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71.
工艺因素对压敏电阻材料有着直接影响,不同的工艺条件导致材料微观结构不同,从而导致宏观电性能差别。材料微观结构不同,其导纳光谱有明显区别。导纳光谱学正是从材料的微观结构入手,通过对电子结构及运动进行分析研究,从本质上判别所用生产工艺是否合理,进而指导工艺的改进和控制。 相似文献
72.
本文简述了我国压敏电阻工业的发展过程,特别是九十年代后期以来所取得的重大突破;提出了再用三到五年的时间使我国成为世界压敏电阻生产大国的三项具体目标;以及实现这一针给我们带来的经济和社会利益,并从技术、市场、资源等方面分析这个目标的可能性,提出了使这种可能性成为现实性的几点建议。 相似文献
73.
74.
(上接2009年第3期79页)
3.5.11浪涌抑制器件的组合应用
有时候靠一个浪涌抑制器件(SPD)很难满足所有的需求,为了优化SPD的浪涌抑制性能,同时减小生产成本,可以将多个SPD组合使用。图3AT是一个能够承受高功率的气体放电管(GDT)和一个箝位动作迅速的金属氧化物压敏电阻(MOV)的组合应用情况。GDT被触发后可以吸收大部分浪涌能量,当产生过压时,串联电感可以使GDT触发,而MOV可以保护负载不受GDT触发电压的影响。 相似文献
75.
综述了近年来稀土掺杂氧化锌压敏瓷中的研究进展。掺杂稀土氧化物可明显的减小ZnO晶粒尺寸,使晶粒尺寸分布均匀;其中掺杂Y2O3可使ZnO-Bi2O3系压敏瓷晶粒尺寸由11.3μm降到5.4μm,掺杂Er2O3使晶粒尺寸由1.60μm减小到1.06μm。显著提高了ZnO压敏瓷的电位梯度、降低了漏电流。其中在ZnO-Bi2O3系压敏瓷中掺杂Y2O3,可获得电位梯度约为270 V/mm、漏电流为3μA、压比为1.66的电阻片,在ZnO-PrA6O11系压敏瓷中掺杂Er2O3,电位梯度可提高到416.3 V/mm,漏电流从28.2μA降低到9.8μA。 相似文献
76.
77.
基于IGCT串联中性点钳位三电平高压变频器过电压保护进行研究,首次提出了利用氧化锌(ZnO)压敏电阻对高压变频器进行过电压保护的方法。通过分析ZnO压敏电阻的各种放置位置和接线形式,得出了合理的设计方案。以逆变系统整体作为变频器过电压保护的对象,解决了单个电力电子开关器件过电压保护困难的问题。结合实际的变频器参数,详细分析逆变系统工作状态的耐压情况,设计了ZnO压敏电阻。通过Matlab/Simulink对过电压情况的仿真,验证了所设计的ZnO压敏电阻对中性点钳位三电平高压变频器过电压保护的有效性。本文所设计的ZnO压敏电阻已得到实际应用。 相似文献
78.
用万用表的R×lkΩ档测量贴片压敏电阻两电极间的正、反向绝缘电阻,正常状态均为无穷大。否则,说明漏电流大。若所测电阻很小,说明贴片压敏电阻已损坏。1.万用表检测贴片电阻的一些注意事项 相似文献
79.
采用固相反应法制备了低压ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3-TiO2-V2O5(ZBCMTV)压敏电阻,借助扫描电子显微镜、压敏电阻直流参数仪、阻抗分析仪等研究了烧结温度对压敏电阻的微结构、压敏性能和介电性能等的影响。结果表明,在较低烧结温度(980℃)下,ZBCMTV压敏电阻综合性能最好;晶粒发育比较完全,粒径大小较均一,平均粒径约13.9μm;压敏电压梯度为109.7 V/mm,漏电流密度最小为0.015μA/mm2,非线性系数最大为27.8。 相似文献
80.