底电极对BiFeO3薄膜电性质的影响

用溶胶-凝胶方法在LaNiO3,ITO和Pt底电极上制备了BiFeO3(BFO)薄膜.薄膜的退火温度为550℃.对不同底电极上的BFO薄膜的结构、形貌、铁电性、介电性和漏电流特性进行了研究.XRD研究表明不同底电极上的BFO薄膜呈不同的取向.所有的薄膜都没有观察到不纯相.剖面扫描电镜研究表明薄膜的厚度为350nm.铁电性测试表明在128kV/cm的测试电场下LaNiO3底电极上的薄膜的剩余极化强度最大,为3.31μC/cm2.而ITO和Pt底电极上的BFO薄膜的剩余极化强度分别为2.07μC/cm2与2.76μC/cm2.此外,漏电流的研究表明在ITO底电极上的BFO薄膜的漏电流最小.     

钡钙锶共掺杂钛酸铋钠无铅压电陶瓷的制备及性能

采用溶胶-凝胶法制备工艺制备了(1-x)(Na0.5Bi0.5)TiO3-xBa0.092Ca0.03Sr0.05TiO3(x=0.04、0.06、0.07、0.08)系无铅压电陶瓷.研究了陶瓷的铁电、压电性能和显微结构.结果表明,该体系陶瓷在x=0.06时,其压电常数d33,机电耦合系数kp,厚度耦合系数kt,相对介电常数εr,介质损耗tgδ,分别为152,0.24,0.47,1 250,0.04.     

制造压电陶瓷的方法（CN 1287988A）

一种主要包括CaBi4Ti4O15或其它具有层状钙钛矿晶体结构，在常温下显示铁电性的化合物的陶瓷组合物。将该组合物样品置于氧化铝烧箱中，其中分散有粉末氧化锆，以防止咬住，样品上放置氧化铝盖板。然后加热至高于陶瓷组合物熔点（如1245℃）的温度1265℃，使其熔融或半熔融。之后退火和固化，制得颗粒取向的陶瓷。     

铁电半花菁染料Langmuir-Blodgett膜

通过静态电荷积分法测量出66层半花菁Z型LB膜在室温下的热释电系数为12μCm-2K-1,其品质因数FD=35μCm-2K-1.再由其所观测到的电滞回线现象可证实它还具有铁电性,进而表明其热释电效应较强.     

添加助烧剂对CoFe_2O_4/BaTiO_3复相多铁材料性能的影响

采用固相合成法制备出尖晶石结构CoFe_2O_4粉末和钙钛矿结构BaTiO_3,并按照2∶8的摩尔比将粉末混合,随后添加不同的助烧剂。研究多种助烧剂对制备出的CoFe_2O_4/BaTiO_3复相多铁材料成分、微观形貌、介电性能、铁电性和磁性能的影响。结果表明:仅添加助烧剂Bi2O3,难以达到烧结致密的目的;当助烧剂中含有CaCO3-SiO2时,有效提高了CoFe_2O_4/BaTiO_3复相多铁材料的烧结性能,在相同的烧结温度下,CoFe_2O_4/BaTiO_3复相多铁材料致密度得到提升,且介电性能、铁电性、磁性能均有一定程度的优化。     

A/B位离子掺杂BiFeO3纳米薄膜的微结构与铁电性能

采用化学溶液法结合层层旋涂退火工艺,在掺氟氧化锡导电玻璃基片上制备了BiFe_0.95Mn_0.05O₃和Bi_0.9Nd_0.1FeO₃纳米晶铁电薄膜,并分析比较了其微结构和铁电性能。结果表明:2组分样品均为单相多晶钙钛矿结构,晶粒细小均匀,表面平整,结构致密。两薄膜均获得了饱和电滞回线,且BiFe_0.95Mn_0.05O₃薄膜具有向上的择优取向极化和更优异的铁电性能,其剩余极化强度(Pr)达60mC·cm^–2,在1~50 k Hz频率范围与25~200℃温度区间内铁电极化响应稳定,保持时间长达1′10³ s工作与反复极化翻转高达1′10⁹次表现出优异的电荷保持力和抗疲劳稳定性。     

铁电性SBT和铁磁性NiCuZn铁氧体复合材料的制备

采用固相法成功制备了铁电性SBT和铁磁性NiCuZn铁氧体的复合材料。借助于TMA，XRD和SEM技术，对复合材料的共烧特性、物相组成以及显微结构进行了研究。共烧特性研究表明，SBT和NiCuZn铁氧体的烧成收缩和烧成收缩率存在差异。物相分析表明，复合体系均由NiCuZn铁氧体和SBT两相所组成。显微结构表明，复合材料具有较高的密度和良好的显微结构。NiCuZn铁氧体的平均晶粒尺寸比SBT要大。     

性能稳定的铌酸锶钡钾钠晶体

铌酸锶钡钾钠晶体的掺杂改性试验表明，铜可有效地稳定极化，从而得到性能稳定的晶体。本文并对铜离子稳定作用进行了初步解释。     

RFe2O4体系电荷有序及相变研究

铁电材料广泛应用于包括记忆装置在内的现代电子设备中。传统的铁电性主要来源于离子位移，但研究人员在RF32O4结构的混合价氧化物中发现了一种基于有序电子的新机制，这种类型铁电材料的出现，使研制具有更高可控制性能的器件成为可能。     

Pb(Sc1/2Ta1/2)O3铁电薄膜的制备及性能研究

用Pb(CH3COO)2·3H2O、Sc(CH3COO)3·xH2O和C10H25O 5Ta为原材料,乙二醇甲醚为溶剂,用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SO2/Si基片上成功地制备出ABO3钙钛矿型结构Pb(Sc1/2Ta1/2)O3(PST)铁电薄膜.该薄膜是研制铁电微型致冷器和非致冷热释电红外焦平面阵列的优选材料.对制备出的PST薄膜进行了介电、铁电和热释电性能测试.测试得到在1 kHz下PST薄膜的介电常数为570,介电损耗为0.02.铁电性能良好,剩余板化强度为3.8～6.0 μC·cm-2,矫顽场为40～45 kV·cm-1.热释电系数为4.0×10-4～20×10-4Cm-2K-1.