台式毛细管放电X光激光装置调试实验

对自行研制的台式毛细管放电X光激光装置进行了系统调试,在充氩气毛细管负载下,输出电流38kA,电流脉冲前沿40ns,并对有关问题进行了讨论.并在这个装置上开展充氩气毛细管放电荧光光谱实验研究.     

非化学计量LaNi5型储氢合金的性能

采用富La混合稀土与Ni、Co、Mg等元素组合，获得了一种非化学计量LaNi5型储氢合金、用金相、XRD和SEM-EDX等方法分析了该合金的组织结构，研究了合金的气相储氢特性以及电化学性能，结果表明：在1.6MPa氢压和温度29℃下，该合金的储氢量达到1.58%（质量分数），该合金的放电容量为380mAh/g。经300次循环后容量保持率为55%，该合金的基体是CaCu5型结构的LaNi5相，但有第二相（LaMg)Ni3析出，这种第二相的形成是导致该合金大容量的关键。     

本质安全电路及其研究

介绍电路本质安全性研究的基本原理、试验装置、电路的放电形式及放电时间和最小点燃电流曲线的测试以及不同频率特性下本安研究的技术实现、实际电路中提高本安电感电路功率的方法、本质安全性的实现以及计算机评估等.所得的结论对我国本质安全型电气设备的设计有一定的应用价值.     

检测GIS局部放电现象甚高频技术

文中介绍一种采用频率合成技术对GIS腔体内放电所产生的甚高频响应进行检测的UHF测量设备，该设备可接收到-110dBm以上的L波段放电信号，并已经通过实际测试。     

UPS应用

本刊专题：蓄电池及其充电技术 蓄电池作为供电系统的后备电源，其重要性不言而喻。蓄电池的浮充技术一直是令人关注的话题，而其失效模式的研究和分析可以改善其性能和提高使用寿命。蓄电池的极板选材及厚度影响其放电性能。本期以“蓄电池及其充电技术”为专题刊出下列一组章：     

MOS集成电路电过应力损伤模式和机理分析

电过应力是造成ＭＯＳ集成电路损伤的主要原因，本文结合静电放电的三种模型，详细分析了ＭＯＳ集成电路电过应力的损伤模式和机理。     

彩色电视机基色矩阵视放电路准最佳群时延特性分析及应用探讨

根据网络理论，对国内外典型基色矩阵放大电路的群时延特性进行了理论分析，并得出表达式。进而给出采用微型机运算的结果，应用这些结果可对电路参数估算提供有效方法。     

一种实用的蓄电池充放电检测、记忆及控制电路

本文介绍了一种实用的蓄电池充放电状态检测、记忆及控制电路工作原理。     

直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征

采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上生长了GaN薄膜.XRD、AFM、PL和Hall测量的结果表明在2～20Pa沉积气压范围内,提高沉积气压有利提高GaN薄膜的结晶质量;在150～220mJ/Pluse入射激光脉冲强度范围内,随着入射激光脉冲强度的提高,GaN薄膜表面结构得到改善.研究发现,在700℃衬底温度、20Pa的沉积气压和220mJ/Pluse的入射激光脉冲强度的优化工艺条件下,所沉积生长的GaN薄膜具有良好的结构质量和光电性能.     

纯铜双层辉光离子渗钛组织形成机理及性能分析

采用双层辉光离子渗金属技术对纯铜进行了渗钛处理。用配有能谱仪(EDS)的扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪和透射电子显微镜对合金层的显微组织形貌、钛含量分布、相组成及相结构类型进行了观察与测定，对合金层的形成机理进行了探讨，并对其性能进行了对比测定。结果表明：渗钛层由合金层和扩散层组成，合金层主要由TiCu (Cu)固溶体 TiCu4构成，TiCu4为Dla型有序相，TiCu为B2型有序相，扩散层为(Cu)固溶体。渗钛处理后纯铜的表面得到显著强化。