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61.
Nowhare 《数字通信》2006,(11):109-111
现在手机的“面子”越来越大,屏幕被硬物划伤的可能性也随着增大。尤其是一些触摸屏手机,就算不发生意外,每天的手写、触控也会让屏幕上积累出诸多划痕。于是,手机屏幕贴开始流行起来,小小一张贴纸,就能最大限度地保护手机屏幕不受损伤。对那些大屏幕、触控操作的PDA手机来说,还能凭借完好无损的屏幕在以后出手时卖个好价钱! 硅胶套则是随着iPod的流行而兴起的一种保护用具,强调时尚的用户能更喜欢花样百出的手机皮套,布套。硅胶套则是另一个极端——所有的硅胶套都是半透明的,没有什么花样,但这是手机的另一个外壳,一旦套上就无须取下,也基本上不会对正常使用造成不利影响。 硅胶套与屏幕贴,内外相济,为手机提供最妥帖的呵护。希望自己的手机用上一年半载之后还完整如新吗?那就快去选择合适的屏幕贴与硅胶套吧![编者按]  相似文献   
62.
硅微机械梳齿静电谐振器的建模与分析   总被引:5,自引:2,他引:3  
李宏生 《压电与声光》2002,24(5):421-424
基于参数化的计算机辅助设计(CAD)软件,对硅微机械梳齿静电谐振器进行了实体建模,以有限元分析软件为工具,进行了谐振器的模态分析,静态分析和谐响应分析,初步揭示了谐振器的静、动态特性,有助于改善设计效率和质量,展示了计算机辅助工程(CAE)技术在微机电系统(MEMS)研究中的重要作用。  相似文献   
63.
中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.  相似文献   
64.
65.
用两种方法——取代法和共聚法合成了一系列羟基镍铝交联蒙托石(GNiAl-CLM和NiAl-CLM),首次利用两种方法,交联前和交联后高温老化处理,对交联蒙托石的热稳定性进行改进。结果表明:取代法合成的羟基镍铝交联蒙托石具有均一的(001)面衍射,底面间距d(001)值均为1.8nm左右,而共聚法合成的羟基镍铝交联蒙托石出现两个(001)面衍射,d(001)值分别为1.8nm和1.55nm;高温处理后,热稳定性得到明显改进,热稳定性可高达700℃以上。  相似文献   
66.
67.
本文阐述了铝氧化电沉积法获得磁记录材料的基本原理,研究了铝交流氧化膜中沉积磁性金属及其合金制备垂直磁记录薄膜的新途径,建立了铝交流氧化电沉积法,探讨了氧化膜的结构和磁特性的关系。  相似文献   
68.
纳米硅薄膜界面结构的微观特征   总被引:6,自引:1,他引:5  
对使用等离子体增强化学汽相沉积法(PECVD)制备的纳米硅薄膜(nc-Si:H),使用HREM及STM技术观测了其显微结构,给出大量的界面结构图象.首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况.使我们认识到nc-Si:H膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的.  相似文献   
69.
汽车铝化是下一世纪节约能源和减少环境污染的最重要措施之一。简介了第30届东京世界汽车博览会上10种有代表性车型的汽车铝化内容以及工艺和技术特征。  相似文献   
70.
采用静电喷雾高温分解工艺制备SnO2气敏膜,并与Si3N4-SiO2集成多层介质膜,用催化金属Pt作栅电极,制成新型的MSIS结构气敏电容。通过检测平带电压的变化,研究对H2和O2的气敏特性,分析其气敏机理并提出了检测的物理模型.  相似文献   
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