可达１６００Ａ／ｃｍ２，漏电流＜２μＡ系列压敏电阻器，从而满足了国内电话交换机行业对８２Ｖ、１００Ｖ、１２０Ｖ、１５０Ｖ压敏电阻器的电性能要求。从工艺的角度解释了尖晶石对氧化锌瓷晶粒的作用原理，并分析了尖晶石的微观结构及粒度对瓷片电性能的影响。     

电极边缘效应对ZnO压敏电阻片通流能力的影响

发现并研究了电极半径ｒ与瓷体半径Ｒ之比ｒ／Ｒ对ＺｎＯ压敏电阻片耐受２ｍｓ方波电流冲击能力的作用规律．利用平面电阻网络和立体氧化锌压敏电阻器网络，实验模拟了ｒ／Ｒ对电极边缘电流密度分布的作用规律，研究结果表明增大ｒ／Ｒ能使电流密度均匀化，因而能增强ＺｎＯ压敏电阻片的通流能力。     

磁化水配料对TiO2压敏陶瓷电性能和微观结构的影响

研究了使用磁化水配料对TiO2压敏陶瓷电性能和微观结构的影响。电性能测量及SEM和XRD微观结构分析结果表明：磁化水配料制备的TiO2压敏电阻具有较低的压敏电压和较高的非线性指数α。材料的主晶相为金红石相，由Ce,Si,Ti组成的Perrierite第二相均匀分布在晶界区域。因此，采用磁化水配料可以改善材料的工艺性能和陶瓷烧结体的微观结构，从而提高元件的电性能。     

室温固相合成掺杂ZnO纳米粉体制备ZnO压敏电阻

以金属离子盐和草酸为原料,采用室温固相化学反应合成掺杂ZnO前驱物,根据DSC-TG分析结果,将其在450℃热分解2 h,得到掺杂ZnO粉体,并用此粉体制备了片式ZnO压敏电阻。借助XRD、TEM、BET等检测手段对粉体产物的物相、形貌、粒度等进行了表征。研究了烧结温度对ZnO压敏电阻电性能的影响。结果表明,所制备的粉体为平均粒径24 nm左右、颗粒呈球状、分散性好的纤锌矿结构掺杂ZnO。在1 080℃烧结时,ZnO压敏电阻的综合电性能达到最佳,电位梯度为791.64 V/mm,非线性系数为24.36,漏电流为43μA。     

晶闸管变压式电容无功补偿方法的研究

提出了一种通过晶闸管开关装置直接调节电容器两端电压以调节电容无功功率的方法和相应的原理及接线。同时提出了换级控制方法,分析了故障时产生的断态过电压,采用氧化锌压敏电阻过压保护后,重新对断态过电压进行了仿真。结果表明:补偿装置能多级、大范围调节容性无功,较之于其它快速补偿装置综合工程造价低,有望用于高压电网;装置故障时,会出现严重过电压,若过压保护动作后可使断态电压降低到允许范围内。     

V/Sb预合成粉对ZnO-V2O5基压敏电阻材料的影响

基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在950℃合成了组织均匀、瓷体相对密度＞98%、非线性系数＞50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料.Sb以V2O5/Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结.随着预合成粉含量的增加,Sb3+离子对Zn2+离子的取代量增加,材料内部VZn等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性.     

多工位电流互感器测试系统智能保护器的实现

电流互感器二次侧开路,会危及人身安全及损坏电路.实现一种用于电流互感器测试平台的二次侧开路保护器,以保护操作人员和测试电路.保护器主要由氧化锌压敏电阻、保护继电器、二次侧开路监控电路、硬件处理保护电路和单片机等组成.二次侧发生开路时,压敏电阻限制开路电压,监控电路同时控制保护继电器触点闭合短接二次侧两端,单片机通过串口上传开路报警信息.多工位实时保护,集中监控多路互感器测试通道.保护器既可由硬件独立完成保护工作,也能受PC机管理控制.它对互感器二次侧相关电路影响小,开路保护反应时间短,保护效果好.现场运行一年多来,表明保护器性能可靠、稳定.     

Al2O3掺杂ZnO压敏电阻在不同烧结温度下的电气特性研究

在不同烧结温度下制备了氧化铝(Al₂O₃)掺杂的氧化锌(ZnO)压敏电阻,并对其进行扫描电子显微镜、X射线衍射、电流-电压、电容-电压测试以研究ZnO压敏电阻的微观结构和电气特性。结果表明:随着烧结温度的升高,Al₂O₃掺杂的ZnO压敏电阻泄漏电流得到了明显的抑制,这是由于施主密度和界面态密度不断增大,提高了晶界的势垒高度。而Al³⁺随着烧结温度的升高会不断地固溶入ZnO晶粒中,降低了晶粒电阻率,从而降低ZnO压敏电阻在通过大电流时的残压比。当烧结温度为1150℃时,ZnO压敏电阻的电气特性最佳,电压梯度为418.70 V/mm,泄漏电流为0.74,残压比为1.68,非线性系数为67.5,有助于提高ZnO避雷器的保护性能,实现深度限制电力系统,特别是特高压系统的过电压。     

压敏电阻的测量及其用途

本文介绍了压敏电阻和压敏电阻的测量方法,以及其作途。